Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСоединённые драйверы ворот (1845 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Количество цепей | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Тип интерфейса микросхемы | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Количество выходов | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Направление | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Управление выходного тока | Время включения | Время выключения | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток — пиковый выход | Обратное напряжение (постоянный ток) | Ширина импульса (PWD) | Выходной ток на канале | Напряжение питания1-ном. | Напряжение питания1-мин. | Драйвер верхней стороны | Напряжение питания1-Макс. | Тип канала | Коэффициент гистерезиса-ном. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ТЛП701А(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp701af-datasheets-7761.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | Без свинца | 12 недель | кУЛ, УЛ | Неизвестный | 6 | 1 | 600мА | 50 нс | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,57 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 10 В~30 В | 350 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП700(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp700f-datasheets-7863.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 10 мА | Без свинца | 12 недель | УР | Нет СВХК | 6 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 30 В | 1 | 5е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 2А | 35В | 20 мА | 20 мА | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | Однонаправленный | 1,57 В | 1,5 А 1,5 А | 50 нс 50 нс | 500 нс, 500 нс | 15 кВ/мкс | 15 В~30 В | 6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП352(ЛФ1,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp352tp1f-datasheets-8401.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | CSA, cUL, UL | 8 | 260мВт | 1 | 2,5 А | 200 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 8 нс | 200 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,55 В | 2А 2А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 200 нс, 200 нс | 20 кВ/мкс | 15 В~30 В | 50 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП705А(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp705af-datasheets-7769.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | Без свинца | 12 недель | кУЛ, УЛ | 6 | Нет | 40мВт | 1 | 40мВт | 600мА | 25 мА | 200 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 15 нс | 170 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,57 В | 400 мА 400 мА | 35 нс 15 нс | 170 нс, 170 нс | 20 кВ/мкс | 10 В~30 В | 600мА | 50 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDI20N12AFXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-1edi20n12afxuma1-datasheets-7536.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 1 мА | 8 | 17 недель | Нет СВХК | 17В | 3,1 В | 8 | да | EAR99 | 1 | Без галогенов | 400мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | НЕ УКАЗАН | 3,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 2А | 130 нс | 1 | 10 нс 9 нс | 10 В~35 В | НЕТ | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8321 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod8321r2-datasheets-7317.pdf | 6-SOIC (0,346, ширина 8,80 мм), 5 выводов | 25 мА | 30 В | Без свинца | 6 недель | 400мг | UL | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 45мВт | 1 | 500мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 25 мА | 400 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 60нс | 60 нс | ОДИНОКИЙ | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 60 нс 60 нс | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 16 В~30 В | 5В | 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОЛ3120Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vol3120x001t-datasheets-0160.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 5 выводов | 6 недель | CQC, cUR, UR | EAR99 | неизвестный | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,36 В | 2,5 А 2,5 А | 100 нс 100 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 48кВ/мкс | 300 нс | 15 В~32 В | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП700Х(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp700hf-datasheets-7791.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 12 недель | кУЛ, УЛ | 1 | 1 | 2,5 А | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | 8 нс | ОДИНОКИЙ | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 2А 2А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 15 В~30 В | 250 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82390BD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3,8 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 10 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-P314-000E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 3мА | 22 недели | ЦГА, УР | Нет СВХК | 30 В | 10 В | 6 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | е3 | 250 мВт | 30 В | 1 | 250 мВт | 7е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 600мА | 35В | 35В | 25 мА | 12 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 700 нс, 700 нс | 25кВ/мкс | 10 В~30 В | 600мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82396CB-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | совместимый | 2 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 5,5 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 12,8 В~24 В | 4А | 12 В | 6,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDI40I12AFXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-1edi05i12afxuma1-datasheets-8447.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | Нет СВХК | 15 В | 3,5 В | 8 | да | EAR99 | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 400мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | НЕ УКАЗАН | 6,8А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 4А | 330 нс | 1 | 7,5 А | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ТЕРМАЛЬНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | 0,33 мкс | 0,33 мкс | 10 нс 9 нс | 13 В~35 В | 15 В | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АДУМ4121КРИЗ | Аналоговые устройства Inc. | $7,30 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | iCoupler® | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum4121briz-datasheets-9741.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 8 | 8 недель | CSA, UR, VDE | 8 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | АДУМ4121 | 8 | 6,5 В | 2,5 В | 1 | 30 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,3А | 0,042 мкс | 0,053 мкс | 18нс 18нс | 42нс, 53нс | 150 кВ/мкс | 13нс | 11,6 В~35 В | 2,3А | 15 В | 4,5 В | ДА | 35В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDI40I12AHXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-1edi40i12ahxuma1-datasheets-7502.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 6,3 мм | 8 | 26 недель | да | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 1 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 7,5 А | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,33 мкс | 0,33 мкс | 10 нс 9 нс | 13 В~35 В | 15 В | 35В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDI20H12AHXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-1edi40i12ahxuma1-datasheets-7502.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 6,3 мм | 8 | 26 недель | да | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 1 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 4А | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 10 нс 9 нс | 13 В~35 В | 15 В | 35В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDI60I12AFXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-1edi05i12afxuma1-datasheets-8447.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | Нет СВХК | 15 В | 3,5 В | 8 | да | EAR99 | ТАКЖЕ ИМЕЕТ НАХОДНОЙ ТОК 9,4 А. | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 400мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | НЕ УКАЗАН | 9,4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 6А | 330 нс | 1 | 10А | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ТЕРМАЛЬНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | 0,33 мкс | 0,33 мкс | 10 нс 9 нс | 13 В~35 В | 15 В | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8273BB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | да | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 75нс, 75нс | 200 кВ/мкс | 8нс | 9,6 В~30 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDC05I12AHXUMA1 | Инфинеон Технологии | 2,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-1edc20h12ahxuma1-datasheets-4587.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 6,3 мм | 8 | 20 недель | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 1 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,3А | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,33 мкс | 0,33 мкс | 10 нс 9 нс | 3,1 В~17 В | 15 В | 35В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDI60I12AHXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-1edi40i12ahxuma1-datasheets-7502.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 6,3 мм | 8 | 26 недель | да | EAR99 | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 1 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 10А | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,33 мкс | 0,33 мкс | 10 нс 9 нс | 13 В~35 В | 15 В | 35В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDI30I12MHXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-1edi30i12mhxuma1-datasheets-7598.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 6,3 мм | 8 | 26 недель | да | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 1 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5,9А | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,33 мкс | 0,33 мкс | 10 нс 9 нс | 13 В~18 В | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDI60H12AHXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-1edi40i12ahxuma1-datasheets-7502.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 6,3 мм | 8 | 26 недель | да | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 1 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 10А | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,33 мкс | 0,33 мкс | 10 нс 9 нс | 13 В~35 В | 15 В | 35В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UCC5390ECQDWVRQ1 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 2,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 8 | 16 недель | ККК, УЛ, ВДЭ | да | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | UCC5390 | 3В | 1 | Р-ПДСО-G8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 17А 17А | 10 нс 10 нс | 60 нс, 60 нс | 120 кВ/мкс | 20нс | 13,2 В~33 В | 10А | 15 В | НЕТ | 33В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDI20I12AHXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-1edi40i12ahxuma1-datasheets-7502.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 6,3 мм | 8 | 26 недель | да | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 1 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 4А | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,33 мкс | 0,33 мкс | 10 нс 9 нс | 13 В~35 В | 15 В | 35В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-3120-500E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 22 недели | ЦГА, УР | Нет СВХК | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | е3 | 295мВт | 30 В | 1 | 295мВт | 5е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 2,5 А | 30 В | 25 мА | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 100 нс | СЛОЖНЫЙ | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 500 нс, 500 нс | 25кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | 1,6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDA215 | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Оптическая связь | 5мА | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-fda215-datasheets-5363.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 6 недель | ЕН, МЭК, ТУВ | 8 | 500мВт | 2 | Двойной | 500мВт | 2 | 2 | 8-ДИП | 1А | 100 мА | 1,4 В | 2 | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,2 В | 100 мА | 5 мс, 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3120TSR2 | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ОПТОПЛАНАР® | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-fod3120tsr2-datasheets-7469.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | UL | 1 | 8-СМД | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 2А 2А | 60 нс 60 нс | 25 мА | 400 нс, 400 нс | 35кВ/мкс | 100 нс | 15 В~30 В | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8220BB-D-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8220cddisr-datasheets-0864.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 3,9 мм | 8 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 8 | EAR99 | 1 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 12 В | 24В | 6,5 В | 1 | НЕ УКАЗАН | 2,5 А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 А | ПЕРЕХОДНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,06 мкс | 0,04 мкс | 2,5 В Макс. | 1,5 А 2,5 А | 20 нс 20 нс Макс. | 30 мА | 60 нс, 40 нс | 30 кВ/мкс (тип.) | 9,4 В~24 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3120ТС | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-fod3120tsr2-datasheets-7469.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | UL | 1 | 8-СМД | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 2А 2А | 60 нс 60 нс | 25 мА | 400 нс, 400 нс | 35кВ/мкс | 100 нс | 15 В~30 В | 3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8273GB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | да | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 60 нс, 60 нс | 150 кВ/мкс | 8нс | 4,2 В~30 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8282BC-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8283cdis-datasheets-2394.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | совместимый | 1 | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 А 3 А | 5,5 нс 8,5 нс | 50 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 5нс | 2,8 В~5,5 В | 4А |
