Фотоэлектрические оптоизоляторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Тип входа Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Без свинца Количество контактов Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь соответствия кода Максимальная рассеиваемая мощность Количество вариантов Рассеяние активности Количество элементов Количество цепей Поставщик пакета оборудования Выходное напряжение Прямой ток Прямое напряжение Тип выхода Максимальный входной ток Тип оптоэлектронного устройства Прямой ток-макс. Время подъема Осень (тип.) Конфигурация Напряжение – изоляция Обратное напряжение проба Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Время подъема/спада (типичное) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Выходной ток на канале Текущий коэффициент передачи Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. Ток — выход/канал Напряжение - Выход (Макс.) Темный ток-Макс. Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.)
PS2701-1-V-F3-A PS2701-1-V-F3-A КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 4-СМД, Крыло Чайки 4 Нет 150 мВт 1 150 мВт 1 4-СМД 50 мА 1,4 В Транзистор 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 40В 80 мА 1,1 В 3 мкс 5 мкс 50 мА 80 мА 40В 50% при 5 мА 300% при 5 мА 300мВ
PS2501L-1-E3-D-A PS2501L-1-E3-DA КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует RoHS 4-СМД, Крыло Чайки 4 150 мВт 1 4-СМД 80В Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 50 мА 1,17 В 3 мкс 5 мкс 80 мА 50 мА 50 мА 80В 100% при 5 мА 300% при 5 мА 300мВ
H11A3W H11A3W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) 1 6-ДИП Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 20% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A4 H11A4 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия 2003 г. /files/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ неизвестный 1 1 Транзистор с базой Транзисторный выход оптопара 0,06А ОДИНОКИЙ 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 10% 30 В 30 В 50нА 10% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A817BS H11A817BS ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 1 4-СМД Транзистор 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 2,4 мкс 2,4 мкс 50 мА 50 мА 70В 130% при 5 мА 260% при 5 мА 200 мВ
H11A8173S Х11А8173С ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf 4-СМД, Крыло Чайки Без свинца 200мВт 1 70В Транзистор 2,4 мкс 5300 В (среднеквадратичное значение) 200 мВ 200 мВ 50 мА 1,2 В 2,4 мкс 2,4 мкс 50 мА 50% при 5 мА 600% при 5 мА
PS2701-1-F3-Y-A ПС2701-1-Ф3-Я КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 4-СМД, Крыло Чайки Нет 150 мВт 1 4-СМД 40В Транзистор 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 80 мА 1,1 В 3 мкс 5 мкс 50 мА 80 мА 80 мА 40В 50% при 5 мА 300% при 5 мА 300мВ
H11A1300W H11A1300W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) 1 6-ДИП Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 50% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
CNY17F43S 17 юаней 43S ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 1 6-СМД Транзистор 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,35 В 1 мкс 2 мкс 100 мА 50 мА 70В 160% при 10 мА 320% при 10 мА 2 мкс, 3 мкс 300мВ
H11A4SM Х11А4СМ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -40°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 1 6-СМД Транзистор с базой 7500Впик 1,18 В 60 мА 30 В 10% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
CNY17F4300W 17 юаней 4300 Вт ОН Полупроводник 0,30 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) Без свинца 6 250мВт 1 70В Транзистор 5300 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 300мВ 50 мА 1,35 В 1 мкс 2 мкс 100 мА 50 мА 160% при 10 мА 320% при 10 мА 2 мкс, 3 мкс
H11A817ASD H11A817ASD ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 1 4-СМД Транзистор 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 2,4 мкс 2,4 мкс 50 мА 50 мА 70В 80% при 5 мА 160% при 5 мА 200 мВ
H11A1FVM Х11А1ФВМ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -40°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 1 6-СМД Транзистор с базой 7500Впик 1,18 В 60 мА 30 В 50% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A817AS Х11А817АС ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf 4-СМД, Крыло Чайки Без свинца 4 200мВт 200мВт 1 70В 50 мА Транзистор 18 мкс 18 мкс 5300 В (среднеквадратичное значение) 200 мВ 70В 50 мА 1,2 В 2,4 мкс 2,4 мкс 50 мА 80% при 5 мА 160% при 5 мА
H11A4W H11A4W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) 1 6-ДИП Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 10% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A5SD H11A5SD ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 1 6-СМД Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 30% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A3S Х11А3С ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки Без свинца ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ неизвестный 250мВт 1 1 30 В Транзистор с базой Транзисторный выход оптопара 0,06А ОДИНОКИЙ 5300 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 400мВ 1,18 В 100 мА 20% 50нА 20% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс
PS2566-1-V-A ПС2566-1-ВА КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) переменный ток, постоянный ток 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) 1 4-ДИП Дарлингтон 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,17 В 100 мкс 100 мкс 80 мА 200 мА 40В 200% при 1 мА
CNY17F33S CNY17F33S ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 1 6-СМД Транзистор 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,35 В 1 мкс 2 мкс 100 мА 50 мА 70В 100% при 10 мА 200% при 10 мА 2 мкс, 3 мкс 300мВ
H11A817CSD H11A817CSD ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf 4-СМД, Крыло Чайки Без свинца 200мВт 1 1 4-СМД 70В Транзистор 2,4 мкс 5300 В (среднеквадратичное значение) 200 мВ 200 мВ 50 мА 1,2 В 2,4 мкс 2,4 мкс 50 мА 50 мА 50 мА 70В 200% при 5 мА 400% при 5 мА 200 мВ
H11A4FR2M Х11А4ФР2М ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -40°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия 6-СМД, Крыло Чайки 1 6-СМД Транзистор с базой 7500Впик 1,18 В 60 мА 30 В 10% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A4300W H11A4300W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) 1 6-ДИП Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 10% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A13S Х11А13С ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 1 6-СМД Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 50% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A1FM Х11А1ФМ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -40°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 1 6-СМД Транзистор с базой 7500Впик 1,18 В 60 мА 30 В 50% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A33S Х11А33С ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 1 6-СМД Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 20% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A3300W H11A3300W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) 1 6-ДИП Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 20% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A4FM H11A4FM ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -40°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a4fm-datasheets-0968.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 1 6-СМД Транзистор с базой 7500Впик 1,18 В 60 мА 30 В 10% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
H11A4S Х11А4С ОН Полупроводник 0,73 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки Без свинца ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ неизвестный 250мВт 1 1 30 В Транзистор с базой Транзисторный выход оптопара 0,06А ОДИНОКИЙ 5300 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 400мВ 1,18 В 100 мА 10% 50нА 10% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс
H11A4VM Х11А4ВМ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 1 6-ДИП Транзистор с базой 7500Впик 1,18 В 60 мА 30 В 10% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 400мВ
CNY17F4SD CNY17F4SD ОН Полупроводник 0,35 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf 6-СМД, Крыло Чайки Без свинца 6 250мВт 1 250мВт 70В 100 мА Транзистор 5300 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 70В 50 мА 1,35 В 1 мкс 2 мкс 50 мА 160% при 10 мА 320% при 10 мА 2 мкс, 3 мкс 300мВ

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.