Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСоединённые драйверы ворот (1845 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Минимальное входное напряжение | Минимальное выходное напряжение | Тип интерфейса микросхемы | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Направление | Прямое напряжение-Макс. | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Управление выходного тока | Время включения | Время выключения | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток — пиковый выход | Обратное напряжение (постоянный ток) | Широтно-импульсное вмешательство (PWD) | Выходной ток на канале | Напряжение питания1-ном. | Напряжение питания1-мин. | Драйвер верхней стороны | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СИ82398БД-ИС | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3,8 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,055 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 10 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3182ТСВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3182s-datasheets-8861.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 7 недель | 819мг | УЛ, ВДЭ | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 25 мА | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 38нс | 24 нс | ОДИНОКИЙ | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,43 В | 2,5 А 2,5 А | 38нс 24нс | 210 нс, 210 нс | 35кВ/мкс | 10 В~30 В | 65 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261ACC-C-IP | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 9,9 мм | 3,43 мм | 6,6 мм | 8 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 30 В | 5В | 8 | EAR99 | 1 | 2мА | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 600 мА | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 400мВ | 10 мА | 60 нс | 5,5 нс | 8,5 нс | 50 нс | 2 | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 0,06 мкс | 0,05 мкс | 2,8 В Макс. | 400 мА 600 мА | 5,5 нс 8,5 нс | 30 мА | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 28нс | 13,5 В~30 В | 10 нс | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9305L-AX | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Масса | 1 (без блокировки) | 110°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,268, 6,81 мм) | Без свинца | 10 недель | ЦСА, СЕМКО, УЛ | 8 | Нет | 250 мВт | 1 | 8-СДИП «Крыло чайки» | 2,5 А | 30 В | 1,56 В | 50 нс | 50 нс | 250 нс | 2А | 2А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,56 В | 2А 2А | 50 нс 50 нс | 25 мА | 250 нс, 250 нс | 25 кВ/мкс | 100 нс | 15 В~30 В | 2,5 А | 100 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8238AD-D-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 2,7 В | 16 | EAR99 | 1 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3В | 16 | 2 | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицированный | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД8318 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | 3 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod8318r2v-datasheets-1849.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Без свинца | 16 | 24 недели | 758мг | UL | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | 1 | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 5,5 В | 3В | 1 | НЕ УКАЗАН | 3А | 30 В | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 30 В | 34 нс | 34 нс | 500 нс | 4243 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 мкс | 0,5 мкс | 2,5 А 2,5 А | 34нс 34нс | 500 нс, 500 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3150SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3150tsr2-datasheets-0215.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 5 недель | 720мг | UL | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1,5 А | 25 мА | 25 мА | 500 нс | ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА | 500 нс | 500 нс | ОДИНОКИЙ | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 1А 1А | 60 нс 60 нс | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | 1,5 А | 5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8482TR2 | ОН Полупроводник | 2,03 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod8480-datasheets-0553.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 5 недель | ВДЕ | да | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В | 15 нс 10 нс | 20 мА | 300 нс, 300 нс | 20 кВ/мкс | 250 нс | 4,5 В~30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8235AB-D-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | 16 | EAR99 | 1 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 16 | 2 | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицированный | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-W347-000E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Масса | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/broadcom-acplw347000e-datasheets-5448.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 22 недели | ЦГА, УР | 6 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Олово (Вс) | 1 | 1 | 1А | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | СЛОЖНЫЙ | 110 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 800 мА 800 мА | 8нс 8нс | 25 мА | 110 нс, 110 нс | 50 кВ/мкс | 15 В~30 В | 40 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261ACD-C-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4,58 мм | 2,05 мм | 11,5 мм | 6 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 30 В | 5В | 6 | EAR99 | 1 | 2мА | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 15 В | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 600 мА | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 400мВ | 10 мА | 5,5 нс | 8,5 нс | 50 нс | 2 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,05 мкс | 2,8 В Макс. | 400 мА 600 мА | 5,5 нс 8,5 нс | 30 мА | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 28нс | 13,5 В~30 В | 10 нс | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82397CD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 2,1 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 12,8 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP151A(TPR,E) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp151atpre-datasheets-7656.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 5 выводов | 12 недель | кУЛ, УЛ | 1 | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 350 нс | 10 В~30 В | 600 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8230AB-D-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | 16 | EAR99 | 1 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 16 | 2 | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицированный | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5752(D4,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | $2,46 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5752d4tpe-datasheets-7326.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 6 | неизвестный | 40мВт | 1 | 2,5 А | 150 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 8 нс | 150 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,55 В | 2,5 А 2,5 А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 50 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82398CD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3,8 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,055 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 12,8 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9308L2-V-AX | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Полоска | 1 (без блокировки) | 110°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | Без свинца | 10 недель | CSA, SEMKO, UL, VDE | 6 | Нет | 300мВт | 1 | 6-СДИП | 2А | 1,56 В | 16 мА | 50 нс | 50 нс | 100 нс | 1,5 А | 1,5 А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,56 В | 1,5 А 1,5 А | 50 нс 50 нс | 25 мА | 250 нс, 250 нс | 25 кВ/мкс | 100 нс | 15 В~30 В | 2А | 100 нс | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8316R2V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fod8316r2-datasheets-7734.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,493 мм | 16 | 24 недели | 758мг | МЭК/ЭН/ДИН, УЛ | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | 1 | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 5,5 В | 3В | 1 | НЕ УКАЗАН | 2,5 А | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 34 нс | 34 нс | 300 нс | 4243 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 мкс | 0,5 мкс | 2,5 А 2,5 А | 34нс 34нс | 500 нс, 500 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 3А | 2,5 А | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5752(Е | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp5752d4tpe-datasheets-7326.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | CQC, CSA, cUL, UL | неизвестный | 1 | 2,5 А | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 150 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 2,5 А 2,5 А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 50 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП151А(Е) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp151atpre-datasheets-7656.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 5 выводов | Без свинца | 12 недель | кУЛ, УЛ | 1 | 600 мА | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 10 В~30 В | 350 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АДУМ3221ТРЗ-ЭП | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | iCoupler® | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum3221trzeprl7-datasheets-2476.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 8 недель | ЦГА, УР | 8 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | нет | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | АДУМ3221 | 8 | 5,5 В | 3В | 2 | 30 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А | 20 нс 20 нс | 60 нс, 60 нс | 25 кВ/мкс | 7,6 В~18 В | 4А | 10 В | 7,6 В | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82396BB-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | 2 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 5,5 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 10 В~24 В | 4А | 12 В | 6,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП352(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp352tp1f-datasheets-8401.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 12 недель | CSA, cUL, UL | 8 | Нет | 260мВт | 1 | 260мВт | 2,5 А | 20 мА | 3мА | 200 нс | 15 нс | 8 нс | 200 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,55 В | 2А 2А | 15 нс 8 нс | 200 нс, 200 нс | 20 кВ/мкс | 15 В~30 В | 5В | 50 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8233AD-D-IS3 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 14-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12нс 12нс | 60 нс, 60 нс | 45кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП352(Д4,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp352tp1f-datasheets-8401.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 12 недель | CSA, cUL, UL, VDE | 8 | 260мВт | 30 В | 1 | 2э-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 2,5 А | 200 нс | 0,02 А | 8 нс | 200 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,55 В | 2А 2А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 200 нс, 200 нс | 20 кВ/мкс | 15 В~30 В | 50 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-315J-500E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 16-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 12 выводов | 16 мА | Без свинца | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 16 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 8541.40.80.00 | е3 | Матовый олово (Sn) | 295мВт | 15 В | 2 | 2 | Оптопара — транзисторные выходы | 600 мА | 27В | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 100 нс | 100 нс | СЛОЖНЫЙ | 500 нс | 1e-7s | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,95 В | 1,6 В | 500 мА 500 мА | 100 нс 100 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 15 кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | 400 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8316R2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fod8316r2-datasheets-7734.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3,5 мм | 7,5 мм | 30 В | Без свинца | 16 | 24 недели | 758мг | UL | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | ДВОЙНОЙ | 5В | 5,5 В | 1 | 3А | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 500 нс | 34 нс | 34 нс | 500 нс | 4243 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 мкс | 0,5 мкс | 2,5 А 2,5 А | 34нс 34нс | 500 нс, 500 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM4224WBRWZ | Аналоговые устройства Inc. | $8,49 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 1,6 мА | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum3224warz-datasheets-9769.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,5 мм | Содержит свинец | 16 | 8 недель | 473,692182мг | ЦГА, УР | 5,5 В | 3В | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | 1 | 5,5 В | е3 | Матовый олово (Sn) | Однонаправленный | 2,77 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | АДУМ4224 | 16 | 2 | 30 | 1 Мбит/с | 4А | 18В | 3В | 4,5 В | ПОЛУМОСТОВОЙ ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР | 54 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ТЕРМАЛЬНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,059 мкс | 0,059 мкс | 12нс 12нс | 54нс, 54нс | 50 кВ/мкс | 7,5 В~18 В | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM4224WARWZ | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Автомобильная промышленность | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 1,4 мА | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adum3224warz-datasheets-9769.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,5 мм | 2,35 мм | 7,6 мм | Содержит свинец | 16 | 8 недель | 665,986997мг | Нет СВХК | 5В | 3,3 В | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | 1 | 5,5 В | е3 | Матовый олово (Sn) | Однонаправленный | 1,64 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | АДУМ4224 | 16 | 30 | 1 Мбит/с | 4А | 18В | 3В | 4,5 В | 59 нс | 54 нс | 2 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ТЕРМАЛЬНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,059 мкс | 0,059 мкс | 12нс 12нс | 54нс, 54нс | 25 кВ/мкс | 4,5 В~18 В | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82395AD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3,8 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | 12 В |
