Фотоэлектрические оптоизоляторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Тип входа Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Без свинца Количество контактов Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь соответствия кода Максимальная рассеиваемая мощность Количество вариантов Рассеяние активности Количество элементов Поставщик пакета оборудования Выходное напряжение Прямой ток Прямое напряжение Тип выхода Максимальный входной ток Тип оптоэлектронного устройства Прямой ток-макс. Конфигурация Напряжение – изоляция Обратное напряжение проба Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Время подъема/спада (типичное) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Выходной ток на канале Текущий коэффициент передачи Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. Ток — выход/канал Напряжение - Выход (Макс.) Темный ток-Макс. Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.)
H11A2W H11A2W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) 1 6-ДИП Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 20% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A5S Х11А5С ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ неизвестный 1 1 Транзистор с базой Транзисторный выход оптопара 0,06А ОДИНОКИЙ 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30% 30 В 30 В 50нА 30% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A4TM H11A4TM ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) 1 6-ДИП Транзистор с базой 7500Впк 1,18 В 60 мА 30 В 10% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A2300W H11A2300W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия /files/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) 1 6-ДИП Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 20% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
PS2561L2-1-E4-A PS2561L2-1-E4-A КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует RoHS 4-СМД, Крыло Чайки 150 мВт 1 4-СМД 80В Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 50 мА 1,17 В 3 мкс 5 мкс 80 мА 50 мА 50 мА 80В 80% при 5 мА 400% при 5 мА 300мВ
H11A1W H11A1W ОН Полупроводник 0,53 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) Без свинца 6 250мВт 1 6-ДИП 30 В Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 400мВ 1,18 В 100 мА 30 В 50% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A5300 H11A5300 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 1 6-ДИП Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 30% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
CNY17F3SD CNY17F3SD ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf 6-СМД, Крыло Чайки Без свинца 6 250мВт 1 250мВт 70В 100 мА Транзистор 5300 В (среднеквадратичное значение) 6В 400мВ 70В 50 мА 1,35 В 1 мкс 2 мкс 50 мА 100% при 10 мА 200% при 10 мА 2 мкс, 3 мкс 300мВ
H11A3300 H11A3300 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 1 6-ДИП Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 20% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A43S Х11А43С ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 1 6-СМД Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 10% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
CNY17F3W CNY17F3W ОН Полупроводник 0,52 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) Без свинца 6 250мВт 1 250мВт 1 6-ДИП 70В 100 мА 1,65 В Транзистор 5300 В (среднеквадратичное значение) 6В 400мВ 70В 50 мА 1,35 В 1 мкс 2 мкс 100 мА 50 мА 50 мА 70В 100% при 10 мА 200% при 10 мА 2 мкс, 3 мкс 300мВ
H11A5300W H11A5300W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) 1 6-ДИП Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 30% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A5W H11A5W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) 1 6-ДИП Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 30% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A13SD H11A13SD ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 1 6-СМД Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 50% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A1FM Х11А1ФМ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -40°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 1 6-СМД Транзистор с базой 7500Впк 1,18 В 60 мА 30 В 50% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A13S Х11А13С ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 1 6-СМД Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 50% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
PS2501L-1-E3-K-A ПС2501Л-1-Е3-КА КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 4-СМД, Крыло Чайки 4 1 4-СМД Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,17 В 3 мкс 5 мкс 80 мА 50 мА 80В 300% при 5 мА 600% при 5 мА 300мВ
PS2501L-1-E3-L-A PS2501L-1-E3-LA КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует RoHS 4-СМД, Крыло Чайки 4 150 мВт 1 1 4-СМД 80В 80 мА 1,4 В Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 6В 300мВ 300мВ 50 мА 1,17 В 3 мкс 5 мкс 80 мА 50 мА 50 мА 80В 200% при 5 мА 400% при 5 мА 300мВ
PS2581L2-W-A PS2581L2-WA КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 4-СМД, Крыло Чайки 4 Нет 150 мВт 1 4-СМД 80В Транзистор 1А 5000 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 50 мА 1,17 В 3 мкс 5 мкс 80 мА 50 мА 50 мА 80В 130% при 5 мА 260% при 5 мА 300мВ
PS2701-1-K-A ПС2701-1-КА КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 4-СМД, Крыло Чайки Нет 150 мВт 1 4-СМД 40В Транзистор 1А 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 80 мА 1,1 В 3 мкс 5 мкс 50 мА 80 мА 80 мА 40В 50% при 5 мА 300% при 5 мА 300мВ
PS2501AL-1-L-A PS2501AL-1-LA КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 4-СМД, Крыло Чайки 4 Нет 150 мВт 1 150 мВт 1 4-СМД 70В 30 мА 1,4 В Транзистор 500 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 6В 300мВ 300мВ 30 мА 1,2 В 3 мкс 5 мкс 30 мА 30 мА 30 мА 70В 200% при 5 мА 400% при 5 мА 300мВ
PS2562L-1-V-E3-A PS2562L-1-V-E3-A КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 4-СМД, Крыло Чайки 4 1 4-СМД Дарлингтон 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,17 В 100 мкс 100 мкс 80 мА 200 мА 40В 200% при 1 мА 1В
H11A2S H11A2S ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ неизвестный 1 1 Транзистор с базой Транзисторный выход оптопара 0,06А ОДИНОКИЙ 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 20% 30 В 30 В 50нА 20% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A2SD H11A2SD ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 1 6-СМД Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 20% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
CNY17F3300W CNY17F3300W ОН Полупроводник 0,63 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) Без свинца 6 250мВт 1 6-ДИП 70В Транзистор 5300 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 300мВ 50 мА 1,35 В 1 мкс 2 мкс 100 мА 50 мА 50 мА 70В 100% при 10 мА 200% при 10 мА 2 мкс, 3 мкс 300мВ
H11A1S H11A1S ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия /files/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 1 6-СМД Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 50% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
PS2561L-1-V-E3-H-A PS2561L-1-V-E3-HA КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps2561l2-datasheets-2529.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 4 150 мВт 1 4-СМД 80В Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 50 мА 1,17 В 3 мкс 5 мкс 80 мА 50 мА 50 мА 80В 80% при 5 мА 160% при 5 мА 300мВ
H11A2300 H11A2300 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 1 6-ДИП Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 20% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
PS2701-1-V-A ПС2701-1-ВА КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 4-СМД, Крыло Чайки Нет 150 мВт 1 40В Транзистор 1А 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 80 мА 1,1 В 3 мкс 5 мкс 50 мА 80 мА 50% при 5 мА 300% при 5 мА
H11A4300 H11A4300 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 1 6-ДИП Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 10% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)