| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Количество выходов | Количество входов | Тактовая частота | Организация | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Количество выделенных входов | Всего бит ОЗУ | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LCMXO2-2000HE-6BG256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛФБГА | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | да | EAR99 | 133 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,8 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 21,3 КБ | 206 | 207 | 207 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HE-5FTG256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | 133 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 21,3 КБ | 206 | 207 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000HE-6MG184I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 124 мкА | 1,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 184-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 184 | 8 недель | EAR99 | 388 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-4000 | НЕ УКАЗАН | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б184 | 27,8 КБ | 150 | 150 | 150 | 2160 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HE-6FTG256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | 133 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 21,3 КБ | 206 | 207 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-7000HC-5BG256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 189 мкА | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛФБГА | 14 мм | 14 мм | 2,5 В | Без свинца | 256 | 8 недель | да | EAR99 | 323 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 0,8 мм | LCMXO2-7000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 68,8 КБ | 206 | 207 | 207 | 3432 | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 245760 | 858 | ||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000ZE-3BG332C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 128 мкА | 2 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 332-ФБГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 332 | 8 недель | 332 | да | EAR99 | 133 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,8 мм | LCMXO2-4000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 27,8 КБ | 274 | 275 | 2160 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-7000HC-4BG332C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 269 МГц | 189 мкА | 2 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 332-ФБГА | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Без свинца | 332 | 8 недель | Нет СВХК | 332 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 0,8 мм | LCMXO2-7000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 68,8 КБ | 278 | ВСПЫШКА | 30 КБ | 7,24 нс | 279 | 3432 | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 245760 | 858 | |||||||||||||||||||||
| LFXP2-17E-7FN484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | LFXP2-17 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 38,9 КБ | 358 | 34,5 КБ | 358 | 435 МГц | 17000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 282624 | 2125 | 0,304 нс | |||||||||||||||||||||||||
| LFE2M20SE-7FN484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | да | EAR99 | Нет | 420 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М20 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 157,3 КБ | 304 | 152,1 КБ | 304 | 19000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 20000 | 1246208 | 2375 | |||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M35SE-5FN256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | 320 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М35 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 271,5кБ | 140 | 262,6 КБ | 140 | 34000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 2151424 | 4250 | 0,358 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-30E-5FN672I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | Без свинца | 672 | 8 недель | 672 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | LFXP2-30 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 472 | 48,4 КБ | 472 | 435 МГц | 29000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 396288 | 3625 | 0,494 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-95EA-7FN672C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 18 мА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 8 недель | 672 | EAR99 | Нет | 420 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-95 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 576КБ | 380 | 552,5 КБ | 380 | 92000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 11500 | 0,335 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M35E-6FN484I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | да | EAR99 | 357 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М35 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 271,5кБ | 303 | 262,6 КБ | 303 | 34000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 35000 | 2151424 | 4250 | 0,331 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M50E-7FN672C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 8 недель | 672 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М50 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 531 КБ | 372 | 518,4 КБ | 372 | 420 МГц | 48000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 50000 | 4246528 | 6000 | 0,304 нс | |||||||||||||||||||||||||
| LFE2M50E-5FN484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | да | EAR99 | Нет | 311 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М50 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 531 КБ | 270 | 518,4 КБ | 270 | 48000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 50000 | 4246528 | 6000 | 0,358 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-40E-5FN672I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | Без свинца | 672 | 8 недель | 672 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | LFXP2-40 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 540 | 110,6 КБ | 540 | 435 МГц | 40000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 906240 | 5000 | 0,494 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-50E-6FN672I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 8 недель | 672 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-50 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 60,4 КБ | 500 | 48,4 КБ | 500 | 357 МГц | 48000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 396288 | 6000 | 0,331 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M50SE-6FN484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | да | EAR99 | 357 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М50 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 531 КБ | 270 | 518,4 КБ | 270 | 48000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 50000 | 4246528 | 6000 | 0,331 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M100E-6FN1152I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 1152-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | Без свинца | 8 недель | 1152 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 688,8 КБ | 520 | 663,5 КБ | 520 | 357 МГц | 95000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 100000 | 5435392 | 11875 | 0,331 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M70E-6FN900I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 900-ББГА | 31 мм | 31 мм | 1,2 В | Без свинца | 900 | 8 недель | 900 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М70 | 900 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 584,9 КБ | 416 | 566,8 КБ | 416 | 357 МГц | 67000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 70000 | 4642816 | 8375 | 0,331 нс | |||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280C-3FT324C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 23 мА | 1,7 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 324-ЛБГА | 19 мм | 19 мм | 3,3 В | Без свинца | 324 | 324 | нет | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | 500 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 23 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | LCMXO2280 | 324 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 271 | СРАМ | 5,1 нс | 5,1 нс | 271 | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 28262 | 285 | ||||||||||||||||||||
| LFE2-12E-6F256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | нет | EAR99 | 357 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-12 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 30,6 КБ | 193 | 27,6 КБ | 193 | 12000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 226304 | 1500 | 0,331 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-20E-7F672C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 672 | нет | EAR99 | 420 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-20 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 39,8 КБ | 402 | 34,5 КБ | 402 | 21000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 20000 | 282624 | 2625 | 0,304 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| LFEC20E-3FN672C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 340 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 672-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 672 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ЛФЭК20 | 672 | 62,9 КБ | 400 | 53КБ | 19700 | 2464 | 434176 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-30E-6FT256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 256-ЛБГА | 1,2 В | Без свинца | 256 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | LFXP2-30 | 256 | 55,4 КБ | 201 | 48,4 КБ | 29000 | 396288 | 3625 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP3C-4TN144C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 360 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,8 В | Без свинца | 144 | 144 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,71 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LFXP3 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,8/2,5/3,3 В | 8,3 КБ | 100 | 6,8 КБ | 100 | 384 КЛБС | 3000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 384 | 384 | 55296 | 0,53 нс | ||||||||||||||||||||||||
| LFECP10E-3FN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 340 МГц | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕКП10 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | 39,6 КБ | 195 | 34,5 КБ | 195 | 10200 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 282624 | 0,56 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280E-4T100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 20 мА | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 100 | нет | EAR99 | 550 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 20 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2280 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 73 | СРАМ | 4,4 нс | 73 | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 28262 | 285 | ||||||||||||||||||||||
| LFE2M20SE-5F256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | нет | EAR99 | 311 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М20 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 157,3 КБ | 140 | 152,1 КБ | 140 | 19000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 20000 | 1246208 | 2375 | 0,358 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-40E-7F484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 484-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 484 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | LFXP2-40 | 484 | 121 КБ | 363 | 110,6 КБ | 40000 | 906240 | 5000 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.