Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешетка полупроводниковая(8880)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Количество входов/выходов | Тип памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Архитектура | Количество выходов | Количество программируемых входов/выходов | Количество входов | Тактовая частота | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Программируемый тип | Количество выделенных входов | Количество условий продукта | JTAG BST | Источник напряжения — внутренний | Время задержки tpd(1) Макс. | Количество логических элементов/блоков |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| М4А3-64/32-7ДЖИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 44-LCC (J-вывод) | 3,3 В | Без свинца | 3,6 В | 3В | 44 | нет | EAR99 | Нет | 125 МГц | 8542.39.00.01 | М4А3-64 | 44 | 32 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 160 | 2500 | 64 | В системном программировании | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А3-64/64-55ВК | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 44-TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 3,6 В | 3В | нет | EAR99 | ДА | 167 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | М4А3-64 | 100 | 30 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | S-PQFP-G100 | 64 | ЭСППЗУ | 5,5 нс | 97 | 2500 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 5,5 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LC4032ZC-75TN48E | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000Z | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~130°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 50 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 1,8 В | Без свинца | 48 | 8 недель | 1,9 В | 1,6 В | 48 | да | EAR99 | ДА | 50 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4032 | 48 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 32 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 208 | 800 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | 2 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,7 В~1,9 В | ||||||||||||||||||||||||||
| LC4032ZC-75MN56C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000Z | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 50 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 56-ЛФБГА, КСПБГА | 6 мм | 6 мм | 1,8 В | Без свинца | 56 | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | 48 | да | EAR99 | ДА | не_совместимо | 50 мкА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4032 | 56 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б56 | 32 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 208 | 800 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,7 В~1,9 В | 2 | ||||||||||||||||||||||
| LC4064ZE-5TN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000ZE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 277,78 МГц | 80 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4032ze7tn48c-datasheets-8771.pdf | 100-LQFP | 1,8 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 657,000198мг | 1,9 В | 1,7 В | 100 | EAR99 | ДА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,8 В | 0,5 мм | LC4064 | 100 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 64 | ЭСППЗУ | 5,8 нс | 5,8 нс | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 4 | В системном программировании | 10 | ДА | 1,7 В~1,9 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А5-32/32-12ВНИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 44 | 12 недель | да | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,8 мм | М4А5-32 | 44 | 5,5 В | 4,5 В | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G44 | 32 | 12 нс | 52,6 МГц | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 4,5 В~5,5 В | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064ZC-5TN48I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000Z | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 250 МГц | 80 мкА | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 1,8 В | Без свинца | 48 | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | 48 | да | EAR99 | ДА | Нет | 80 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4064 | 48 | 40 | Программируемые логические устройства | 32 | ЭСППЗУ | 5 нс | 5 нс | 484 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,7 В~1,9 В | 4 | ||||||||||||||||||||||||
| LA4064ZC-75TN48E | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЛА-испМАХ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 109 мкА | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-la4032zc75tn48e-datasheets-5352.pdf | 48-TQFP | 7 мм | 7 мм | Без свинца | 48 | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | 48 | да | EAR99 | ДА | 168 МГц | 109 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | LA4064 | 48 | 40 | Программируемые логические устройства | 1,8 В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 32 | ЭСППЗУ | 8 нс | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 4 | В системном программировании | ДА | 1,7 В~1,9 В | 7,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| LC4064ZE-7TCN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000ZE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2мА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4032ze7tn48c-datasheets-8771.pdf | 100-LQFP | 1,8 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | EAR99 | ДА | 241 МГц | 2мА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,8 В | 0,5 мм | LC4064 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 7,5 нс | 64 | В системном программировании | ДА | 1,7 В~1,9 В | 7,5 нс | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А5-32/32-7ВНИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 5В | Без свинца | 44 | 5,5 В | 4,5 В | 44 | да | EAR99 | ДА | 125 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,8 мм | М4А5-32 | 44 | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | 32 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 256 | 1250 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 4,5 В~5,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| LC4128ZC-75MN132I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000Z | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 168 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 1,8 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | 132 | да | EAR99 | ДА | Нет | 168 мкА | е1 | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4128 | 132 | 40 | Программируемые логические устройства | 96 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 680 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 540 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,7 В~1,9 В | 8 | |||||||||||||||||||||||||||
| LC4256ZC-45TN176C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000Z | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 277,78 МГц | 341 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 176-LQFP | 24 мм | 24 мм | 1,8 В | 176 | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | 176 | да | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | 341 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4256 | 176 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 128 | ЭСППЗУ | 4,5 нс | 44 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,7 В~1,9 В | 16 | |||||||||||||||||||||||||
| LC4128V-5TN144I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 227,27 МГц | 12 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 3,3 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 3,6 В | 3В | 144 | да | EAR99 | ДА | Нет | 12 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | LC4128 | 144 | 40 | Программируемые логические устройства | 96 | ЭСППЗУ | 5 нс | 5 нс | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 3В~3,6В | 8 | |||||||||||||||||||||||||
| LAMXO2280E-3FTN256E | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LA-MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lamxo256c3tn100e-datasheets-9604.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 1,26 В | 1,14 В | 256 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 20 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | ЛАМСО2280 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 211 | СРАМ | 5,1 нс | 211 | 25 МГц | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | 285 | В системном программировании | 1,14 В~1,26 В | ||||||||||||||||||||||||||
| LC4256V-75TN144I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 12,5 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 3,3 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 3,6 В | 3В | 144 | да | EAR99 | ДА | Нет | 8542.39.00.01 | 12,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | LC4256 | 144 | 40 | Программируемые логические устройства | 96 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 48 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 3В~3,6В | 16 | |||||||||||||||||||||||
| М4А3-256/128-12ЙНИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 208 | 10 недель | 3,6 В | 3В | да | EAR99 | ДА | 182 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 3,3 В | 0,5 мм | М4А3-256 | 208 | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G208 | 128 | ЭСППЗУ | 12 нс | 10000 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 14 | ДА | 3В~3,6В | 12нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064C-75TN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 2мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 100-LQFP | 1,8 В | Без свинца | 100 | 1,95 В | 1,65 В | 100 | да | EAR99 | ДА | Нет | 2мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4064 | 100 | 40 | Программируемые логические устройства | 64 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 7,5 нс | 272 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 32 | В системном программировании | 10 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 4 | |||||||||||||||||||||||||||
| LC4256B-3TN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000B | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12,5 мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 2,5 В | Без свинца | 100 | 2,7 В | 2,3 В | 100 | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 12,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LC4256 | 100 | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 64 | ЭСППЗУ | 3 нс | 680 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 10 | ДА | 2,3 В~2,7 В | 3нс | 16 | |||||||||||||||||||||||||
| LC4128C-75TN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 2мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,8 В | Без свинца | 100 | 657,000198мг | 1,95 В | 1,65 В | 100 | да | EAR99 | ДА | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4128 | 100 | 40 | Программируемые логические устройства | 64 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 2,7 нс | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 10 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 8 | ||||||||||||||||||||||||||
| LC4256B-10FTN256BI | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000B | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12,5 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 2,5 В | Без свинца | 256 | 2,7 В | 2,3 В | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 12,5 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 1 мм | LC4256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 160 | ЭСППЗУ | 10 нс | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 16 | В системном программировании | 4 | ДА | 2,3 В~2,7 В | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256C-5FTN256BC | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 227,27 МГц | 2,5 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 1,8 В | Без свинца | 256 | 1,95 В | 1,65 В | да | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | 2,5 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 1 мм | LC4256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 160 | ЭСППЗУ | 5 нс | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 16 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,65 В~1,95 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4384C-10FTN256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,5 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 1,8 В | Без свинца | 256 | 1,95 В | 1,65 В | 256 | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 3,5 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 1 мм | LC4384 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 192 | ЭСППЗУ | 10 нс | 384 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 10 нс | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256C-5TN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,5 мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,8 В | Без свинца | 100 | 1,95 В | 1,65 В | 100 | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 2,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4256 | 100 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 64 | ЭСППЗУ | 5 нс | 160 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 10 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 5нс | 16 | |||||||||||||||||||||||||
| LC5512MB-75FN256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispXPLD® 5000 МБ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 33 мА | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc5512mc75q208c-datasheets-2433.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Без свинца | 256 | 2,7 В | 2,3 В | 256 | да | EAR99 | ДА | 275 МГц | 8542.39.00.01 | 33 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 2,5 В | 1 мм | LC5512 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 193 | ЭСППЗУ, ОЗУ | 9,5 нс | 512 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 2,3 В~2,7 В | 7,5 нс | 16 | |||||||||||||||||||||||||||
| LC5256MB-5FN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispXPLD® 5000 МБ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 26 мА | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc5512mc75q208c-datasheets-2433.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Без свинца | 256 | 2,7 В | 2,3 В | да | EAR99 | ДА | 300 МГц | 26 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 2,5 В | 1 мм | LC5256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 141 | ЭСППЗУ, ОЗУ | 6 нс | 48 | 75000 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 8 | В системном программировании | ДА | 2,3 В~2,7 В | 5нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LC4256C-5TN176I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,5 мА | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 176-LQFP | 24 мм | 24 мм | 1,8 В | Без свинца | 176 | 1,95 В | 1,65 В | 176 | да | EAR99 | ДА | 322 МГц | 8542.39.00.01 | 2,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4256 | 176 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 128 | ЭСППЗУ | 5 нс | 100 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 5нс | 16 | |||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 1032Э-70ЛТ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 1000E | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi1032e100lt-datasheets-1775.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 100 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 1032 | 100 | 5,5 В | 4,5 В | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G100 | 64 | 17,5 нс | 56 МГц | 6000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 2 | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 15 нс | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГАЛ22В10АБ-75ЛНИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispGAL™22V10 | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-ispgal22v10av23ln-datasheets-2694.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 240 | 2,5 В | 0,5 мм | ИСПГАЛ22В10А | 32 | 2,7 В | 2,3 В | 30 | Программируемые логические устройства | 2,5 В | Не квалифицирован | S-XQCC-N32 | 10 | 7,5 нс | PAL-ТИП | 10 | 22 | 10 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 11 | 132 | 2,3 В~2,7 В | 7,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4512C-10FTN256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 4мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 1,8 В | Без свинца | 1,95 В | 1,65 В | 256 | да | EAR99 | 125 МГц | 8542.39.00.01 | 4мА | LC4512 | 256 | 208 | ЭСППЗУ | 512 | В системном программировании | 1,65 В~1,95 В | 10 нс | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 1016-60ЛТ44И | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 1000 | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi101690lt44-datasheets-2733.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 44 | нет | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | е0 | Оловянный свинец | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | ИСПЛСИ 1016 | 44 | 5,5 В | 4,5 В | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G44 | 32 | 25 нс | 38 МГц | 2000 г. | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 1 | НЕТ | 4,5 В~5,5 В | 20нс | 16 |
