Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешетка полупроводниковая(8880)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Текущий - Поставка | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Приложения | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество каналов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Регулируемый порог | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания (Isup) | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Скорость передачи данных | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Напряжение — вход | Включить время задержки | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Задержка распространения | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Количество выходов | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Сторожевой таймер | Количество контролируемых напряжений | Граничное сканирование | Режим низкого энергопотребления | Тактовая частота | Организация | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Лицензия – сведения о пользователе | Тип доставки мультимедиа | Количество выделенных входов | Схема мультиплексора/демультиплексора | Напряжение питания, одиночное (В+) | Тип модуля/платы | Всего бит ОЗУ | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БПФ-КОМП-E2-U2 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/latticesemiconductorcorporation-fftcomppmut2-datasheets-4356.pdf | 1 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВФБ-Х2-У | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КОРДИК-X2-U1 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/latticesemiconductorcorporation-cordicxmut1-datasheets-4671.pdf | 1 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПФ-КОМП-X2-U2 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/latticesemiconductorcorporation-fftcomppmut2-datasheets-4356.pdf | 1 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСК-Э5-У | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | Непригодный | Соответствует ROHS3 | Проект | Электронная доставка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСППАК-POWR1014A-02T48I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испПАК® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 20 мА | 20 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 48-LQFP | Без свинца | 3,96 В | 2,8 В | 48 | Монитор электропитания, секвенсор | 2,8 В~3,96 В | ИСППАК-POWR1014A | 48-ТКФП (7х7) | -0,3 В~5,9 В | Нет | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСППАК-POWR1220AT8-01T100I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испПАК® | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 40 мА | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isppacpowr1220at802t100i-datasheets-1420.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 100 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Монитор электропитания, секвенсор | ДА | 2,8 В~3,96 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | ИСППАК-POWR1220AT8 | 100 | 3,96 В | 2,8 В | 12 | ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ | 30 | ДА | Схемы управления питанием | 2,5/53/3,3 В | 40 мА | Не квалифицирован | S-XQFP-G100 | -0,3 В~5,9 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LX64EV-5FN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispGDX2® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lx64ev3fn100c-datasheets-2609.pdf | 100-ЛБГА | 3,3 В | 100 | 100 | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | LX64 | 100 | 1 | 40 | 11 Гбит/с | 3,6 В | 3,3 В | Тройной | 3В | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ DSP, ТРЕСТОВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | ДА | НЕТ | 64:64 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LX256EV-5FN484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispGDX2® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lx64ev3fn100c-datasheets-2609.pdf | 484-ББГА | 3,3 В | Без свинца | 484 | да | EAR99 | PCI Express® | LX256 | 484 | 1 | 38 Гбит/с | 3,6 В | Тройной | 3В | 256:256 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISPGDX160VA-7Q208I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 3,3 В | 208 | 3,6 В | 3В | 208 | нет | EAR99 | Нет | е0 | PCI Express® | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,5 мм | ISPGDX160 | 208 | 1 | 160 | 3,6 В | 7 нс | Двойной | 3В | 80 МГц | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 240:240 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС80ВА-5Т100И | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-ispgdx80va3t100-datasheets-2967.pdf | 100-LQFP | 3,3 В | 100 | 3,6 В | 3В | 28 | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | PCI Express® | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | ISPGDX80 | 100 | 1 | 30 | Не квалифицирован | 80 | 1,95 В | 5 нс | Одинокий | 0 ВЫДЕЛЕННЫХ ВХОДОВ, 80 входов/выходов | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 80:80 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПА-Т44/ЛП16 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf | TQFP | 8 недель | 44 | Модуль сокета — TQFP | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДС4102-Т100/2064Е | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 1000 | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf | TQFP | Без свинца | 8 недель | Модуль сокета — TQFP | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN-T144/LCMXO640E | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf | TQFP | Без свинца | 8 недель | Модуль сокета — TQFP | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICESABCB121-01 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE65™ | Розетка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | /files/latticesemiconductorcorporation-icesabcb12101-datasheets-5001.pdf | Без свинца | 8 недель | СПИ | Модуль разъема - BGA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN-N32/POWR6AT6 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PowerManager II | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf | QFN | Без свинца | 8 недель | 32 | Модуль разъема - QFN | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДС4102-М304 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 3000 | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf | Без свинца | 8 недель | Модуль сокета — MQFP | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN-F100/LX64 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispGDX2™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf | Без свинца | 8 недель | 100 | Модуль разъема - BGA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSSN-UW49-LCMXO3 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаXO3, МахаXO3L | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pssnsg48lcmxo2-datasheets-5200.pdf | 8 недель | Модуль сокета — WLCSP | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN-FB208/GX160V | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispGDX® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf | Без свинца | 8 недель | Модуль разъема - BGA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDS4102-FB208-A1 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 5000 | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf | Без свинца | 8 недель | Модуль разъема - BGA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PA-F676/LC51024 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH™ 5000VG | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-pat1281048ea-datasheets-4194.pdf | Без свинца | 8 недель | Модуль разъема - BGA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSSN-CM36A-ICE40UL | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40 УльтраЛайт™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/latticesemiconductorcorporation-pssnsg48lcmxo2-datasheets-5200.pdf | Модуль разъема - BGA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-50E-5FN484I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-50 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 60,4 КБ | 339 | 48,4 КБ | 339 | 311 МГц | 48000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 50000 | 396288 | 6000 | 0,358 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000ZE-1TG100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 104 МГц | 80 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | Нет СВХК | 100 | 74 КБ | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 21,3 КБ | 79 | ВСПЫШКА | 9,3 КБ | 10,21 нс | 80 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-3TN100I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 420 МГц | 17 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | Нет СВХК | 100 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | Нет | 8542.39.00.01 | 17 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,71 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO640 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 74 | СРАМ | 0Б | 4,9 нс | 4,9 нс | 74 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-17E-5QN208C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 1,2 В | Без свинца | 208 | 8 недель | 208 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 1,2 В | 0,5 мм | LFXP2-17 | 208 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | 38,9 КБ | 146 | 34,5 КБ | 146 | 435 МГц | 17000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 282624 | 2125 | 0,494 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HC-4FTG256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 269 МГц | 4,8 мА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛБГА | 2,5 В | Без свинца | 256 | 8 недель | Нет СВХК | 256 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 1 мм | ЛКМСО2-2000 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | 21,3 КБ | 206 | ВСПЫШКА | 9,3 КБ | 7,24 нс | 207 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HC-4BG256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 269 МГц | 82 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛФБГА | 2,5 В | Без свинца | 256 | 8 недель | Нет СВХК | 256 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 0,8 мм | ЛКМСО2-2000 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | 21,3 КБ | 206 | ВСПЫШКА | 9,3 КБ | 7,24 нс | 207 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-256HC-4UMG64C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 269 МГц | 18 мкА | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 64-ВФБГА | 4 мм | 4 мм | 3,3 В | Без свинца | 64 | 8 недель | Нет СВХК | 64 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 0,4 мм | LCMXO2-256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 256Б | 44 | ВСПЫШКА | 0Б | 7,24 нс | 45 | 128 | 256 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 256 | 32 |
