Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Масса | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Количество цепей | Поставщик пакета оборудования | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение проба | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Х11АГ2С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11ag1-datasheets-2617.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В Макс. | 50 мА | 50 мА | 30В | 50% при 1 мА | 5 мкс, 5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АА814А300В | ОН Полупроводник | 0,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 4 | 200мВт | 1 | 1 | 4-ДИП | 70В | Транзистор | 2,4 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 50% при 1 мА | 150% при 1 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F4S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11AG2300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11ag1-datasheets-2617.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В Макс. | 50 мА | 50 мА | 30В | 50% при 1 мА | 5 мкс, 5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11AA814ASD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 50% при 1 мА | 150% при 1 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11AA1W | ОН Полупроводник | 0,61 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1-datasheets-2307.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 6 | 350 мВт | 1 | 350 мВт | 1 | 6-ДИП | 30В | 100 мА | 1,5 В | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 30В | 1,2 В | 100 мА | 30В | 20% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11AG13SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11ag1-datasheets-2617.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В Макс. | 50 мА | 50 мА | 30В | 100% при 1 мА | 5 мкс, 5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11AA23SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1-datasheets-2307.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мА | 30В | 10% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11AA814W | ОН Полупроводник | 0,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 4 | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 1 | 4-ДИП | 70В | 50 мА | 1,5 В | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 70В | 50 мА | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||
| Х11АГ33С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11ag1-datasheets-2617.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В Макс. | 50 мА | 50 мА | 30В | 20% при 1 мА | 5 мкс, 5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АА814С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АВ2АМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11av1a-datasheets-0136.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 70В | 50% при 10 мА | 15 мкс, 15 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2581L1-LA | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 700мВт | 1 | 4-ДИП | 80 мА | 1,4 В | Транзистор | 80 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 80В | 50 мА | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АГ2300 | ОН Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11ag1-datasheets-2617.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 6 | 260мВт | 1 | 30В | 30В | Транзистор с базой | 5 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,5 В Макс. | 50 мА | 50% при 1 мА | 5 мкс, 5 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АА43С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1-datasheets-2307.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мА | 30В | 100% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11B1S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11b1300-datasheets-2364.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | совместимый | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | Дарлингтон с базой | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | 0,08А | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 0,25 Вт | 1,2 В | 100 мА | 500% | 25В | 25В | 500% при 1 мА | 25 мкс, 18 мкс | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АГ13С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11ag1-datasheets-2617.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В Макс. | 50 мА | 50 мА | 30В | 100% при 1 мА | 5 мкс, 5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11A817C3S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11AG1300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11ag1-datasheets-2617.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В Макс. | 50 мА | 50 мА | 30В | 100% при 1 мА | 5 мкс, 5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А817А300Вт | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 4 | 200мВт | 1 | 1 | 4-ДИП | 70В | Транзистор | 2,4 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А1СВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1vm-datasheets-5979.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 810мг | да | Нет | 150 мВт | 1 | 30В | Транзистор с базой | 60 мА | 2 мкс | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,18 В | 50% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АА1С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1-datasheets-2307.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | совместимый | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | Транзистор с базой | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | 0,06А | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мА | 20% | 30В | 30В | 50нА | 20% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АГ23С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11ag1-datasheets-2617.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В Макс. | 50 мА | 50 мА | 30В | 50% при 1 мА | 5 мкс, 5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11A23SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2581АЛ1-А | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Нет | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | Транзистор | 30 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 70В | 30 мА | 1,2 В | 3 мкс 5 мкс | 30 мА | 30 мА | 70В | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А817Б300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 1 | 4-ДИП | 70В | 50 мА | 1,5 В | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 70В | 50 мА | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||
| H11AA4300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1-datasheets-2307.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мА | 30В | 100% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11AA3300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1-datasheets-2307.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мА | 30В | 50% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11A817DW | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 4-ДИП | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 300% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11A817D3SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 300% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ |
