Решетка полупроводника

Решетка полупроводниковая(8880)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Технология Частота Рабочий ток питания Высота сидя (макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Макс. частота Достичь кода соответствия Код HTS Номинальный ток питания Код JESD-609 Терминал отделки Напряжение питания Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Базовый номер детали Количество контактов Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Подкатегория Источники питания Статус квалификации Код JESD-30 Размер памяти Количество входов/выходов Тип памяти Размер оперативной памяти Включить время задержки Задержка распространения Количество выходов Количество входов Тактовая частота Организация Количество макроячеек Выходная функция Количество логических элементов/ячеек Количество логических блоков (LAB) Тип программируемой логики Количество логических ячеек Количество CLB Количество выделенных входов Всего бит ОЗУ Количество LAB/CLB Комбинаторная задержка CLB-Max
LCMXO2-2000HE-6BG256C LCMXO2-2000HE-6BG256C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаХО2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 82 мкА 1,7 мм Соответствует ROHS3 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf 256-ЛФБГА 14 мм 14 мм 1,2 В Без свинца 256 8 недель да EAR99 133 МГц не_совместимо 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 260 1,2 В 0,8 мм ЛКМСО2-2000 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован С-ПБГА-Б256 21,3 КБ 206 207 207 1056 2112 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 75776 264
LCMXO2-2000HE-5FTG256I LCMXO2-2000HE-5FTG256I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаХО2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 82 мкА 1,55 мм Соответствует ROHS3 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf 256-ЛБГА 17 мм 17 мм 1,2 В 256 8 недель 256 да EAR99 133 МГц не_совместимо 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 260 1,2 В 1 мм ЛКМСО2-2000 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 21,3 КБ 206 207 1056 2112 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 75776 264
LCMXO2-4000HE-6MG184I LCMXO2-4000HE-6MG184I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаХО2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 124 мкА 1,5 мм Соответствует ROHS3 2013 год /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf 184-ЛФБГА, КСПБГА 8 мм 8 мм 1,2 В Без свинца 184 8 недель EAR99 388 МГц не_совместимо 8542.39.00.01 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ НЕ УКАЗАН 1,2 В 0,5 мм LCMXO2-4000 НЕ УКАЗАН Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован С-ПБГА-Б184 27,8 КБ 150 150 150 2160 4320 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 94208 540
LCMXO2-2000HE-6FTG256I LCMXO2-2000HE-6FTG256I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаХО2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 82 мкА 1,55 мм Соответствует ROHS3 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf 256-ЛБГА 17 мм 17 мм 1,2 В 256 8 недель 256 да EAR99 133 МГц не_совместимо 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 260 1,2 В 1 мм ЛКМСО2-2000 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 21,3 КБ 206 207 1056 2112 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 75776 264
LCMXO2-7000HC-5BG256C LCMXO2-7000HC-5BG256C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаХО2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 189 мкА 1,7 мм Соответствует ROHS3 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf 256-ЛФБГА 14 мм 14 мм 2,5 В Без свинца 256 8 недель да EAR99 323 МГц не_совместимо 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 2,375 В~3,465 В НИЖНИЙ МЯЧ 260 2,5 В 0,8 мм LCMXO2-7000 30 Программируемые вентильные матрицы 2,5/3,3 В Не квалифицирован С-ПБГА-Б256 68,8 КБ 206 207 207 3432 6864 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 245760 858
LCMXO2-4000ZE-3BG332C LCMXO2-4000ZE-3BG332C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаХО2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 128 мкА 2 мм Соответствует ROHS3 2013 год /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf 332-ФБГА 17 мм 17 мм 1,2 В Без свинца 332 8 недель 332 да EAR99 133 МГц не_совместимо 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 260 1,2 В 0,8 мм LCMXO2-4000 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 27,8 КБ 274 275 2160 4320 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 94208 540
LCMXO2-7000HC-4BG332C LCMXO2-7000HC-4BG332C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МахаХО2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 269 ​​МГц 189 мкА 2 мм Соответствует ROHS3 2012 год /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf 332-ФБГА 17 мм 17 мм 2,5 В Без свинца 332 8 недель Нет СВХК 332 да EAR99 не_совместимо 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 2,375 В~3,465 В НИЖНИЙ МЯЧ 260 2,5 В 0,8 мм LCMXO2-7000 30 Программируемые вентильные матрицы 2,5/3,3 В Не квалифицирован 68,8 КБ 278 ВСПЫШКА 30 КБ 7,24 нс 279 3432 6864 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 245760 858
LFXP2-17E-7FN484C LFXP2-17E-7FN484C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать XP2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 2,6 мм Соответствует ROHS3 2013 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf 484-ББГА 23 мм 23 мм 1,2 В Без свинца 484 8 недель 484 да EAR99 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 1 мм LFXP2-17 484 30 Программируемые вентильные матрицы 1.21.2/3.33.3В Не квалифицирован 38,9 КБ 358 34,5 КБ 358 435 МГц 17000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 282624 2125 0,304 нс
LFE2M20SE-7FN484C LFE2M20SE-7FN484C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭЦП2М Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 2,6 мм Соответствует ROHS3 2012 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf 484-ББГА 23 мм 23 мм 1,2 В Без свинца 484 8 недель 484 да EAR99 Нет 420 МГц 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 1 мм ЛФЭ2М20 484 30 Программируемые вентильные матрицы 157,3 КБ 304 152,1 КБ 304 19000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 20000 1246208 2375
LFE2M35SE-5FN256I LFE2M35SE-5FN256I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭЦП2М Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 2,1 мм Соответствует ROHS3 2008 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf 256-БГА 17 мм 17 мм 1,2 В Без свинца 256 8 недель 256 да EAR99 320 МГц не_совместимо 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 1 мм ЛФЭ2М35 256 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 271,5кБ 140 262,6 КБ 140 34000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 2151424 4250 0,358 нс
LFXP2-30E-5FN672I LFXP2-30E-5FN672I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать XP2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 2,6 мм Соответствует ROHS3 2009 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf 672-ББГА 27 мм 27 мм Без свинца 672 8 недель 672 EAR99 не_совместимо 8542.39.00.01 е1 Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 1 мм LFXP2-30 672 30 Программируемые вентильные матрицы 1.21.2/3.33.3В Не квалифицирован 472 48,4 КБ 472 435 МГц 29000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 396288 3625 0,494 нс
LFE3-95EA-7FN672C LFE3-95EA-7FN672C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЕСР3 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 18 мА 2,6 мм Соответствует ROHS3 2005 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf 672-ББГА 27 мм 27 мм 1,2 В Без свинца 672 8 недель 672 EAR99 Нет 420 МГц 8542.39.00.01 е1 Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 1 мм ЛФЭ3-95 672 30 Программируемые вентильные матрицы 576КБ 380 552,5 КБ 380 92000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 4526080 11500 0,335 нс
LFE2M35E-6FN484I LFE2M35E-6FN484I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭЦП2М Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 2,6 мм Соответствует ROHS3 2008 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf 484-ББГА 23 мм 23 мм 1,2 В Без свинца 484 8 недель 484 да EAR99 357 МГц 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 1 мм ЛФЭ2М35 484 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 271,5кБ 303 262,6 КБ 303 34000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 35000 2151424 4250 0,331 нс
LFE2M50E-7FN672C LFE2M50E-7FN672C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭЦП2М Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 2,6 мм Соответствует ROHS3 2002 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf 672-ББГА 27 мм 27 мм 1,2 В Без свинца 672 8 недель 672 да EAR99 не_совместимо 8542.39.00.01 е1 Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 1 мм ЛФЭ2М50 672 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 531 КБ 372 518,4 КБ 372 420 МГц 48000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 50000 4246528 6000 0,304 нс
LFE2M50E-5FN484C LFE2M50E-5FN484C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭЦП2М Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 2,6 мм Соответствует ROHS3 2012 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf 484-ББГА 23 мм 23 мм 1,2 В Без свинца 484 8 недель 484 да EAR99 Нет 311 МГц 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 1 мм ЛФЭ2М50 484 30 Программируемые вентильные матрицы 531 КБ 270 518,4 КБ 270 48000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 50000 4246528 6000 0,358 нс
LFXP2-40E-5FN672I LFXP2-40E-5FN672I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать XP2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 2,6 мм Соответствует ROHS3 2013 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf 672-ББГА 27 мм 27 мм Без свинца 672 8 недель 672 EAR99 не_совместимо 8542.39.00.01 е1 Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 1 мм LFXP2-40 672 30 Программируемые вентильные матрицы 1.21.2/3.33.3В Не квалифицирован 540 110,6 КБ 540 435 МГц 40000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 906240 5000 0,494 нс
LFE2-50E-6FN672I LFE2-50E-6FN672I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЕСП2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 2,6 мм Соответствует ROHS3 2008 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf 672-ББГА 27 мм 27 мм 1,2 В Без свинца 672 8 недель 672 да EAR99 не_совместимо 8542.39.00.01 е1 Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 1 мм ЛФЭ2-50 672 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 60,4 КБ 500 48,4 КБ 500 357 МГц 48000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 396288 6000 0,331 нс
LFE2M50SE-6FN484C LFE2M50SE-6FN484C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭЦП2М Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 2,6 мм Соответствует ROHS3 2012 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf 484-ББГА 23 мм 23 мм 1,2 В Без свинца 484 8 недель 484 да EAR99 357 МГц 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 1 мм ЛФЭ2М50 484 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 531 КБ 270 518,4 КБ 270 48000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 50000 4246528 6000 0,331 нс
LFE2M100E-6FN1152I LFE2M100E-6FN1152I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭЦП2М Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 2,6 мм Соответствует ROHS3 2012 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf 1152-ББГА 35 мм 35 мм 1,2 В Без свинца 8 недель 1152 да EAR99 не_совместимо 8542.39.00.01 е1 Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 1 мм ЛФЭ2М100 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 688,8 КБ 520 663,5 КБ 520 357 МГц 95000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 100000 5435392 11875 0,331 нс
LFE2M70E-6FN900I LFE2M70E-6FN900I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭЦП2М Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 2,6 мм Соответствует ROHS3 2012 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf 900-ББГА 31 мм 31 мм 1,2 В Без свинца 900 8 недель 900 да EAR99 не_совместимо 8542.39.00.01 е1 Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 1 мм ЛФЭ2М70 900 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 584,9 КБ 416 566,8 КБ 416 357 МГц 67000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 70000 4642816 8375 0,331 нс
LCMXO2280C-3FT324C LCMXO2280C-3FT324C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать MachXO Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 23 мА 1,7 мм Не соответствует требованиям RoHS 2009 год /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf 324-ЛБГА 19 мм 19 мм 3,3 В Без свинца 324 324 нет EAR99 ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. 500 МГц не_совместимо 8542.39.00.01 23 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) 1,71 В~3,465 В НИЖНИЙ МЯЧ 225 1,8 В 1 мм LCMXO2280 324 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 271 СРАМ 5,1 нс 5,1 нс 271 1140 МАКРОКЛЕТКА 2280 ФЛЕШ ПЛД 7 28262 285
LFE2-12E-6F256C LFE2-12E-6F256C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЕСП2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 2,1 мм Не соответствует требованиям RoHS 2008 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf 256-БГА 17 мм 17 мм 1,2 В Без свинца 256 256 нет EAR99 357 МГц не_совместимо 8542.39.00.01 е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 225 1,2 В 1 мм ЛФЭ2-12 256 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 30,6 КБ 193 27,6 КБ 193 12000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 226304 1500 0,331 нс
LFE2-20E-7F672C LFE2-20E-7F672C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЕСП2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 2,6 мм Не соответствует требованиям RoHS 2012 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf 672-ББГА 27 мм 27 мм 1,2 В Без свинца 672 672 нет EAR99 420 МГц не_совместимо 8542.39.00.01 е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 225 1,2 В 1 мм ЛФЭ2-20 672 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 39,8 КБ 402 34,5 КБ 402 21000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 20000 282624 2625 0,304 нс
LFEC20E-3FN672C LFEC20E-3FN672C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЕС Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 340 МГц Соответствует RoHS 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf 672-ББГА 1,2 В Без свинца 672 да EAR99 8542.39.00.01 1,14 В~1,26 В ЛФЭК20 672 62,9 КБ 400 53КБ 19700 2464 434176
LFXP2-30E-6FT256I LFXP2-30E-6FT256I Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать XP2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТДж Поднос 3 (168 часов) Не соответствует требованиям RoHS 2012 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf 256-ЛБГА 1,2 В Без свинца 256 нет EAR99 не_совместимо 8542.39.00.01 1,14 В~1,26 В LFXP2-30 256 55,4 КБ 201 48,4 КБ 29000 396288 3625
LFXP3C-4TN144C LFXP3C-4TN144C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать XP Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 360 МГц 1,6 мм Соответствует RoHS 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf 144-LQFP 20 мм 20 мм 1,8 В Без свинца 144 144 да EAR99 Нет 8542.39.00.01 е3 Матовый олово (Sn) 1,71 В~3,465 В КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 260 1,8 В 0,5 мм LFXP3 144 40 Программируемые вентильные матрицы 1,8/2,5/3,3 В 8,3 КБ 100 6,8 КБ 100 384 КЛБС 3000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 384 384 55296 0,53 нс
LFECP10E-3FN256C LFECP10E-3FN256C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭКП Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 340 МГц 2,1 мм Соответствует RoHS 2006 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf 256-БГА 17 мм 17 мм 1,2 В Без свинца 256 256 да EAR99 Нет 8542.39.00.01 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 250 1,2 В 1 мм ЛФЕКП10 256 40 Программируемые вентильные матрицы 1.21.2/3.33.3В 39,6 КБ 195 34,5 КБ 195 10200 1280 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 282624 0,56 нс
LCMXO2280E-4T100C LCMXO2280E-4T100C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать MachXO Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) КМОП 20 мА 1,6 мм Не соответствует требованиям RoHS 2000 г. /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf 100-LQFP 14 мм 14 мм 1,2 В Без свинца 100 100 нет EAR99 550 МГц не_совместимо 8542.39.00.01 20 мА е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) 1,14 В~1,26 В КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 1,2 В 0,5 мм LCMXO2280 100 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 73 СРАМ 4,4 нс 73 1140 МАКРОКЛЕТКА 2280 ФЛЕШ ПЛД 7 28262 285
LFE2M20SE-5F256C LFE2M20SE-5F256C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЭЦП2М Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) 2,1 мм Не соответствует требованиям RoHS 2008 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf 256-БГА 17 мм 17 мм 1,2 В Без свинца 256 256 нет EAR99 311 МГц не_совместимо 8542.39.00.01 е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) 1,14 В~1,26 В НИЖНИЙ МЯЧ 225 1,2 В 1 мм ЛФЭ2М20 256 30 Программируемые вентильные матрицы Не квалифицирован 157,3 КБ 140 152,1 КБ 140 19000 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА 20000 1246208 2375 0,358 нс
LFXP2-40E-7F484C LFXP2-40E-7F484C Решетка полупроводника
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать XP2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) Не соответствует требованиям RoHS 2013 год /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf 484-ББГА 1,2 В Без свинца 484 EAR99 не_совместимо 8542.39.00.01 1,14 В~1,26 В LFXP2-40 484 121 КБ 363 110,6 КБ 40000 906240 5000

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.