Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВьетнамки(6385)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Способ упаковки | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Количество битов | Тип выхода | Включить время задержки | Эмкость нагрузки | Логическая функция | Задержка распространения | функция | Количество бит на элементе | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Сегодняшний день | Ток — выходной высокий, низкий | Количество входных строк | Тактовая частота | Тип триггера | Количество выходных линий | фмакс-мин | Макс I(ол) | Тип триггера по фронту тактового сигнала | Задержка распространения (tpd) | Макс. задержка распространения @ В, Макс. КЛ | Макс. частота в номинальном режиме | Ток – состояние покоя (Iq) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 74LVQ74TTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74LVQ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-74lvq74ttr-datasheets-9960.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | Без свинца | 14 | 14 | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2,7 В | 0,65 мм | 74LVQ74 | 3,6 В | 2В | НЕ УКАЗАН | ФФ/защелки | 3,3 В | 2 | Не квалифицирован | LVQ | 4пФ | Дифференциальный | 6,3 нс | 50пФ | И, Д-тип, триггер | 12 нс | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 24 мА 24 мА | 250 МГц | Положительное преимущество | 1 | Положительное преимущество | 9 нс при 3,3 В, 50 пФ | 2мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LCX574MTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74LCX | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-74lcx574ttr-datasheets-1981.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | Без свинца | 20 | 20 | да | 2 | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 74LCX574 | 2В | 30 | 1 | ФФ/защелки | 8 | ЛВК/LCX/Z | 6пФ | 8 | Трехуровневый, неинвертированный | 1,5 нс | 50пФ | Тип D, триггер | 9,5 нс | Стандартный | 24 мА 24 мА | 150 МГц | Положительное преимущество | 3 | 0,024 А | Положительное преимущество | 8,5 нс при 3,3 В, 50 пФ | 10 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| M74HC173B1R | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HC | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m74hc173rm13tr-datasheets-2340.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 16 | 16 | С РЕЖИМОМ УДЕРЖАНИЯ; С ВКЛЮЧЕНИЕМ ДВОЙНОГО ВЫХОДА | е3 | Матовый олово (Sn) | Неинвертирующий | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | 245 | 4,5 В | M74HC173 | 6В | 2В | НЕ УКАЗАН | 1 | ФФ/защелки | 2/6 В | 4 | Не квалифицирован | ХК/УГ | 5пФ | 4 | Трехуровневый, неинвертированный | 12 нс | 50пФ | 145 нс | Общий сброс | 5,2 мА 5,2 мА | 84 МГц | Положительное преимущество | 3 | Положительное преимущество | 25 нс при 6 В, 150 пФ | 29000000Гц | 4мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHCT273AMTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74VHCT | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-74vhct273amtr-datasheets-9964.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 5В | Без свинца | 20 | 20 | да | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 74VHCT273 | 1 | ФФ/защелки | 5В | 8 | AHCT/VHCT | 6пФ | 8 | Неинвертированный | 6,8 нс | 50пФ | Тип D, триггер | 9,2 нс | Общий сброс | 8мА 8мА | 160 МГц | Положительное преимущество | 65 МГц | Положительное преимущество | 9,2 нс при 5 В, 50 пФ | 45000000Гц | 4мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММ74HC74ASJ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-mm74hc74amtcx-datasheets-7162.pdf | 14-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,3 мм | Без свинца | 14 | 218,3 мг | 14 | да | Нет | Неинвертирующий | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 74HC74 | 6В | 2В | 2 | ХК/УГ | 5пФ | Дифференциальный | 12 нс | И, Д-тип, триггер | 110 нс | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 5,2 мА 5,2 мА | 94 МГц | Положительное преимущество | 1 | Положительное преимущество | 19 нс при 6 В, 50 пФ | 4мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M74HC112B1R | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Тип JK | 74HC | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-m74hc112rm13tr-datasheets-2072.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 16 | 16 | е3 | Матовый олово (Sn) | Неинвертирующий | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | 245 | 4,5 В | M74HC112 | 6В | 2В | НЕ УКАЗАН | ФФ/защелки | 2 | Не квалифицирован | ХК/УГ | 5пФ | Дифференциальный | 14 нс | 50пФ | И, триггер | 125 нс | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 5,2 мА 5,2 мА | 79 МГц | Отрицательное преимущество | 0,004 А | Отрицательное преимущество | 21 нс при 6 В, 50 пФ | 2мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHC374MTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ВХК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-74vhc374mtr-datasheets-9968.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | Без свинца | 20 | 20 | да | 2 | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 2В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 74VHC374 | 5,5 В | 2В | 30 | 1 | ФФ/защелки | 2/5,5 В | 8 | АХК/ВХК | 7пФ | 8 | Трехуровневый, неинвертированный | 6,9 нс | 50пФ | Тип D, триггер | 16,2 нс | Стандартный | 8мА 8мА | 270 МГц | Положительное преимущество | 3 | Положительное преимущество | 10,1 нс при 5 В, 50 пФ | 4мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ММ74HCT273SJ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HCT | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mm74hct273wm-datasheets-0159.pdf | 20-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,3 мм | 5В | Без свинца | 20 | 481,5 мг | 20 | да | EAR99 | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 74HCT273 | НЕ УКАЗАН | 1 | ФФ/защелки | 5В | 8 | Не квалифицирован | HCT | 6пФ | 8 | Неинвертированный | 22 нс | 50пФ | Тип D, триггер | 37 нс | Общий сброс | 4,8 мА 4,8 мА | 68 МГц | Положительное преимущество | 0,004 А | Положительное преимущество | 37 нс при 5 В, 50 пФ | 8мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММ74HCT74SJ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HCT | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/onsemiconductor-mm74hct74m-datasheets-0079.pdf | 14-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5В | Без свинца | 14 | 14 | Нет | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 74HCT74 | 2 | HCT | 5пФ | Дифференциальный | 21 нс | И, Д-тип, триггер | 35 нс | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 4,8 мА 4,8 мА | 27 МГц | Положительное преимущество | 1 | 50 МГц | Положительное преимущество | 35 нс при 5 В, 50 пФ | 2мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL35ZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 эл. | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100el35zg-datasheets-1623.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,2 В~-5,5 В | 100ЕЛ35 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Перезагрузить | 1 | 2,2 ГГц | Положительное преимущество | 32 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVX374TTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74LVX | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-74lvx374mtr-datasheets-5238.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 4,4 мм | Без свинца | 20 | 20 | да | 2 | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 0,65 мм | 74LVX374 | 2В | 40 | 1 | ФФ/защелки | 8 | НВ/ЛВ-А/LVX/Ч | 4пФ | 8 | Трехуровневый, неинвертированный | 9,2 нс | 50пФ | Тип D, триггер | 19,8 нс | Стандартный | 4мА 4мА | 3 | 95 МГц | Положительное преимущество | 0,004 А | Положительное преимущество | 14,1 нс при 3,3 В, 50 пФ | 50000000Гц | 4мкА | |||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP51VZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/microchiptechnology-sy10ep51vkg-datasheets-0798.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -3В~-5,5В | 10ЭП51 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Перезагрузить | 1 | 3 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 40 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74АСТ174МТР | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74АКТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-74act174mtr-datasheets-9974.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | 5В | Без свинца | 16 | 16 | неизвестный | ЛЕНТА И КАТУШКА | е3 | ИНН | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 74ACT174 | НЕ УКАЗАН | 1 | ФФ/защелки | 5В | 7 | Не квалифицирован | ДЕЙСТВОВАТЬ | 4пФ | 6 | Неинвертированный | 6 нс | 50пФ | Тип D, триггер | 10,5 нс | Общий сброс | 24 мА 24 мА | 200 МГц | Положительное преимущество | 6 | 0,024 А | Положительное преимущество | 10,5 нс при 5 В, 50 пФ | 4мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL51ZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el51zgtr-datasheets-1588.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,75 В~-5,5 В | 10ЭЛ51 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Перезагрузить | 1 | 2,8 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 29 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MM74HCT74SJX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HCT | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mm74hct74m-datasheets-0079.pdf | 14-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 14 | совместимый | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 74HCT74 | 5,5 В | 4,5 В | 2 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | HCT | 5пФ | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 4,8 мА 4,8 мА | 27 МГц | Положительное преимущество | 50 МГц | 44 нс | 35 нс при 5 В, 50 пФ | 2мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP31VZI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-sy10ep31vzg-datasheets-1790.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -3,3 В~-5 В | 10ЭП31 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 3 ГГц | Положительное преимущество | 45 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP31VZC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-sy10ep31vzg-datasheets-1790.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -3,3 В~-5 В | 10ЭП31 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 3 ГГц | Положительное преимущество | 45 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP53VKC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-sy10ep53vkgtr-datasheets-1889.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | -3В~-5,5В | 10ЭП53 | 1 | 10-МСОП | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 3 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 47 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ10ЭП52ВКГ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microchiptechnology-sy10ep52vzgtr-datasheets-1663.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 8 | РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН В РЕЖИМЕ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3,3 В до -5,5 В. | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | -3В~-5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 10ЭП52 | 3,63 В | 2,97 В | 40 | 1 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицирован | С-ПДСО-G8 | 10Е | 1 | Дифференциальный | Стандартный | 4 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 4000 МГц | 0,38 нс | 47 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ10ЭП31ВКГ-ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 3 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microchiptechnology-sy10ep31vzg-datasheets-1790.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | Без свинца | 5,5 В | -2,97 В | 8 | Неинвертирующий | -3,3 В~-5 В | 10ЭП31 | 1 | 1 | 8-МСОП | 1 | Дифференциальный | 340 пс. | И | 410 пс | Установить (предустановка) и сброс | 1 | -50 мА | 50 мА | 45 мА | 1 | 3 ГГц | Положительное преимущество | 1 | Положительное преимущество | 45 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E452JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100e452jy-datasheets-9460.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100Э452 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Общий сброс | 5 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 89 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP52VZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-sy10ep52vzgtr-datasheets-1663.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -3,3 В~-5 В | 10ЭП52 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Стандартный | 1 | 4 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 47 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP52VZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-sy10ep52vzgtr-datasheets-1663.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -3,3 В~-5 В | 10ЭП52 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Стандартный | 1 | 4 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 47 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP51VZI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy10ep51vkg-datasheets-0798.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -3В~-5,5В | 10ЭП51 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Перезагрузить | 1 | 3 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 40 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP53VKC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/microchiptechnology-sy10ep53vkgtr-datasheets-1889.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | -3В~-5,5В | 10ЭП53 | 1 | 10-МСОП | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 3 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 47 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL31ZC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 эл. | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100el31zg-datasheets-1622.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,75 В~-5,5 В | 10ЭЛ31 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 2,8 ГГц | Положительное преимущество | 32 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL52ZI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 эл. | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el52zg-datasheets-9071.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,2 В~-5,5 В | 100ЕЛ52 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Стандартный | 1 | 2,8 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL52ZI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el52zg-datasheets-9071.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,75 В~-5,5 В | 10ЭЛ52 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Стандартный | 1 | 2,8 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL31ZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 эл. | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100el31zg-datasheets-1622.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,2 В~-5,5 В | 100ЭЛ31 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 2,8 ГГц | Положительное преимущество | 32 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL52ZC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 эл. | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el52zg-datasheets-9071.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,75 В~-5,5 В | 10ЭЛ52 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Стандартный | 1 | 2,8 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 25 мА |
