Вьетнамки(6385)

Имя	Производитель	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Тип	Ряд	Установить	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Технология	Частота	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/ключи	Длина	Ширина	Рабочее напряжение питания	Без свинца	Количество окончаний	Максимальное напряжение питания	Минимальное напряжение питания	Количество контактов	Дополнительная функция	Радиационная закалка	Достичь соответствия кода	Код JESD-609	Терминальные отделки	Полярность	Поверхностный монтаж	Напряжение питания	Положение терминала	Терминальная форма	Пиковая температура оплавления (Цел)	Напряжение питания	Терминал Питч	Базовый номер детали	Напряжение питания-Макс (Vsup)	Минимальное напряжение питания (Vsup)	Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	Количество элементов	Выходная полярность	Количество цепей	Статус квалификации	Код JESD-30	Семья	Поставщик пакета оборудования	Входная емкость	Количество битов	Тип выхода	Включить время задержки	Логическая функция	Задержка распространения	функция	Количество бит на элементе	Выходной ток высокого уровня	Выходной ток нижнего уровня	Сегодняшний день	Ток — выходной высокий, низкий	Количество входных строк	Тактовая частота	Тип триггера	Количество выходных линий	фмакс-мин	Тип триггера по фронту тактового сигнала	Задержка распространения (tpd)	Макс. задержка распространения @ В, Макс. КЛ	Ток – состояние покоя (Iq)
SY10EL52ZC-TR	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10 эл.		Поверхностный монтаж	0°С~70°С ТА	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	/files/microchiptechnology-sy100el52zg-datasheets-9071.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)																-4,75 В~-5,5 В						10ЭЛ52				1						8-СОИК			Дифференциальный				Стандартный	1						2,8 ГГц	Позитивный, Отрицательный						25 мА
SY10EP51VZI	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10EP		Поверхностный монтаж	-40°С~85°С ТА	Трубка	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	/files/microchiptechnology-sy10ep51vkg-datasheets-0798.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)																-3В~-5,5В						10ЭП51				1						8-СОИК			Дифференциальный				Перезагрузить	1						3 ГГц	Позитивный, Отрицательный						40 мА
SY10EP52VZI-TR	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10EP		Поверхностный монтаж	-40°С~85°С ТА	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			ОКУ		Не соответствует требованиям RoHS	2005 г.	/files/microchiptechnology-sy10ep52vzgtr-datasheets-1663.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)	4,93 мм	3,94 мм			8				РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН В РЕЖИМЕ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3,3 В до -5,5 В.						ДА	-3,3 В~-5 В	ДВОЙНОЙ	КРЫЛО ЧАЙКИ		3,3 В		10ЭП52	3,63 В	2,97 В		1	ДОПОЛНИТЕЛЬНО			Р-ПДСО-Г8	10Е			1	Дифференциальный				Стандартный							4 ГГц	Позитивный, Отрицательный		4000 МГц		0,38 нс		47 мА
SY10EP31VKC-TR	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10EP		Поверхностный монтаж	0°С~70°С ТА	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2005 г.	/files/microchiptechnology-sy10ep31vzg-datasheets-1790.pdf	8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм)																-3,3 В~-5 В						10ЭП31				1						8-МСОП			Дифференциальный				Установить (предустановка) и сброс	1						3 ГГц	Положительное преимущество						45 мА
SY100E131JC-TR	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	100E		Поверхностный монтаж	0°С~70°С ТА	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	/files/microchiptechnology-sy10e131jy-datasheets-1615.pdf	28-LCC (J-вывод)																-4,2 В~-5,5 В						100Е131				1						28-ПЛСС (11,48х11,48)			Дифференциальный				Установить (предустановка) и сброс	4						1,4 ГГц	Положительное преимущество						70 мА
SY10EP52VKC	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10EP		Поверхностный монтаж	0°С~70°С ТА	Трубка	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2005 г.	/files/microchiptechnology-sy10ep52vzgtr-datasheets-1663.pdf	8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм)																-3,3 В~-5 В						10ЭП52				1						8-МСОП			Дифференциальный				Стандартный	1						4 ГГц	Позитивный, Отрицательный						47 мА
SY10EP52VKC-TR	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10EP		Поверхностный монтаж	0°С~70°С ТА	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2005 г.	/files/microchiptechnology-sy10ep52vzgtr-datasheets-1663.pdf	8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм)																-3,3 В~-5 В						10ЭП52				1						8-МСОП			Дифференциальный				Стандартный	1						4 ГГц	Позитивный, Отрицательный						47 мА
SY10EP31VKI	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10EP		Поверхностный монтаж	-40°С~85°С ТА	Трубка	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2005 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy10ep31vzg-datasheets-1790.pdf	8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм)																-3,3 В~-5 В						10ЭП31				1						8-МСОП			Дифференциальный				Установить (предустановка) и сброс	1						3 ГГц	Положительное преимущество						45 мА
SY10E452JI-TR	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10Е		Поверхностный монтаж	-40°С~85°С ТА	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	/files/microchiptechnology-sy100e452jy-datasheets-9460.pdf	28-LCC (J-вывод)																-4,2 В~-5,5 В						10Э452				1						28-ПЛСС (11,48х11,48)			Дифференциальный				Общий сброс	5						1,4 ГГц	Положительное преимущество						89 мА
SY10EL51ZC-TR	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10 эл.		Поверхностный монтаж	0°С~70°С ТА	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	/files/microchiptechnology-sy100el51zgtr-datasheets-1588.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)																-4,75 В~-5,5 В						10ЭЛ51				1						8-СОИК			Дифференциальный				Перезагрузить	1						2,8 ГГц	Позитивный, Отрицательный						29 мА
SY10EP52VKI-TR	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10EP		Поверхностный монтаж	-40°С~85°С ТА	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2005 г.	/files/microchiptechnology-sy10ep52vzgtr-datasheets-1663.pdf	8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм)																-3,3 В~-5 В						10ЭП52				1						8-МСОП			Дифференциальный				Стандартный	1						4 ГГц	Позитивный, Отрицательный						47 мА
74F821SCX	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	74F	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	0°С~70°С ТА	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	70°С	0°С		150 МГц	Соответствует RoHS		/files/onsemiconductor-74f821spc-datasheets-4614.pdf	24-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм)			5В	Без свинца		5,5 В	4,5 В	24						Неинвертирующий		4,5 В~5,5 В						74F821				1		10				24-СОП		10	Трехуровневый, неинвертированный	6,4 нс	Тип D, триггер	9,5 нс	Стандартный	10	-3мА	24 мА		3 мА 24 мА	1	150 МГц	Положительное преимущество	1		Положительное преимущество		9,5 нс при 5 В, 50 пФ	100 мА
SY10EL51ZI-TR	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10 эл.		Поверхностный монтаж	-40°С~85°С ТА	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100el51zgtr-datasheets-1588.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)																-4,75 В~-5,5 В						10ЭЛ51				1						8-СОИК			Дифференциальный				Перезагрузить	1						2,8 ГГц	Позитивный, Отрицательный						29 мА
TC74VHC74FTELM	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	TC74VHC		Поверхностный монтаж	-40°С~85°С ТА	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			КМОП			2009 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tc74vhc74ftelm-datasheets-9722.pdf	14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм)	5 мм	4,4 мм			14						неизвестный				ДА	2В~5,5В	ДВОЙНОЙ	КРЫЛО ЧАЙКИ		5В	0,65 мм	74VHC74	5,5 В	2В		2	ДОПОЛНИТЕЛЬНО				АХК/ВХК/Х/У/В		4пФ		Дифференциальный				Установить (предустановка) и сброс	1				8мА 8мА		115 МГц	Положительное преимущество					9,3 нс при 5 В, 50 пФ	2мкА
SY10EP51VZC-TR	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10EP		Поверхностный монтаж	0°С~70°С ТА	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2009 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy10ep51vkg-datasheets-0798.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)																-3В~-5,5В						10ЭП51				1						8-СОИК			Дифференциальный				Перезагрузить	1						3 ГГц	Позитивный, Отрицательный						40 мА
SY10EL31ZC	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10 эл.		Поверхностный монтаж	0°С~70°С ТА	Трубка	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	/files/microchiptechnology-sy100el31zg-datasheets-1622.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)																-4,75 В~-5,5 В						10ЭЛ31				1						8-СОИК			Дифференциальный				Установить (предустановка) и сброс	1						2,8 ГГц	Положительное преимущество						32 мА
СИ10ЭП52ВКГ-ТР	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10EP		Поверхностный монтаж	-40°С~85°С ТА	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			ОКУ		Соответствует ROHS3	2005 г.	/files/microchiptechnology-sy10ep52vzgtr-datasheets-1663.pdf	8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм)	3 мм	3 мм			8				РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН В РЕЖИМЕ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3,3 В до -5,5 В.			е4	Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au)		ДА	-3,3 В~-5 В	ДВОЙНОЙ	КРЫЛО ЧАЙКИ	260	3,3 В	0,65 мм	10ЭП52	3,63 В	2,97 В	40	1	ДОПОЛНИТЕЛЬНО		Не квалифицирован	С-ПДСО-G8	10Е			1	Дифференциальный				Стандартный							4 ГГц	Позитивный, Отрицательный		4000 МГц		0,38 нс		47 мА
SY10E451JI-TR	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10Е		Поверхностный монтаж	-40°С~85°С ТА	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	/files/microchiptechnology-sy100e451jy-datasheets-1605.pdf	28-LCC (J-вывод)																-4,2 В~-5,5 В						10Э451				1						28-ПЛСС (11,48х11,48)			Неинвертированный				Общий сброс	6						1,4 ГГц	Позитивный, Отрицательный						101 мА
SY10EP52VKI	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10EP		Поверхностный монтаж	-40°С~85°С ТА	Трубка	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2005 г.	/files/microchiptechnology-sy10ep52vzgtr-datasheets-1663.pdf	8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм)																-3,3 В~-5 В						10ЭП52				1						8-МСОП			Дифференциальный				Стандартный	1						4 ГГц	Позитивный, Отрицательный						47 мА
TC74VHC374FTELM	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	TC74VHC		Поверхностный монтаж	-40°С~85°С ТА	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)						2014 год	/files/toshibasemiconductorandstorage-tc74vhc374ftelm-datasheets-9735.pdf	20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм)																2В~5,5В						74VHC374				1							4пФ		Трехуровневый, неинвертированный				Стандартный	8				8мА 8мА		120 МГц	Положительное преимущество					10,1 нс при 5 В, 50 пФ	4мкА
SY10EP31VZI	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10EP		Поверхностный монтаж	-40°С~85°С ТА	Трубка	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2005 г.	/files/microchiptechnology-sy10ep31vzg-datasheets-1790.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)																-3,3 В~-5 В						10ЭП31				1						8-СОИК			Дифференциальный				Установить (предустановка) и сброс	1						3 ГГц	Положительное преимущество						45 мА
SY10EL35ZC-TR	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10 эл.		Поверхностный монтаж	0°С~70°С ТА	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			ОКУ		Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	/files/microchiptechnology-sy100el35zg-datasheets-1623.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)	4,93 мм	3,94 мм			8										ДА	-4,75 В~-5,5 В	ДВОЙНОЙ	КРЫЛО ЧАЙКИ				10ЭЛ35				1	ДОПОЛНИТЕЛЬНО			Р-ПДСО-Г8				2	Дифференциальный				Перезагрузить							2,2 ГГц	Положительное преимущество				0,7 нс		32 мА
SY10E452JI	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10Е		Поверхностный монтаж	-40°С~85°С ТА	Трубка	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	/files/microchiptechnology-sy100e452jy-datasheets-9460.pdf	28-LCC (J-вывод)																-4,2 В~-5,5 В						10Э452				1						28-ПЛСС (11,48х11,48)			Дифференциальный				Общий сброс	5						1,4 ГГц	Положительное преимущество						89 мА
SY10EL31ZI-TR	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10 эл.		Поверхностный монтаж	-40°С~85°С ТА	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	/files/microchiptechnology-sy100el31zg-datasheets-1622.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)																-4,75 В~-5,5 В						10ЭЛ31				1						8-СОИК			Дифференциальный				Установить (предустановка) и сброс	1						2,8 ГГц	Положительное преимущество						32 мА
SY10EL35ZI	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10 эл.		Поверхностный монтаж	-40°С~85°С ТА	Трубка	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100el35zg-datasheets-1623.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)																-4,75 В~-5,5 В						10ЭЛ35				1						8-СОИК			Дифференциальный				Перезагрузить	1						2,2 ГГц	Положительное преимущество						32 мА
SY10EP31VZC	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10EP		Поверхностный монтаж	0°С~70°С ТА	Трубка	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2005 г.	/files/microchiptechnology-sy10ep31vzg-datasheets-1790.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)																-3,3 В~-5 В						10ЭП31				1						8-СОИК			Дифференциальный				Установить (предустановка) и сброс	1						3 ГГц	Положительное преимущество						45 мА
СИ10ЭП31ВКГ	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10EP	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°С~85°С ТА	Трубка	1 (без блокировки)	85°С	-40°С		3 ГГц	Соответствует ROHS3	2005 г.	/files/microchiptechnology-sy10ep31vzg-datasheets-1790.pdf	8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм)			5В	Без свинца		5,5 В	2,97 В	8		Нет				Неинвертирующий		-3В~-5,5В						10ЭП31				1		1				8-МСОП		1	Дифференциальный	500 пс	И	500 пс	Установить (предустановка) и сброс	1	-50 мА	50 мА	45 мА		1	3 ГГц	Положительное преимущество	1		Положительное преимущество			45 мА
SY10EL35ZI-TR	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10 эл.		Поверхностный монтаж	-40°С~85°С ТА	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	/files/microchiptechnology-sy100el35zg-datasheets-1623.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)																-4,75 В~-5,5 В						10ЭЛ35				1						8-СОИК			Дифференциальный				Перезагрузить	1						2,2 ГГц	Положительное преимущество						32 мА
SY10EL52ZI	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10 эл.		Поверхностный монтаж	-40°С~85°С ТА	Трубка	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100el52zg-datasheets-9071.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)																-4,75 В~-5,5 В						10ЭЛ52				1						8-СОИК			Дифференциальный				Стандартный	1						2,8 ГГц	Позитивный, Отрицательный						25 мА
SY10EL52ZC	Микрочиповая технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	D-тип	10 эл.		Поверхностный монтаж	0°С~70°С ТА	Трубка	1 (без блокировки)					Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	/files/microchiptechnology-sy100el52zg-datasheets-9071.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)																-4,75 В~-5,5 В						10ЭЛ52				1						8-СОИК			Дифференциальный				Стандартный	1						2,8 ГГц	Позитивный, Отрицательный						25 мА

Вьетнамки(6385)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии