Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Радиационная закалка | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Количество цепей | Поставщик пакета оборудования | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Время подъема | Осень (тип.) | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| H11AA33SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1-datasheets-2307.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мА | 30 В | 50% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2701-1-V-F3-HA | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | Нет | 150 мВт | 1 | 4-СМД | 40В | Транзистор | 1А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 80 мА | 1,1 В | 3 мкс 5 мкс | 50 мА | 80 мА | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||
| Х11АА2300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1-datasheets-2307.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11A817DS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 300% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А817С300 | ОН Полупроводник | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 4-ДИП | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2565Л1-1-ВА | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 2 | 4-ДИП | 80 мА | 1,4 В | Транзистор | 1А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 80В | 50 мА | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 80В | 80% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||
| Х11А4СВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впк | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А4СР2М | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впк | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| H11A817SD | ОН Полупроводник | $5,90 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F2W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А817С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| H11A817C3SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| 17F4300 юаней | ОН Полупроводник | 0,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 6 | 250мВт | 1 | 70В | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 300мВ | 50 мА | 1,35 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||
| CNY17F43SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | /files/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||
| H11A53SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 30% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А817300 | ОН Полупроводник | 0,85 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 1 | 4-ДИП | 70В | 50 мА | 1,5 В | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 70В | 50 мА | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||
| H11AA2SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1-datasheets-2307.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А817А300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 4-ДИП | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| H11A1TM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1vm-datasheets-5979.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 6 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | 150 мВт | 1 | 250мВт | 1 | 1 | 6-ДИП | 30 В | 60 мА | 1,5 В | Транзистор с базой | 2 мкс | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 30 В | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 50% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 400мВ | |||||||||||||
| Х11А4ФВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впк | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А1ФР2ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впк | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 50% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А817А3СД | ОН Полупроводник | 0,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АА3С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1-datasheets-2307.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мА | 30 В | 50% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2525L-1-E3-A | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | 80В | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,3 В | 3 мкс 5 мкс | 150 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 20% при 100 мА | 80% при 100 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||
| Х11АА13СД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1-datasheets-2307.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F3S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 1 | 6-СМД | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||
| Х11А817Б3С | ОН Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | 200мВт | 200мВт | 1 | 70В | 50 мА | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 70В | 50 мА | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | |||||||||||||||||
| H11A817BW | ОН Полупроводник | 0,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 4 | 200мВт | 1 | 1 | 4-ДИП | 70В | Транзистор | 2,4 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||
| H11A817AW | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 4-ДИП | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| 17 юаней 4300 Вт | ОН Полупроводник | 0,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 6 | 250мВт | 1 | 70В | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 300мВ | 50 мА | 1,35 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс |
