Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешетка полупроводниковая(8880)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Архитектура | Количество выходов | Количество программируемых входов/выходов | Количество входов | Тактовая частота | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Программируемый тип | Количество выделенных входов | Количество условий продукта | JTAG BST | Источник напряжения — внутренний | Время задержки tpd(1) Макс. | Количество логических элементов/блоков |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| М4А3-32/32-7ВИ48 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | 48 | 3,6 В | 3В | нет | EAR99 | ДА | 125 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | М4А3-32 | 48 | 30 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | S-PQFP-G48 | 32 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 224 | 1250 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 7,5 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4032ZE-4MN64C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000ZE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 500 МГц | 50 мкА | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4032ze7tn48c-datasheets-8771.pdf | 64-ТФБГА, КСПБГА | 5 мм | 5 мм | 1,8 В | Без свинца | 64 | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | 64 | EAR99 | ДА | не_совместимо | 50 мкА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 0,5 мм | LC4032 | 64 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 32 | ЭСППЗУ | 4,4 нс | 32 | МАКРОКЛЕТКА | 2 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,7 В~1,9 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064ZC-75MN56C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000Z | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 80 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 56-ЛФБГА, КСПБГА | 6 мм | 6 мм | 1,8 В | Без свинца | 56 | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | 56 | да | EAR99 | ДА | Нет | 80 мкА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4064 | 56 | 40 | Программируемые логические устройства | 32 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 484 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 12 | ДА | 1,7 В~1,9 В | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064ZC-75TN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000Z | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | КМОП | 178,57 МГц | 80 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 100-LQFP | 1,8 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 657,000198мг | Нет СВХК | 1,9 В | 1,7 В | 100 | да | EAR99 | ДА | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4064 | 100 | 30 | Программируемые логические устройства | 64 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 10 | ДА | 1,7 В~1,9 В | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064ZC-5MN56C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000Z | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 80 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 56-ЛФБГА, КСПБГА | 6 мм | 6 мм | 1,8 В | Без свинца | 56 | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | да | EAR99 | ДА | 250 МГц | не_совместимо | 80 мкА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4064 | 56 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б56 | 32 | ЭСППЗУ | 5 нс | 484 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 4 | В системном программировании | 12 | ДА | 1,7 В~1,9 В | 5нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| М4А3-64/32-7ВНЦ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 3,6 В | 3В | 44 | да | EAR99 | ДА | 125 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | М4А3-64 | 44 | 30 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 32 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 160 | 2500 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4128ZC-75MN132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000Z | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 168 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 1,8 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | 132 | да | EAR99 | ДА | Нет | 168 мкА | е1 | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4128 | 132 | 40 | Программируемые логические устройства | 96 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 680 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,7 В~1,9 В | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А3-64/64-7ВНИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 3,6 В | 3В | да | EAR99 | ДА | 125 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | М4А3-64 | 100 | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | S-PQFP-G100 | 64 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 160 | 2500 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 7,5 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256ZE-7MN144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000ZE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 200 МГц | 341 мкА | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4032ze7tn48c-datasheets-8771.pdf | 144-ТФБГА, КСПБГА | 7 мм | 7 мм | 1,8 В | Без свинца | 144 | 8 недель | Нет СВХК | 1,9 В | 1,7 В | 144 | EAR99 | ДА | Нет | 8542.39.00.01 | 341 мкА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 0,5 мм | LC4256 | 144 | Программируемые логические устройства | 108 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 16 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,7 В~1,9 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А5-64/32-55ВНЦ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 5В | Без свинца | 44 | 10 недель | 5,25 В | 4,75 В | да | EAR99 | ДА | 167 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,8 мм | М4А5-64 | 44 | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G44 | 32 | ЭСППЗУ | 5,5 нс | 256 | 2500 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 4,75 В~5,25 В | 5,5 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LA4128V-75TN100E | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЛА-испМАХ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 168 МГц | 12 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-la4032zc75tn48e-datasheets-5352.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | Без свинца | 100 | 8 недель | 3,6 В | 3В | 100 | да | EAR99 | ДА | 12 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | LA4128 | 100 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 64 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 8 | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4128V-5TN100I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 227,27 МГц | 12 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 3,6 В | 3В | 100 | да | EAR99 | ДА | Нет | 12 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | LC4128 | 100 | 30 | Программируемые логические устройства | 64 | ЭСППЗУ | 5 нс | 5 нс | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 540 | В системном программировании | 10 | ДА | 3В~3,6В | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LAMXO2280E-3FTN324E | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LA-MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lamxo256c3tn100e-datasheets-9604.pdf | 324-ЛБГА | 19 мм | 19 мм | 1,2 В | Без свинца | 324 | 8 недель | 1,26 В | 1,14 В | 324 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 20 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | ЛАМСО2280 | 324 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 271 | СРАМ | 5,1 нс | 271 | 25 МГц | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | 285 | В системном программировании | 1,14 В~1,26 В | 5,1 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 1048E-90LQN | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 1000E | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi1048e90ltn-datasheets-2328.pdf | 128-БКФП | 28 мм | 28 мм | 128 | 8 недель | да | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 5В | 0,8 мм | ИСПЛСИ 1048 | 128 | 5,25 В | 4,75 В | 40 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G128 | 96 | 12,5 нс | 71 МГц | 8000 | 192 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 8 | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 10 нс | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А3-128/64-7ВНЦ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | 100 | 11 недель | 3,6 В | 3В | 100 | да | EAR99 | ДА | 125 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | М4А3-128 | 100 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 64 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 224 | 5000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 2 | ДА | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064B-75TN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000B | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12 мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 100-LQFP | 2,5 В | Без свинца | 100 | 2,7 В | 2,3 В | 100 | да | EAR99 | ДА | 400 МГц | 12 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LC4064 | 100 | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 64 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 208 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 10 | ДА | 2,3 В~2,7 В | 7,5 нс | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4128B-5TN128I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000B | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 227,27 МГц | 12 мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 128-LQFP | 14 мм | 14 мм | 2,5 В | Без свинца | 128 | 2,7 В | 2,3 В | да | EAR99 | ДА | Нет | 12 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,4 мм | LC4128 | 128 | Программируемые логические устройства | 92 | ЭСППЗУ | 5 нс | 5 нс | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 2,3 В~2,7 В | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4128B-75TN128I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000B | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12 мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 128-LQFP | 14 мм | 14 мм | 2,5 В | Без свинца | 128 | 2,7 В | 2,3 В | да | EAR99 | ДА | 333 МГц | 12 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,4 мм | LC4128 | 128 | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 92 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 484 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 8 | В системном программировании | 4 | ДА | 2,3 В~2,7 В | 7,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4128C-27TN128C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 128-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,8 В | Без свинца | 128 | 1,95 В | 1,65 В | да | EAR99 | ДА | 333 МГц | 2мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,4 мм | LC4128 | 128 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 92 | ЭСППЗУ | 2,7 нс | 484 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 2,7 нс | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4512B-75TN176I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000B | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 14 мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 176-LQFP | 24 мм | 24 мм | 2,5 В | Без свинца | 176 | 2,7 В | 2,3 В | 176 | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 14 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LC4512 | 176 | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 128 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 100 | 512 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | ДА | 2,3 В~2,7 В | 7,5 нс | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256C-3TN176C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,5 мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 176-LQFP | 24 мм | 24 мм | 1,8 В | Без свинца | 176 | 1,95 В | 1,65 В | 176 | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 2,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4256 | 176 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 128 | ЭСППЗУ | 3 нс | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 16 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 3нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4512B-5FTN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000B | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 227,27 МГц | 14 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 2,5 В | Без свинца | 256 | 2,7 В | 2,3 В | 256 | да | EAR99 | ДА | Нет | 8542.39.00.01 | 14 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 1 мм | LC4512 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | 208 | ЭСППЗУ | 5 нс | 5 нс | 512 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 2,3 В~2,7 В | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC5512MV-75FN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispXPLD® 5000МВ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 200 МГц | 33 мА | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc5512mc75q208c-datasheets-2433.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 3,6 В | 3В | 256 | да | EAR99 | ДА | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 3,3 В | 1 мм | LC5512 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | 193 | ЭСППЗУ, ОЗУ | 32 КБ | 7,5 нс | 7,5 нс | 512 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4512C-5FTN256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 4мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 1,8 В | Без свинца | 1,95 В | 1,65 В | 256 | да | EAR99 | 227,27 МГц | 8542.39.00.01 | 4мА | LC4512 | 256 | 208 | ЭСППЗУ | 512 | В системном программировании | 1,65 В~1,95 В | 5нс | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC5256MB-75FN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispXPLD® 5000 МБ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 26 мА | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc5512mc75q208c-datasheets-2433.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Без свинца | 256 | 2,7 В | 2,3 В | 208 | да | EAR99 | ДА | 300 МГц | 26 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 2,5 В | 1 мм | LC5256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 141 | ЭСППЗУ, ОЗУ | 9,5 нс | 100 | 75000 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 2,3 В~2,7 В | 7,5 нс | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ22В10Д-25QJN | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®22В10 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~75°C ТА | Поднос | 1 (без ограничений) | КМОП | 38,5 МГц | 4,572 мм | Соответствует RoHS | 1996 год | /files/latticesemiconductorcorporation-gal22v10d15qp-datasheets-1713.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 11,5062 мм | 11,5062 мм | 5В | Без свинца | 55 мА | 28 | Нет СВХК | 5,25 В | 4,75 В | 28 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | 55 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 5В | 1,27 мм | ГАЛ22В10 | 28 | 40 | Программируемые логические устройства | 5В | 10 | 25 нс | 25 нс | PAL-ТИП | 10 | 22 | 10 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 11 | 132 | 4,75 В~5,25 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256C-3TN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,5 мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,8 В | Без свинца | 100 | 1,95 В | 1,65 В | 100 | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 2,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4256 | 100 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 64 | ЭСППЗУ | 3 нс | 176 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 10 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 3нс | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 1032-60ЛТ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 1000 | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi103260lti-datasheets-2726.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 100 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 1032 | 100 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G100 | 64 | 25 нс | 38 МГц | 6000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 20нс | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4512C-10TN176I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 125 МГц | 4мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 176-LQFP | 24 мм | 24 мм | 1,8 В | Без свинца | 176 | 1,95 В | 1,65 В | 176 | да | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | 4мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4512 | 176 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 128 | ЭСППЗУ | 10 нс | 48 | 512 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LC51024MV-75FN484I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispXPLD® 5000МВ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 200 МГц | 75 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc5512mc75q208c-datasheets-2433.pdf | 484-ББГА | 3,3 В | Без свинца | 3,6 В | 3В | 484 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | 75 мА | LC51024 | 484 | 88КБ | 317 | ЭСППЗУ, ОЗУ | 64КБ | 7,5 нс | 7,5 нс | 48 | 1024 | 32 | В системном программировании | 3В~3,6В |
