Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВьетнамки(6385)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Способ упаковки | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Количество битов | Выходной ток | Тип выхода | Включить время задержки | Эмкость нагрузки | Логическая функция | Задержка распространения | функция | Количество бит на элементе | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Сегодняшний день | Ток — выходной высокий, низкий | Количество входных строк | Выходные характеристики | Тактовая частота | Тип триггера | Количество выходных линий | фмакс-мин | Максимальный ток источника питания (ICC) | Макс I(ол) | Опора Delay@Nom-Sup | Тип триггера по фронту тактового сигнала | Задержка распространения (tpd) | Макс. задержка распространения @ В, Макс. КЛ | Макс. частота в номинальном режиме | Ток – состояние покоя (Iq) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 74ALVC374PW,112 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74АЛВК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | /files/nexperiausainc-74alvc374bq115-datasheets-1186.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 4,4 мм | 20 | 20 | 2 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 0,65 мм | 74ALVC374 | 3,6 В | 30 | 1 | АЛВК/ВКС/А | 3,5 пФ | 8 | Трехуровневый, неинвертированный | 3,1 нс | Тип D, триггер | 2,5 нс | Стандартный | 24 мА 24 мА | 8 | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 300 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 3,6 нс при 3,3 В, 50 пФ | 10 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL52DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el52dg-datasheets-0944.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -4,2 В до -5,7 В. | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | -4,2 В~-5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 100ЕЛ52 | 5,7 В | 4,2 В | 30 | ФФ/защелки | -4,5 В | 1 | Не квалифицирован | С-ПДСО-G8 | 1 | Дифференциальный | 365 пс. | Тип D, триггер | 465 пс. | Стандартный | 2,8 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 2200 МГц | 29 мА | Положительное преимущество | 2200000000Гц | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL51DR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc10el51dg-datasheets-0366.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 4 недели | 8 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -4,2 В до -5,7 В. | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | -4,2 В~-5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 100ЕЛ51 | 5,7 В | 4,2 В | 40 | ФФ/защелки | -4,5 В | 1 | 1 | Дифференциальный | 475 пс. | Резкий поворот | 565 пс. | Перезагрузить | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 2,8 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 2200 МГц | 36 мА | 0,62 нс | Положительное преимущество | 29 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP51VKI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/microchiptechnology-sy10ep51vkg-datasheets-0798.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | -3В~-5,5В | 10ЭП51 | 1 | 8-МСОП | Дифференциальный | Перезагрузить | 1 | 3 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 40 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EP31DR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc10ep31dt-datasheets-0349.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3,0 В до -5,5 В. | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | -3В~-5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 100EP31 | 5,5 В | 3В | 30 | ФФ/защелки | -4,5 В | 1 | Не квалифицирован | 1 | Дифференциальный | 340 пс. | И, Д-тип, триггер | 410 пс | Установить (предустановка) и сброс | 3 ГГц | Положительное преимущество | 47 мА | Положительное преимущество | 3000000000Гц | 45 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL52DR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el52dg-datasheets-0944.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -4,2 В до -5,7 В. | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | -4,2 В~-5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 100ЕЛ52 | 5,7 В | 4,2 В | 30 | ФФ/защелки | -4,5 В | 1 | Не квалифицирован | 1 | Дифференциальный | 365 пс. | Тип D, триггер | 465 пс. | Стандартный | 50 мА | 50 мА | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 2,8 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 2200 МГц | 29 мА | Положительное преимущество | 2200000000Гц | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74HC175DB,112 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 2 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/nexperiausainc-74hc175d653-datasheets-7727.pdf | 16-ССОП (ширина 0,209, 5,30 мм) | 6,2 мм | 5,3 мм | 5В | 16 | 8 недель | 16 | Золото | Нет | е4 | Неинвертирующий | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 74HC175 | 6В | 2В | 30 | 1 | ХК/УГ | 3,5 пФ | 4 | Дифференциальный | 16 нс | Тип D, триггер | 17 нс | Общий сброс | 8мкА | 5,2 мА 5,2 мА | 4 | 89 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 30 нс при 6 В, 50 пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E451FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e451fn-datasheets-0096.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | е0 | Неинвертирующий | -4,2 В~-5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 10Э451 | 5,7 В | 30 | 1 | ФФ/защелки | 2 | Не квалифицирован | 10Е | Неинвертированный | 625 пс. | 1,05 нс | Общий сброс | 6 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1,1 ГГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 101 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100E431FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10e431fn-datasheets-5598.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 14 недель | 28 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 месяца назад) | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -4,2 В до -5,7 В. | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | -4,2 В~-5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 100Е431 | 5,7 В | 4,2 В | 40 | ФФ/защелки | -4,5 В | 3 | Дифференциальный | 700 пс | И, Д-тип, триггер | 850 пс | Установить (предустановка) и сброс | 1 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1,1 ГГц | Позитивный, Отрицательный | Положительное преимущество | 132 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP31VKC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-sy10ep31vzg-datasheets-1790.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | -3,3 В~-5 В | 10ЭП31 | 1 | 8-МСОП | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 3 ГГц | Положительное преимущество | 45 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100E451FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e451fn-datasheets-0096.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 4 недели | 28 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 месяца назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | -4,2 В~-5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 100Э451 | 5,7 В | 40 | 1 | ФФ/защелки | -4,5 В | 2 | Неинвертированный | 625 пс. | 1,05 нс | Общий сброс | 6 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1,1 ГГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 101 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100LVEL31DR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 УРОВЕЛЕЙ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc100lvel31dtg-datasheets-1086.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | 8 | да | ЛЕНТА И КАТУШКА | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | -3В~-3,8В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 100УРОВЕНЬ31 | 3В | 40 | ФФ/защелки | -3,3 В | 1 | Не квалифицирован | 1 | Дифференциальный | 475 пс. | И, Д-тип, триггер | 590 пс. | Установить (предустановка) и сброс | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 2,9 ГГц | Положительное преимущество | 2900 МГц | Положительное преимущество | 2900000000Гц | 35 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ALVT16821DGG,112 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74АЛВТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/nexperiausainc-74alvt16821dgg112-datasheets-0101.pdf | 56-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 56 | Золото | Нет | Неинвертирующий | 2,3 В~2,7 В 3 В~3,6 В | 74ALVT16821 | 2 | 3пФ | 20 | Трехуровневый, неинвертированный | 1,7 нс | Тип D, триггер | 1,8 нс | Стандартный | 5,1 мА | 8мА 24мА; 32 мА 64 мА | 150 МГц | Положительное преимущество | 10 | Положительное преимущество | 3,2 нс @ 3,3 В, 50 пФ | 70 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ALVT16821DGG,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74АЛВТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | Соответствует RoHS | /files/nexperiausainc-74alvt16821dgg112-datasheets-0101.pdf | 56-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 14 мм | 6,1 мм | Без свинца | 56 | 56 | 2 | ВЫБОР ПОЛЬЗОВАТЕЛЕМ 3,3 В VCC | Золото | Нет | е4 | Неинвертирующий | 2,3 В~2,7 В 3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | 74ALVT16821 | 30 | 2 | ФФ/защелки | 3пФ | 20 | Трехуровневый, неинвертированный | 1,7 нс | 50пФ | Тип D, триггер | 4,6 нс | Стандартный | 5,1 мА | 8мА 24мА; 32 мА 64 мА | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 150 МГц | Положительное преимущество | 10 | 0,064 А | Положительное преимущество | 3,2 нс @ 3,3 В, 50 пФ | 70 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ACTQ574SCX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ACTQ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74acq574sj-datasheets-0548.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 5В | Без свинца | 20 | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | 74ACTQ574 | 1 | 8 | 4,5 пФ | Трехуровневый, неинвертированный | 7 нс | Тип D, триггер | 9 нс | Стандартный | 24 мА 24 мА | 85 МГц | Положительное преимущество | 3 | Положительное преимущество | 9 нс при 5 В, 50 пФ | 40 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHCT273ATTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74VHCT | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-74vhct273amtr-datasheets-9964.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 4,4 мм | 5В | Без свинца | 20 | 20 | да | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 74VHCT273 | 40 | 1 | ФФ/защелки | 5В | 8 | AHCT/VHCT | 6пФ | 8 | Неинвертированный | 6,8 нс | 50пФ | Тип D, триггер | 9,2 нс | Общий сброс | 8мА 8мА | 160 МГц | Положительное преимущество | 65 МГц | Положительное преимущество | 9,2 нс при 5 В, 50 пФ | 45000000Гц | 4мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74AHC374D,112 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74АХК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,65 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/nexperiausainc-74ahct374pw118-datasheets-7978.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 5В | 20 | 8 недель | 20 | 2 | Золото | Нет | е4 | Неинвертирующий | 2В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 74AHC374 | 2В | 30 | 1 | АХК | 3пФ | 8 | Трехуровневый, неинвертированный | 8,4 нс | Тип D, триггер | 4,4 нс | Стандартный | 8мА 8мА | 8 | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 120 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 10,1 нс при 5 В, 50 пФ | 4мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100E131FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/onsemiconductor-mc10e131fng-datasheets-0457.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn80Pb20) | Неинвертирующий | -4,2 В~-5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 100Е131 | 5,7 В | 30 | 1 | ФФ/защелки | 4 | Не квалифицирован | 4 | Дифференциальный | 500 пс | Тип D, триггер | 675 пс. | Установить (предустановка) и сброс | 50 мА | 50 мА | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 70 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100E151FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | -4,2 В~-5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 100Э151 | 5,7 В | 30 | 1 | ФФ/защелки | -4,5 В | 2 | Не квалифицирован | Дифференциальный | 900 пс | Общий сброс | 6 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1,1 ГГц | Положительное преимущество | 900 МГц | 90 мА | Положительное преимущество | 78мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ЛВЧ16374АДЛ,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ЛВЧ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | /files/nexperiausainc-74lvc16374adl118-datasheets-4998.pdf | 48-БССОП (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 48 | 48 | 2 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 0,635 мм | 74ЛВЧ16374 | 3,6 В | 30 | 2 | ЛВК/LCX/Z | 5пФ | 16 | Трехуровневый, неинвертированный | 7 нс | Тип D, триггер | 3,8 нс | Стандартный | 24 мА 24 мА | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 300 МГц | Положительное преимущество | 8 | Положительное преимущество | 5,4 нс при 3,3 В, 50 пФ | 20 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL31DR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc10el31dg-datasheets-9947.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -4,2 В до -5,7 В. | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | е0 | Неинвертирующий | -4,2 В~-5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 100ЭЛ31 | 5,7 В | 4,2 В | 30 | ФФ/защелки | -4,5 В | 1 | Не квалифицирован | 1 | Дифференциальный | 465 пс. | И, Д-тип, триггер | 590 пс. | Установить (предустановка) и сброс | 50 мА | 50 мА | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 2,8 ГГц | Положительное преимущество | 2200 МГц | 37 мА | Положительное преимущество | 2000000000Гц | 32 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LV74DB,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ЛВ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/nexperiausainc-74lv74d118-datasheets-2554.pdf | 14-ССОП (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,3 мм | 3,3 В | 14 | 8 недель | 14 | Золото | Нет | е4 | Неинвертирующий | 1 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 74LV74 | 5,5 В | 1В | 30 | 2 | НВ/ЛВ-А/LVX/Ч | 3,5 пФ | Дифференциальный | 58 нс | И, Д-тип, триггер | 11 нс | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 80 мкА | 12 мА 12 мА | 110 МГц | Положительное преимущество | 1 | 56 МГц | Положительное преимущество | 17 нс при 5 В, 50 пФ | 20 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL35DR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2008 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 4 недели | 8 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -4,2 В до -5,7 В. | ЛЕНТА И КАТУШКА | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | -4,2 В~-5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 100ЕЛ35 | 5,7 В | 4,2 В | 40 | ФФ/защелки | +-5В | 1 | Не квалифицирован | 2 | Дифференциальный | 525 пс. | Резкий поворот | 700 пс | Перезагрузить | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 2,2 ГГц | Положительное преимущество | 37 мА | 0,745 нс | Положительное преимущество | 32 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL35DR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -4,2 В до -5,7 В. | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | е0 | Неинвертирующий | -4,2 В~-5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 100ЕЛ35 | 5,7 В | 4,2 В | 30 | ФФ/защелки | +-5В | 1 | Не квалифицирован | 2 | Дифференциальный | 525 пс. | Резкий поворот | 700 пс | Перезагрузить | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 2,2 ГГц | Положительное преимущество | 37 мА | 0,745 нс | Положительное преимущество | 32 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL35DTR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el35dtr2g-datasheets-2871.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -4,2 В до -5,7 В. | ЛЕНТА И КАТУШКА | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | -4,2 В~-5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 100ЕЛ35 | 5,7 В | 4,2 В | 40 | ФФ/защелки | +-5В | 1 | Не квалифицирован | 2 | Дифференциальный | 525 пс. | Резкий поворот | 700 пс | Перезагрузить | 2,2 ГГц | Положительное преимущество | 37 мА | 0,745 нс | Положительное преимущество | 32 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММ74HCT574N | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HCT | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-mm74hct573mtcx-datasheets-1584.pdf | 20-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 5В | Без свинца | 2,26 г | Нет СВХК | 20 | да | Нет | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | 74HCT574 | 1 | 8 | 10пФ | 7,2 мА | Трехуровневый, неинвертированный | 18 нс | Тип D, триггер | 38 нс | Стандартный | 7,2 мА 7,2 мА | 33 МГц | Положительное преимущество | 3 | Положительное преимущество | 30 нс при 5 В, 50 пФ | 8мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVC823ABQ,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ЛВК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | /files/nexperiausainc-74lvc823abq115-datasheets-0091.pdf | 24-VFQFN Открытая колодка | 5,5 мм | 3,5 мм | 24 | 24 | 2 | Нет | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | Неинвертирующий | 1,65 В~3,6 В | КВАД | 260 | 2,7 В | 0,5 мм | 74LVC823 | 3,6 В | 30 | 1 | ЛВК/LCX/Z | 5пФ | Трехуровневый, неинвертированный | 3,7 нс | 11,5 нс | Общий сброс | 9 | 24 мА 24 мА | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 200 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 10 нс при 3,3 В, 50 пФ | 10 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL51DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc10el51dg-datasheets-0366.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -4,2 В до -5,7 В. | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | -4,2 В~-5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 100ЕЛ51 | 5,7 В | 4,2 В | 30 | ФФ/защелки | -4,5 В | 1 | Не квалифицирован | С-ПДСО-G8 | 1 | Дифференциальный | 475 пс. | Резкий поворот | 565 пс. | Перезагрузить | 2,8 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 2200 МГц | 36 мА | 0,62 нс | Положительное преимущество | 29 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100E451FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e451fn-datasheets-0096.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | -4,2 В~-5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 100Э451 | 5,7 В | 30 | 1 | ФФ/защелки | -4,5 В | 2 | Не квалифицирован | Неинвертированный | 625 пс. | 1,05 нс | Общий сброс | 6 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1,1 ГГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 101 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ЛВЧ16374АДГГ,51 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ЛВЧ | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | /files/nexperiausainc-74lvc16374adgg512-datasheets-8862.pdf | 48-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 6,1 мм | 48 | 2 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 74ЛВЧ16374 | 3,6 В | 30 | 2 | ФФ/защелки | истинный | 3,3 В | Не квалифицирован | ЛВК/LCX/Z | 5пФ | Трехуровневый, неинвертированный | 50пФ | Стандартный | 8 | 24 мА 24 мА | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 300 МГц | Положительное преимущество | 7 нс | 6,4 нс | 5,4 нс при 3,3 В, 50 пФ | 100000000Гц | 20 мкА |
