| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОВФ4Н60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $3,74 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 18 недель | 640пФ | 4А | 600В | 25 Вт Тс | N-канал | 640пФ при 25В | 2,3 Ом при 2 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 14,5 нК при 10 В | 2,3 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7318 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,94 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerWDFN | 18 недель | 30 В | 4,1 Вт Та 39 Вт Тс | N-канал | 2840пФ при 15В | 1,95 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 36,5 А Та 50 А Тс | 52 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ9Н70 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | 9А | 700В | 236 Вт Тс | N-канал | 1630пФ при 25В | 1,2 Ом при 4,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 9А Тц | 35 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВФ4С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 16 недель | 3 | Нет | 25 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 4А | Одинокий | 600В | 25 Вт Тс | 4А | N-канал | 263пФ при 100 В | 900 мОм при 2 А, 10 В | 4,1 В @ 250 мкА | 4А Тк | 6 нК @ 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7140 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,86 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerWDFN | 18 недель | 40В | 46 Вт Тс | N-канал | 3350пФ при 20 В | 2,3 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 50А Тс | 60 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ5Н40 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | TO-251-3 Заглушки, IPak | 18 недель | 4.2А | 400В | 78 Вт Тс | N-канал | 400пФ при 25В | 1,6 Ом при 1 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 4,2 А Тс | 8,5 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД8Н25 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,65 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 3 | 8А | 250 В | 78 Вт Тс | N-канал | 306пФ при 25В | 560 мОм при 1,5 А, 10 В | 4,3 В при 250 мкА | 8А Тк | 7,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ4184 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aob4184-datasheets-7280.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | 2,5 Вт | 1 | 12А | 20 В | 40В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1800пФ при 20В | 10 мОм при 20 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 12А Та 50А Тс | 35 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД478 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,69 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 3 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 11А | Одинокий | 100В | 2,1 Вт Та 45 Вт Тс | N-канал | 540пФ при 50В | 140 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 2,5 А Та 11 А Тс | 13 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ2610E | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 18 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН3419 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,80 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aon3419-datasheets-7716.pdf | 8-SMD, плоский вывод | 18 недель | Другие транзисторы | 10А | Одинокий | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 1040пФ при 15В | 19 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 30 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО7412 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 18 недель | 6 | 1,7 А | 30 В | 350мВт Та | N-канал | 270пФ при 15В | 90 мОм при 2,1 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 1,7 А Та | 3,6 нК @ 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7566 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 18 недель | 30 В | 30 Вт Тс | N-канал | 3020пФ при 15В | 3,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 34А Тк | 80 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSP21307 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 1995 пФ при 15 В | 11,5 мОм при 14 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 14А Та | 50 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ7С65Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aob7s65l-datasheets-8245.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 7А | Одинокий | 650В | 104 Вт Тс | 7А | N-канал | 434 пФ при 100 В | 650 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 7А Тк | 9,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ18Н65 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 18А | 650В | 50 Вт Тс | N-канал | 3785пФ при 25 В | 390 мОм при 9 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 18А Тк | 68 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6522 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | 200А | 25 В | 7,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 7036пФ при 15 В | 0,95 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 71А Та 200А Тс | 145 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ11Н70 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 | 18 недель | 11А | 700В | 271 Вт Тс | N-канал | 2150пФ при 25В | 870 мОм при 5,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 11А Тк | 45 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ2606Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $6,11 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 115 Вт | 1 | 72А | 20 В | 60В | 2,1 Вт Ta 115 Вт Tc | N-канал | 4050пФ при 30 В | 6,2 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 13А Та 72А Тс | 75 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOW29S50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,82 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 16 недель | 29А | 500В | 357 Вт Тс | N-канал | 1312пФ при 100 В | 150 мОм при 14,5 А, 10 В | 3,9 В @ 250 мкА | 29А Тц | 26,6 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ15С65Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,48 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aob15s65l-datasheets-4543.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 3 | 15А | 650В | 208 Вт Тк | N-канал | 841пФ при 100 В | 290 мОм при 7,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 15А Тс | 17,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ25С65Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,73 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 3 | 18 недель | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 25А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650В | 650В | 357 Вт Тс | ТО-220АБ | 104А | 0,19 Ом | 750 мДж | N-канал | 1278пФ при 100 В | 190 мОм при 12,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 25А Тс | 26,4 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||
| AOW7S65 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 16 недель | 7А | 650В | 104 Вт Тс | N-канал | 434 пФ при 100 В | 650 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 7А Тк | 9,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6260 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,28 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | 8 | 104 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 85А | 20 В | Одинокий | 60В | 7,3 Вт Та 104 Вт Тс | N-канал | 5578пФ при 30 В | 2,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 41А Та 85А Тс | 115 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4427 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4427-datasheets-1552.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | EAR99 | неизвестный | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 1 | Не квалифицирован | 12,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3 Вт Та | 0,012 Ом | P-канал | 2900пФ при 15 В | 12 мОм при 12,5 А, 20 В | 3 В при 250 мкА | 12,5 А Та | 52 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||
| АО4712 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 13А | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 1885пФ при 15В | 14,5 мОм при 11,2 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 13А Та | 31 нК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6701 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao6701-datasheets-1715.pdf | СК-74, СОТ-457 | 6-ЦОП | 409пФ | 2,3А | 30 В | 1,15 Вт Та | P-канал | 409пФ при 15В | 135 мОм при 2,3 А, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 2,3А Та | 4,9 нК @ 4,5 В | Диод Шоттки (изолированный) | 135 мОм | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4452 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | 8А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 3,1 Вт Та | 8А | 0,025 Ом | N-канал | 2200пФ при 50В | 25 мОм при 8 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8А Та | 34 нК при 10 В | 7В 10В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||
| АОТ8Н60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $27,08 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf | ТО-220-3 | неизвестный | Полномочия общего назначения FET | 8А | Одинокий | 600В | 208 Вт Тк | 8А | N-канал | 1370пФ при 25 В | 900 мОм при 4 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 35 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4722 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4722-datasheets-0449.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | совместимый | 30 В | 1,7 Вт Та | N-канал | 1100пФ при 15В | 14 мОм при 11,6 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8,5А Та | 20 нК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.