Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВьетнамки(6385)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Способ упаковки | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Семья | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Количество битов | Тип выхода | Включить время задержки | Эмкость нагрузки | Логическая функция | Задержка распространения | функция | Количество бит на элементе | Сегодняшний день | Ток — выходной высокий, низкий | Количество входных строк | Выходные характеристики | Тактовая частота | Тип триггера | Количество выходных линий | фмакс-мин | Макс I(ол) | Тип триггера по фронту тактового сигнала | Задержка распространения (tpd) | Макс. задержка распространения @ В, Макс. КЛ | Макс. частота в номинальном режиме | Ток – состояние покоя (Iq) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SY10EP31VKI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy10ep31vzg-datasheets-1790.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | -3,3 В~-5 В | 10ЭП31 | 1 | 8-МСОП | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 3 ГГц | Положительное преимущество | 45 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММ74HC174MTC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-mm74hc174n-datasheets-4574.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 16 | Неинвертирующий | 2В~6В | 74HC174 | 1 | 7 | 5пФ | Неинвертированный | 16 нс | Тип D, триггер | 165 нс | Общий сброс | 6 | 5,2 мА 5,2 мА | 3 | 31 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 28 нс при 6 В, 50 пФ | 8мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММ74HC175SJ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HC | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-mm74hc175mx-datasheets-7601.pdf | 16-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | совместимый | 2В~6В | 74HC175 | 1 | 5пФ | Дифференциальный | Общий сброс | 4 | 5,2 мА 5,2 мА | 70 МГц | Положительное преимущество | 26 нс при 6 В, 50 пФ | 8мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74HCT175DB,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HCT | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/nexperiausainc-74hc175d653-datasheets-7727.pdf | 16-ССОП (ширина 0,209, 5,30 мм) | 6,2 мм | 5,3 мм | 5В | 16 | 8 недель | 16 | Золото | Нет | е4 | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 74HCT175 | 30 | 1 | HCT | 3,5 пФ | 4 | Дифференциальный | 19 нс | Тип D, триггер | 16 нс | Общий сброс | 8мкА | 4мА 4мА | 4 | 49 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 33 нс при 4,5 В, 50 пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ММ74C74MX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74С | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-mm74c74n-datasheets-4588.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3В~15В | 74C74 | 2 | 14-СОИК | 5пФ | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 8мА 8мА | 8 МГц | Положительное преимущество | 110 нс при 10 В, 50 пФ | 60 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74HC175DB,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/nexperiausainc-74hc175d653-datasheets-7727.pdf | 16-ССОП (ширина 0,209, 5,30 мм) | 6,2 мм | 5,3 мм | 5В | 16 | 8 недель | 16 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 74HC175 | 6В | 2В | 30 | 1 | ХК/УГ | 3,5 пФ | 4 | Дифференциальный | 16 нс | Тип D, триггер | 17 нс | Общий сброс | 5,2 мА 5,2 мА | 4 | 89 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 30 нс при 6 В, 50 пФ | 8мкА | ||||||||||||||||||||||||||||
| ММ74HC174MX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-mm74hc174n-datasheets-4574.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 16 | Неинвертирующий | 2В~6В | 74HC174 | 1 | 7 | 5пФ | Неинвертированный | 16 нс | Тип D, триггер | 165 нс | Общий сброс | 6 | 5,2 мА 5,2 мА | 3 | 31 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 28 нс при 6 В, 50 пФ | 8мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PI74AVC+16820AAE | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74АВК | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/diodesincorporated-pi74avc16820aae-datasheets-0008.pdf | 56-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 1,65 В~3,6 В | 74AVC16820 | 1 | 56-ЦСОП | 4пФ | Трехуровневый, неинвертированный | Стандартный | 10 | 24 мА 24 мА | 180 МГц | Положительное преимущество | 2,7 нс при 3,3 В, 30 пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL52ZC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 эл. | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100el52zg-datasheets-9071.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,2 В~-5,5 В | 100ЕЛ52 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Стандартный | 1 | 2,8 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 25 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVQ174TTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74LVQ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-74lvq174mtr-datasheets-9986.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 16 | Неинвертирующий | 2В~3,6В | 74LVQ174 | 1 | 7 | 4пФ | Неинвертированный | 5,5 нс | Тип D, триггер | 11 нс | Общий сброс | 24 мА 24 мА | 150 МГц | Положительное преимущество | 6 | Положительное преимущество | 8 нс при 3,3 В, 50 пФ | 4мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E451JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e451jy-datasheets-1605.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 10Э451 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Неинвертированный | Общий сброс | 6 | 1,4 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 101 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ACT574TTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74АКТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-74act574mtr-datasheets-1851.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 4,4 мм | 5В | Без свинца | 20 | 20 | 2 | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,65 мм | 74ACT574 | НЕ УКАЗАН | 1 | ФФ/защелки | 5В | 8 | Не квалифицирован | ДЕЙСТВОВАТЬ | 4пФ | 8 | Трехуровневый, неинвертированный | 5 нс | 50пФ | Тип D, триггер | 10 нс | Стандартный | 24 мА 24 мА | 270 МГц | Положительное преимущество | 3 | 0,024 А | Положительное преимущество | 10 нс при 5 В, 50 пФ | 4мкА | |||||||||||||||||||||||||
| ММ74HCT374SJ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HCT | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-mm74hct373wm-datasheets-0491.pdf | 20-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5В | Без свинца | 481,5 мг | 20 | да | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | 74HCT374 | 1 | 8 | 10пФ | Трехуровневый, неинвертированный | 30 нс | Тип D, триггер | 46 нс | Стандартный | 7,2 мА 7,2 мА | 30 МГц | Положительное преимущество | 3 | Положительное преимущество | 46 нс при 5 В, 150 пФ | 8мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M74HCT374M1R | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HCT | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-m74hct374b1r-datasheets-8860.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | Без свинца | 20 | 20 | 2 | ТРУБКА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | M74HCT374 | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | 1 | ФФ/защелки | 5В | 8 | Не квалифицирован | HCT | 5пФ | 8 | Трехуровневый, неинвертированный | 25 нс | Тип D, триггер | 38 нс | Стандартный | 6 мА 6 мА | 50 МГц | Положительное преимущество | 3 | 0,006 А | Положительное преимущество | 38 нс при 4,5 В, 150 пФ | 4мкА | ||||||||||||||||||||||||||
| ММ74HC273SJ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-mm74hc273mtcx-datasheets-8185.pdf | 20-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | Без свинца | 481,5 мг | 20 | да | Нет | Неинвертирующий | 2В~6В | 74HC273 | 1 | 8 | 7пФ | Неинвертированный | 18 нс | Тип D, триггер | 135 нс | Общий сброс | 5,2 мА 5,2 мА | 78 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 23 нс при 6 В, 50 пФ | 8мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHCT574ATTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74VHCT | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-74vhct574attr-datasheets-9976.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 4,4 мм | 5В | Без свинца | 20 | 20 | да | 2 | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 74VHCT574 | 40 | 1 | ФФ/защелки | 5В | 8 | AHCT/VHCT | 4пФ | 8 | Трехуровневый, неинвертированный | 7 нс | Тип D, триггер | 12,5 нс | Стандартный | 8мА 8мА | 130 МГц | Положительное преимущество | 3 | Положительное преимущество | 10,6 нс при 5 В, 50 пФ | 4мкА | ||||||||||||||||||||||||||
| СН74АЛВЧ374ДБРГ4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74АЛВЧ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/texasinstruments-sn74alvch374dbrg4-datasheets-2769.pdf | 20-ССОП (ширина 0,209, 5,30 мм) | 7,2 мм | 5,3 мм | 20 | 20 | 2 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,65 мм | 74АЛВЧ374 | 3,6 В | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | АЛВК/ВКС/А | 5пФ | 8 | Трехуровневый, неинвертированный | 1,1 нс | Тип D, триггер | 3,6 нс | Стандартный | 24 мА 24 мА | 8 | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 150 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 3,6 нс при 3,3 В, 50 пФ | 10 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHCT74ATTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74VHCT | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-74vhct74attr-datasheets-9977.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | Без свинца | 14 | 14 | да | неизвестный | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,65 мм | 74VHCT74 | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | 2 | ФФ/защелки | 5В | Не квалифицирован | AHCT/VHCT | 6пФ | 1 | Дифференциальный | 6,3 нс | 50пФ | И, Д-тип, триггер | 8,8 нс | Установить (предустановка) и сброс | 8мА 8мА | 1 | 140 МГц | Положительное преимущество | 80 МГц | 0,008 А | Положительное преимущество | 8,8 нс при 5 В, 50 пФ | 65000000Гц | 2мкА | ||||||||||||||||||||||
| MM74HC174SJX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HC | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mm74hc174n-datasheets-4574.pdf | 16-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 2В~6В | 74HC174 | 1 | 16-СОП | 5пФ | Неинвертированный | Общий сброс | 6 | 5,2 мА 5,2 мА | 31 МГц | Положительное преимущество | 28 нс при 6 В, 50 пФ | 8мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVX174MTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74LVX | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-74lvx174mtr-datasheets-9978.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | 16 | да | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 74LVX174 | 2В | 30 | 1 | ФФ/защелки | истинный | 3,3 В | Не квалифицирован | НВ/ЛВ-А/LVX/Ч | 5пФ | Неинвертированный | 50пФ | Общий сброс | 6 | 4мА 4мА | 95 МГц | Положительное преимущество | 95 МГц | 0,004 А | 22 нс | 12,8 нс при 3,3 В, 50 пФ | 4мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| СКАН18374TSSC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | СКАНИРОВАНИЕ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-scan18374tssc-datasheets-0001.pdf | 56-БССОП (ширина 0,295, 7,50 мм) | 5В | Содержит свинец | 56 | 32 мА | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | 18374 | 2 | 4пФ | 18 | Трехуровневый, неинвертированный | 2,5 нс | 10,3 нс | Стандартный | 24 мА 48 мА | 100 МГц | Положительное преимущество | 9 | Положительное преимущество | 10,3 нс при 5 В, 50 пФ | 16 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP53VKI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy10ep53vkgtr-datasheets-1889.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | -3В~-5,5В | 10ЭП53 | 1 | 10-МСОП | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 3 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 47 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP53VKI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-sy10ep53vkgtr-datasheets-1889.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | -3В~-5,5В | 10ЭП53 | 1 | 10-МСОП | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 3 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 47 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHC574MTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ВХК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-74vhc574ttr-datasheets-8361.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | Без свинца | 20 | 20 | да | 2 | Золото | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | Неинвертирующий | 2В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 74VHC574 | 5,5 В | 2В | 30 | 1 | ФФ/защелки | 2/5,5 В | 8 | АХК/ВХК | 7пФ | 8 | Трехуровневый, неинвертированный | 7,1 нс | 50пФ | Тип D, триггер | 16,7 нс | Стандартный | 4мкА | 8мА 8мА | 115 МГц | Положительное преимущество | 3 | Положительное преимущество | 10,6 нс при 5 В, 50 пФ | 75000000Гц | ||||||||||||||||||||||||
| 74AC74TTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74AC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-74ac74mtr-datasheets-5182.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | Без свинца | 14 | 14 | неизвестный | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | Неинвертирующий | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 74AC74 | 6В | 2В | НЕ УКАЗАН | ФФ/защелки | 3,3/5 В | 2 | Не квалифицирован | переменного тока | 3пФ | Дифференциальный | 5 нс | 50пФ | И, Д-тип, триггер | 14 нс | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 24 мА 24 мА | 300 МГц | Положительное преимущество | 1 | Положительное преимущество | 10 нс при 5 В, 50 пФ | 90000000Гц | 2мкА | |||||||||||||||||||||||||
| 74LVQ174MTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74LVQ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-74lvq174mtr-datasheets-9986.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 16 | 16 | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 74LVQ174 | 2В | НЕ УКАЗАН | 1 | ФФ/защелки | 3,3 В | 7 | Не квалифицирован | LVQ | 4пФ | 6 | Неинвертированный | 5,5 нс | 50пФ | Тип D, триггер | 11 нс | Общий сброс | 24 мА 24 мА | 150 МГц | Положительное преимущество | 6 | 0,024 А | Положительное преимущество | 8 нс при 3,3 В, 50 пФ | 4мкА | |||||||||||||||||||||||||||
| 74VHCT74AMTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74VHCT | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-74vhct74attr-datasheets-9977.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8,65 мм | 3,9 мм | 5В | Без свинца | 14 | 14 | да | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 74VHCT74 | 30 | ФФ/защелки | 5В | 2 | Не квалифицирован | AHCT/VHCT | 6пФ | Дифференциальный | 6,3 нс | 50пФ | И, Д-тип, триггер | 8,8 нс | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 8мА 8мА | 140 МГц | Положительное преимущество | 1 | 80 МГц | 0,008 А | Положительное преимущество | 8,8 нс при 5 В, 50 пФ | 65000000Гц | 2мкА | |||||||||||||||||||||||||
| M74HC112B1R | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Тип JK | 74HC | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-m74hc112rm13tr-datasheets-2072.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 16 | 16 | е3 | Матовый олово (Sn) | Неинвертирующий | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | 245 | 4,5 В | M74HC112 | 6В | 2В | НЕ УКАЗАН | ФФ/защелки | 2 | Не квалифицирован | ХК/УГ | 5пФ | Дифференциальный | 14 нс | 50пФ | И, триггер | 125 нс | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 5,2 мА 5,2 мА | 79 МГц | Отрицательное преимущество | 0,004 А | Отрицательное преимущество | 21 нс при 6 В, 50 пФ | 2мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHC374MTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ВХК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-74vhc374mtr-datasheets-9968.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | Без свинца | 20 | 20 | да | 2 | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 2В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 74VHC374 | 5,5 В | 2В | 30 | 1 | ФФ/защелки | 2/5,5 В | 8 | АХК/ВХК | 7пФ | 8 | Трехуровневый, неинвертированный | 6,9 нс | 50пФ | Тип D, триггер | 16,2 нс | Стандартный | 8мА 8мА | 270 МГц | Положительное преимущество | 3 | Положительное преимущество | 10,1 нс при 5 В, 50 пФ | 4мкА | |||||||||||||||||||||||||
| ММ74HCT273SJ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HCT | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mm74hct273wm-datasheets-0159.pdf | 20-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,3 мм | 5В | Без свинца | 20 | 481,5 мг | 20 | да | EAR99 | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 74HCT273 | НЕ УКАЗАН | 1 | ФФ/защелки | 5В | 8 | Не квалифицирован | HCT | 6пФ | 8 | Неинвертированный | 22 нс | 50пФ | Тип D, триггер | 37 нс | Общий сброс | 4,8 мА 4,8 мА | 68 МГц | Положительное преимущество | 0,004 А | Положительное преимущество | 37 нс при 5 В, 50 пФ | 8мкА |
