Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТВС-диоды(68624)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Тип | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Пакет/ключи | Эмкость на частотах | Приложения | Поставщик пакета оборудования | Защита линий электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение – ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (тип.) | Однонаправленные соединения | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MXRT100KP60A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-204АР, Осевой | - | Общего назначения | Случай 5А (ДО-204АР) | Нет | 66,7 В | - | 118В | 60В | 1 | 100000Вт (100кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANS1N6147A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | С, Осевой | - | Общего назначения | С, Осевой | Нет | 15,2 В | 67,3А | 22,3 В | 12,2 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| MX1.5KE100CA/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | - | Общего назначения | СЛУЧАЙ-1 | Нет | 95В | 11А | 137В | 85,5 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| MXSMBG58A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-215АА, СМБ «Крыло чайки» | - | Общего назначения | СМБГ (ДО-215АА) | Нет | 64,4 В | 6,4А | 93,6 В | 58В | 1 | 600 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| MXLCE30A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 100пФ на 1 МГц | Общего назначения | СЛУЧАЙ-1 | Нет | 33,3 В | 31А | 48,4 В | 30В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6476/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/552 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Г, Осевой | - | Общего назначения | Осевой | Нет | 54В | 107А (8/20 мкс) | 78,5 В | 51,6 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANS1N6137AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 190В | 1,8 А | 273В | 152В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| 1N5639A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 | Нет | 17,1 В | 59,5А | 25,2 В | 15,3 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6114AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Э-МЕЛФ | - | Общего назначения | - | Нет | 20,9 В | 16,4А | 30,5 В | 16,7 В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| LC64A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | 90пФ при 1 МГц | Общего назначения | ДО-202АА (ДО-13) | Нет | 71,1 В | 14,6А | 103В | 64В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| MXSMBJ13CA/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-214АА, СМБ | - | Общего назначения | СМБЖ (ДО-214АА) | Нет | 14,4 В | 27,9А | 21,5 В | 13В | 600 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6072A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/507 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 209В | 4,6А | 328В | 185В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| МПЛАД6.5КП12А/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Нестандартный SMD | - | Общего назначения | ПЛАД | Нет | 13,3 В | 327А | 19,9 В | 12 В | 1 | 6500 Вт (6,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| 1N5637/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТА) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 13,5 В | 68А | 22В | 12,1 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| МПЛАД6.5КП24А/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Нестандартный SMD | - | Общего назначения | ПЛАД | Нет | 26,7 В | 167А | 38,9 В | 24В | 1 | 6500 Вт (6,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| ЛК7.5/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | 100пФ на 1 МГц | Общего назначения | ДО-202АА (ДО-13) | Нет | 8,33 В | 100А | 14,3 В | 7,5 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| 1N6474USE3 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТА) | Г, Осевой | - | Общего назначения | Г, Осевой | Нет | 33В | 32А | 47,5 В | 30,5 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANTXV1N6167A/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Г, Осевой | - | Общего назначения | С, Осевой | Нет | 104,5 В | 9,9А | 151,3 В | 86,6 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6462/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/551 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Б, Осевой | - | Общего назначения | Осевой | Нет | 6,5 В | 258А (8/20 мкс) | 11В | 6В | 1 | 500 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6123AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 48,5 В | 7.1А | 70,1 В | 38,8 В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANTXV1N5630A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 7,13 В | 132А | 11,3 В | 6,4 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANTXV1N6152AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, C | - | Общего назначения | C, SQ-MELF | Нет | 25,7 В | 40,1А | 37,4 В | 20,6 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6110/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Б, Осевой | - | Общего назначения | Осевой | Нет | 13,54 В | 22,61А | 22,05 В | 11,4 В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| 1N5647A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 | Нет | 37,1 В | 28А | 53,9 В | 33,3 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| ЛК6.5/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | 100пФ на 1 МГц | Общего назначения | ДО-202АА (ДО-13) | Нет | 7,22 В | 100А | 12,3 В | 6,5 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| 1N6466США/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 33В | 63 А (8/20 мкс) | 47,5 В | 30,5 В | 1 | 500 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| 1N6056/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 | Нет | 45,9 В | 20,4А | 73,5 В | 41В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| МУЗ6В8,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | МУЗ | Поверхностный монтаж | 150°С (ТДж) | СК-70, СОТ-323 | 88пФ при 1 МГц | Общего назначения | УСМ | Нет | 6,4 В | 10 А (8/20 мкс) | 13 В (тип.) | 6,8 В | 1 | 180 Вт | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ||||
| CEZ6V2,L3F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | ЧЭЗ | Поверхностный монтаж | 150°С (ТДж) | СК-79, СОД-523 | 105пФ на 1 МГц | Общего назначения | ЭКУ | Нет | 5,8 В | 11 А (8/20 мкс) | 10 В (тип.) | 6,2 В | 1 | 175 Вт | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ||||
| CEZ30V,L3F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | ЧЭЗ | Поверхностный монтаж | 150°С (ТДж) | СК-79, СОД-523 | 21пФ при 1 МГц | Общего назначения | ЭКУ | Нет | 28В | 4А (8/20 мкс) | 47,5 В (типичное) | 30В | 1 | 200 Вт | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
