Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСоединённые драйверы ворот (1845 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Тип микросхемы интерфейса | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение проба | Направление | Время включения | Время выключения | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток — пиковый выход | Обратное напряжение (постоянный ток) | Широтно-импульсное вмешательство (PWD) | Выходной ток на канале | Драйвер верхней стороны |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HCPL-J314-300E | Бродком Лимитед | 2,76 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcplj314300e-datasheets-5652.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 мА | Без свинца | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | Нет СВХК | 8 | Нет | 260мВт | 1 | 260мВт | 1 | 8-ДИП Крыло чайки | 600 мА | 30 В | 25 мА | 1,5 В | 300 нс | 50 нс | 50 нс | 300 нс | 400 мА | 400 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 3В | Однонаправленный | 1,5 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 700 нс, 700 нс | 25кВ/мкс | 10 В~30 В | 600 мА | 600 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3150ТСР2В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3150tsr2-datasheets-0215.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | 7 недель | 819мг | МЭК, УЛ | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1,5 А | 25 мА | ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА | 0,025А | 60нс | 60 нс | 500 нс | 5е-7с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,25 Вт | 1,5 В | 1А 1А | 60 нс 60 нс | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8384V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod8384-datasheets-8112.pdf | 6-SOIC (0,346, ширина 8,80 мм), 5 выводов | 6 недель | 400мг | МЭК/ЭН/ДИН, УЛ | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 17 часов назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 500мВт | 30 В | 1 | 2,1e-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 3А | 16 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 35 нс | 25 нс | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,43 В | 2,5 А 2,5 А | 35 нс 25 нс | 25 мА | 210 нс, 210 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 65 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8343T | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/onsemiconductor-fod8343t-datasheets-8518.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 11 недель | УР | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | е3 | Олово (Вс) | 1 | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 3А 3А | 38 нс 24 нс | 25 мА | 210 нс, 210 нс | 50 кВ/мкс | 65нс | 10 В~30 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0302-060 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Содержит свинец | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 250мВт | 1 | 1 | 400 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 20 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3120ТСВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3120ts-datasheets-0293.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 7 недель | 819мг | МЭК, УЛ | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 400 нс | ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА | 0,025А | 60нс | 60 нс | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 60 нс 60 нс | 25 мА | 400 нс, 400 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 100 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3184В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3184tsd-datasheets-0657.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 мА | 5 недель | 891 мг | МЭК/ЭН/ДИН, УЛ | Нет СВХК | 35В | 15 В | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 25 мА | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 1 | 295мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 30 В | 3А | 25 мА | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 27нс | 20 нс | ОДИНОКИЙ | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,43 В | 2,5 А 2,5 А | 38 нс 24 нс | 210 нс, 210 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 65 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC1580P | Подразделение интегральных микросхем IXYS | 10,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 3 (168 часов) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | УР | 8 | 1 | 8-плоская упаковка | 48 мкс | 195 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,27 В | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП351Х(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Трубка | Непригодный | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp351htp1f-datasheets-8119.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 12 недель | CQC, cUR, UR, VDE | УЛ ПРИЗНАЛ | 260мВт | 1 | 1 | 600 мА | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 700 нс, 700 нс | 20 кВ/мкс | 500 нс | 10 В~30 В | 600 мА | 5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0302-560 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Содержит свинец | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | 250мВт | 1 | 8-СО | 400 мА | 1,5 В | 700 нс | 50 нс | 700 нс | 200 мА | 200 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 20 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | 400 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВКПЛ-3020-360 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | 250мВт | 1 | 8-ДИП Крыло чайки | 400 мА | 1,5 В | 700 нс | 50 нс | 700 нс | 200 мА | 200 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 20 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | 400 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8384R2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod8384-datasheets-8112.pdf | 6-SOIC (0,346, ширина 8,80 мм), 5 выводов | 5 недель | 400мг | UL | АКТИВНО (последнее обновление: 16 часов назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 500мВт | 30 В | 1 | 2,1e-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 3А | 16 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,43 В | 2,5 А 2,5 А | 35 нс 25 нс | 25 мА | 210 нс, 210 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 65 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-T250-560E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcplt250560e-datasheets-5609.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Матовый олово (Sn) | 250мВт | 1 | 1 | 1,5 А | 27В | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | СЛОЖНЫЙ | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,6 В | 500 мА 500 мА | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 5кВ/мкс | 15 В~30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД8343 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/onsemiconductor-fod8343t-datasheets-8518.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 7 недель | УР | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | е3 | Олово (Вс) | 1 | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 3А 3А | 38 нс 24 нс | 25 мА | 210 нс, 210 нс | 50 кВ/мкс | 65нс | 10 В~30 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-3140-360E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 мА | Без свинца | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 250мВт | 1 | 1 | 600 мА | 28,2 В | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 50 нс | 50 нс | СЛОЖНЫЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 700 нс, 700 нс | 25кВ/мкс | 10 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261ABA-C-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 30 мА | Соответствует RoHS | 6 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 30 В | 5В | 300мВт | 1 | 600 мА | 50 нс | 2,8 В Макс. | 500 мА 1,2 А | 5,5 нс 8,5 нс | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | Тип 10 нс. | 9,4 В~30 В | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0302-500 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Содержит свинец | 22 недели | ЦСА, УР | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 250мВт | 1 | 1 | 400 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 20 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3182В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3182s-datasheets-8861.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 мА | Без свинца | 7 недель | 891 мг | УЛ, ВДЭ | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 25 мА | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 38нс | 24 нс | ОДИНОКИЙ | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,43 В | 2,5 А 2,5 А | 38 нс 24 нс | 210 нс, 210 нс | 35кВ/мкс | 10 В~30 В | 65 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-T250-360E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcplt250360e-datasheets-5616.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Матовый олово (Sn) | 250мВт | 1 | 1 | 1,5 А | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | СЛОЖНЫЙ | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,6 В | 500 мА 500 мА | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 5кВ/мкс | 15 В~30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3184ТВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3184tsd-datasheets-0657.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 16 мА | 7 недель | 900мг | МЭК/ЭН/ДИН, УЛ | Нет СВХК | 35В | 15 В | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 25 мА | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 1 | 295мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 30 В | 3А | 25 мА | 210 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 27нс | 20 нс | ОДИНОКИЙ | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,43 В | 2,5 А 2,5 А | 38 нс 24 нс | 210 нс, 210 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 65 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261BCA-C-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 30 мА | Соответствует RoHS | 2017 год | 6 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 30 В | 5В | 300мВт | 1 | 4А | 50 нс | 2,8 В Макс. | 500 мА 1,2 А | 5,5 нс 8,5 нс | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | Тип 10 нс. | 13,5 В~30 В | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC1590PTR | Подразделение интегральных микросхем IXYS | $3,76 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | УР | 1 | 8-плоская упаковка | 40 мкс | 130 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,27 В | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5751(D4-TP,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5751e-datasheets-4944.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 6 | неизвестный | 450мВт | 1 | 1А | 150 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 8 нс | 150 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,55 В | 1А 1А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 50 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5774(D4-TP,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5774tpe-datasheets-3384.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,65 В | 1,2 А 1,2 А | 15 нс 8 нс | 8мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 50 нс | 10 В~30 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-P302-060E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | 1 | 1 | 400 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 0,025А | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IX3120GES | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | 4,572 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 9,652 мм | 8 | 8 недель | МЭК/EN/DIN, УР | 1 | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,54 мм | 30 В | 1 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | 2,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 мкс | 0,5 мкс | 1,24 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 25кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3184СВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3184tsd-datasheets-0657.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | 7 недель | 720мг | МЭК/ЭН/ДИН, УЛ | Нет СВХК | 35В | 15 В | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 25 мА | 295мВт | 1 | 295мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 30 В | 3А | 25 мА | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 27нс | 20 нс | ОДИНОКИЙ | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,43 В | 2,5 А 2,5 А | 38 нс 24 нс | 210 нс, 210 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 65 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5772(D4-TP,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5772tpe-datasheets-7209.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,65 В | 2,5 А 2,5 А | 15 нс 8 нс | 8мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 50 нс | 10 В~30 В | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-3140-060E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 12 мА | Без свинца | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Матовый олово (Sn) | 250мВт | 1 | 1 | 600 мА | 28,2 В | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 50 нс | 50 нс | СЛОЖНЫЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 700 нс, 700 нс | 25кВ/мкс | 10 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8342TR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fod8342r2-datasheets-7992.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 12 недель | УР | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 1 | 3А | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 2,5 А 2,5 А | 38 нс 24 нс | 25 мА | 210 нс, 210 нс | 20 кВ/мкс | 10 В~30 В | 65 нс |
