Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешетка полупроводниковая(8880)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Плотность | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Количество выходов | Количество регистров | Количество входов | Тактовая частота | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Количество выделенных входов | Всего бит ОЗУ | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LCMXO640C-3MN132I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 420 МГц | 17 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 132 | 8 недель | Нет СВХК | 132 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO640 | 132 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 101 | СРАМ | 0Б | 4,9 нс | 4,9 нс | 101 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | ||||||||||||||||||||
| LFE3-35EA-7FN484I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 18 мА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | EAR99 | Нет | 420 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-35 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 174,4 КБ | 295 | 165,9 КБ | 295 | 33000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1358848 | 4125 | 0,335 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640HC-4MG132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 269 МГц | 1,84 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 2,5 В | Без свинца | 132 | 8 недель | Нет СВХК | 132 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-640 | 132 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | 5,9 КБ | 79 | ВСПЫШКА | 2,3 КБ | 7,24 нс | 80 | 320 | СМЕШАННЫЙ | 640 | 640 | 18432 | 80 | ||||||||||||||||||||||
| LCMXO256C-4MN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 13 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 550 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 13 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO256 | 100 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 256Б | 78 | СРАМ | 0Б | 4,2 нс | 4,2 нс | 78 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 256 | ФЛЕШ ПЛД | 256 | 7 | 32 | |||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-2100E-6MG121I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 121-ВФБГА | 6 мм | 6 мм | Без свинца | 121 | 8 недель | 121 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 100 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640UHC-5TG144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 28 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 2,5 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,375 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-640 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 16,6 КБ | 107 | 108 | 320 | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 640 | 65536 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-3MN132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 14 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | да | EAR99 | 500 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 14 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO640 | 132 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 101 | СРАМ | 4,9 нс | 101 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200HC-5TG144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 56 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 2,5 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | Нет | 323 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,375 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-1200 | 144 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | 17,3 КБ | 107 | ВСПЫШКА | 8 КБ | 108 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-5MN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 17 мА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 600 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 17 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO640 | 100 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 74 | СРАМ | 0Б | 3,5 нс | 74 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HC-5TG100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 100-LQFP | 2,5 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | Матовый олово (Sn) | 2,375 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 21,3 КБ | 79 | 80 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000ZE-2MG132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 128 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-4000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б132 | 27,8 КБ | 104 | 105 | 105 | 2160 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HC-5TG144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 2,5 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,375 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 144 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 21,3 КБ | 111 | 112 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000ZE-3MG132I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б132 | 21,3 КБ | 104 | 105 | 105 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-17EA-6LFTN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 256 | 8 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-17 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,2 В | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 133 | 133 | 133 | 375 МГц | 17000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 716800 | 2125 | 0,379 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LP1K-CM49TR | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40™ LP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-ice40hx8kcm225-datasheets-4039.pdf | 49-ВФБГА | 3 мм | 3 мм | 49 | 8 недель | 49 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | 35 | 8 КБ | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LM4K-SWG25TR | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40™ ЛМ | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 0,615 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-ice40lm4kcm49tr1k-datasheets-5836.pdf | 25-XFBGA, WLCSP | 2,546 мм | 2,492 мм | 1,2 В | 25 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,4 мм | ICE40LM4K | Р-ПБГА-Б25 | 18 | 10 КБ | 3520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 440 | 81920 | 440 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-256HC-5TG100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 18 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 323 МГц | 8542.39.00.01 | Матовый олово (Sn) | 2,375 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 256Б | 55 | ВСПЫШКА | 0Б | 56 | 128 | 256 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 256 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-7000HC-6FTG256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 189 мкА | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | 388 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 1 мм | LCMXO2-7000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 68,8 КБ | 206 | ВСПЫШКА | 30 КБ | 207 | 3432 | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 245760 | 858 | |||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000UHE-5FG484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | да | EAR99 | 133 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 25,5 КБ | 278 | 279 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000ZE-1FG484I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 104 МГц | 128 мкА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | Нет СВХК | 484 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | LCMXO2-4000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 27,8 КБ | 278 | 10,21 нс | 279 | 2160 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280E-4TN144I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 20 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | 550 МГц | 8542.39.00.01 | 20 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2280 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 113 | СРАМ | 4,4 нс | 113 | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 28262 | 285 | ||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280E-4FTN324C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 20 мА | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 324-ЛБГА | 19 мм | 19 мм | 1,2 В | Без свинца | 324 | 8 недель | 324 | да | EAR99 | Нет | 550 МГц | 8542.39.00.01 | 20 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | LCMXO2280 | 324 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 271 | СРАМ | 4,4 нс | 4,4 нс | 271 | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 28262 | 285 | |||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-7000HE-4FG484I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 189 мкА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | да | EAR99 | 269 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | LCMXO2-7000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 68,8 КБ | 334 | 335 | 3432 | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 245760 | 858 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-20E-5FN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-20 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 39,8 КБ | 193 | 34,5 КБ | 193 | 311 МГц | 21000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 20000 | 282624 | 2625 | 0,358 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LP384-SG32 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40™ LP | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 21 мкА | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-ice40hx8kcm225-datasheets-4039.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 1,2 В | Без свинца | 32 | 8 недель | 32 | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | ICE40 | НЕ УКАЗАН | 21 | 384 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LP8K-CM121 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40™ LP | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-ice40hx8kcm225-datasheets-4039.pdf | 121-ВФБГА | 5 мм | 900 мкм | 5 мм | 1,2 В | Без свинца | 121 | 14 недель | 121 | 128 КБ | EAR99 | Нет | 533 МГц | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,4 мм | ICE40 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 16 КБ | 93 | 16 КБ | 93 | 7680 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 960 | 131072 | 960 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000HC-4TG144I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 269 МГц | 128 мкА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 1,4 мм | 20 мм | 2,5 В | Без свинца | 144 | 8 недель | Нет СВХК | 144 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,375 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-4000 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | 27,8 КБ | 114 | ВСПЫШКА | 11,5 КБ | 7,24 нс | 115 | 2160 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-30E-5FTN256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | LFXP2-30 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | 55,4 КБ | 201 | 48,4 КБ | 201 | 435 МГц | 29000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 396288 | 3625 | 0,494 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-17EA-6FTN256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 18 мА | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | Нет СВХК | 256 | да | EAR99 | Нет | 3,1 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-17 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 92 КБ | 133 | 87,5 КБ | 133 | 17000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 716800 | 2125 | 0,379 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-12E-5FN484I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-12 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 30,6 КБ | 297 | 27,6 КБ | 297 | 311 МГц | 12000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 226304 | 1500 | 0,358 нс |
