Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльфа и Омега Полупроводник Инк.(5074)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | ECCN-код | Радиационная закалка | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОН7232 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 8-PowerWDFN | 100В | 39 Вт Тс | N-канал | 1770пФ при 50В | 13,5 мОм при 12 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 37А Тц | 40 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7502 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aon7502-datasheets-7294.pdf | 8-PowerVDFN | 18 недель | 30А | 30 В | 3,1 Вт Та 31 Вт Тс | N-канал | 1022пФ при 15 В | 4,7 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 21А Та 30А Тс | 22 нК при 10 В | 6В 10В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4443 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 6А | 40В | 3,1 Вт Та | P-канал | 1175пФ при 20 В | 42 мОм при 6 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 6А Та | 22 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД458 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 18 недель | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 14А | Одинокий | 250 В | 150 Вт Тс | N-канал | 770пФ при 25 В | 280 мОм при 7 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 14А Тс | 15 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОНР32314 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-SMD, плоский вывод | 18 недель | 30 В | 4,1 Вт Та 24 Вт Тс | N-канал | 1420пФ при 15В | 8,7 мОм при 17 А, 10 В | 2,25 В @ 250 мкА | 17А Та 30А Тс | 32 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН2405 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 6-UDFN Открытая площадка | 18 недель | 6 | 2,8 Вт | 1 | 8А | 8В | 20 В | 2,8 Вт Та | P-канал | 1025пФ при 10В | 32 мОм при 8 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 8А Та | 18 нК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7458 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,69 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerVDFN | 18 недель | 8 | 33 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 5А | 30 В | Одинокий | 250 В | 3,1 Вт Та 33 Вт Тс | 5А | N-канал | 370пФ при 25В | 560 мОм при 1,5 А, 10 В | 4,3 В при 250 мкА | 1,5 А Та 5 А Тс | 7,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||
| АОН6566 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,06 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aon6566-datasheets-8010.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 32А | 30 В | 6 Вт Та 25 Вт Тс | N-канал | 1550пФ при 15В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 29А Та 32А Тс | 33 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ2142Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,60 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | ТО-220-3 | 18 недель | 40В | 312 Вт Тс | N-канал | 8320пФ при 20 В | 1,9 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 120А Тс | 100 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ10Н60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,66 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aotf10n60-datasheets-8736.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 10А | Одинокий | 600В | 50 Вт Тс | N-канал | 1600пФ при 25В | 750 мОм при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 40 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ12Н50Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $5,68 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 12А | Одинокий | 500В | 250 Вт Тс | N-канал | 1633пФ при 25 В | 520 мОм при 6 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 37 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ7С60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $5,89 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 7А | Одинокий | 600В | 34 Вт Тс | 7А | N-канал | 372пФ при 100 В | 600 мОм при 3,5 А, 10 В | 3,9 В @ 250 мкА | 7А Тк | 8,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| АОТ296Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-aot296l-datasheets-9228.pdf | ТО-220-3 | 18 недель | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 70А | Одинокий | 100В | 2,1 Вт Та 107 Вт Тс | N-канал | 2785пФ при 50В | 10 мОм при 20 А, 10 В | 3,4 В при 250 мкА | 9,5 А Та 70 А Тс | 52 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ280Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 140А | Одинокий | 80В | 2,1 Вт Та 333 Вт Тс | N-канал | 11135пФ при 40В | 2,2 мОм при 20 А, 10 В | 3,4 В при 250 мкА | 20,5 А Та 140 А Тс | 224 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ282Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,61 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aot282l-datasheets-4786.pdf | ТО-220-3 | 18 недель | 105А | 80В | 2,1 Вт Ta 272,5 Вт Tc | N-канал | 7765пФ при 40 В | 3,5 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 18,5 А Та 105 А Тс | 178 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6230 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | 8 | 104 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 85А | 20 В | Одинокий | 40В | 7,4 Вт Та 104 Вт Тс | N-канал | 6050пФ при 20 В | 1,44 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 57,5А Та 85А Тс | 114 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| АОН6154 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 45В | 125 Вт Тс | N-канал | 6575пФ при 22,5 В | 1,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 100А Тс | 120 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ11С65Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aot11s65l-datasheets-8388.pdf | ТО-220-3 | 18 недель | 3 | 11А | 650В | 198 Вт Тс | N-канал | 646пФ при 100 В | 399 мОм при 5,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 11А Тк | 13,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ462 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $3,17 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot462-datasheets-1601.pdf | ТО-220-3 | Нет | 100 Вт | 1 | 70А | 20 В | 60В | 100 Вт Тс | N-канал | 2400пФ при 30В | 18 мОм при 30 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 70А Тс | 36 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| АОД456А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod456a-datasheets-1768.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 50А | 25 В | 3 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 2220пФ при 12,5 В | 6 м Ом при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 50А Тс | 38 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1426 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $5,65 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | 3-PowerSMD, плоские выводы | 3 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | 3 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф3 | 46А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 2 Вт Та 43 Вт Тс | 120А | 0,0135Ом | N-канал | 1452пФ при 15В | 10,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10А Та 46А Тс | 28 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||
| АОТ5Н60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf | ТО-220-3 | 132 Вт | 1 | 5А | 30 В | 600В | 132 Вт Тс | N-канал | 700пФ при 25В | 1,8 Ом при 2,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 5А Тс | 20 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4720 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 13А | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 1600пФ при 15В | 11 мОм при 13 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 13А Та | 30 нК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6416 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 22А | 30 В | 2,4 Вт Та 31 Вт Тс | N-канал | 1430пФ при 15В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 14А Та 22А Тс | 28 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ262Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 333 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 140А | 20 В | Одинокий | 60В | 2,1 Вт Та 333 Вт Тс | N-канал | 9800пФ при 30 В | 2,8 мОм при 20 А, 10 В | 3,2 В @ 250 мкА | 20А Та 140А Тс | 115 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7436 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-PowerVDFN | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 23А | Одинокий | 20 В | 3,1 Вт Ta 16,7 Вт Tc | N-канал | 630пФ при 10 В | 19 мОм при 9 А, 10 В | 1,1 В @ 250 мкА | 9А Та 23А Тс | 15 нК при 10 В | 1,8 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД4120 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 25А | 20 В | 2,5 Вт Та 33 Вт Тс | N-канал | 900пФ при 10 В | 18 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 25А Тс | 18 нК @ 10 В | 2,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1242 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 3-PowerSMD, плоские выводы | 3 | 69А | 40В | 2,1 Вт Та 68 Вт Тс | N-канал | 1620пФ при 20В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 14А Та 69А Тс | 23 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС2403 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 4-SMD, без свинца | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,8 А | 20 В | 450мВт Та | P-канал | 405пФ при 10В | 95 мОм при 1 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 1,8 А Та | 4,8 нК @ 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7432 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerVDFN | 5 | 8 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 20,8 Вт | 1 | С-ПДСО-Ф5 | 18А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3,1 Вт Ta 20,8 Вт Tc | 60А | N-канал | 813пФ при 15 В | 15 мОм при 10,5 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 10,5 А Та 18 А Тс | 26 нК при 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В |
