Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦентральная полупроводниковая корпорация (8720)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Выходная мощность | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Приложение | Непрерывный ток коллектора | Скорость | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Обратное время восстановления | Тип диода | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Емкость @ Вр, Ф | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | hFE Мин. | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Коэффициент шума (дБ, тип @ f) | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КМШ2-40Л ТР13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmsh220ltr13pbfree-datasheets-3072.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | 150°С | 10 | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 40В | Шоттки | 50А | 1 | 2А | 150пФ @ 4В 1МГц | 40В | 500 мкА при 40 В | 400 мВ при 2 А | 2А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5818 БК ОЛОВО/СВИНЦОВЫЙ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5817trpbfree-datasheets-5888.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 30 В | 1 мА при 30 В | 550 мВ при 1 А | 1А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR5-080 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CR5-010 | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr5060tr-datasheets-2344.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | да | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.80 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА (315) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 800В | Стандартный | 200А | 1 | 5А | 25пФ @ 4В 1МГц | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,2 В при 5 А | 5А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR3-040ГПП БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr3020gppbk-datasheets-2616.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 400В | Стандартный | 200А | 1 | 3А | 30пФ @ 4В 1МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,2 В при 3 А | 3А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR3-040ГПП ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr3020gppbk-datasheets-2616.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 400В | Стандартный | 200А | 1 | 3А | 30пФ @ 4В 1МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,2 В при 3 А | 3А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CUD10-04 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cud1006bk-datasheets-4412.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | EAR99 | 8541.10.00.80 | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 400В | 35 нс | Стандартный | 100А | 10А | 62пФ @ 4В 1МГц | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,3 В @ 10 А | 10А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4427 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/centralsemiconductorcorp-2n4427-datasheets-6438.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | Без свинца | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | 10 дБ | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 1 Вт | 500 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 400 мА | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА B | 20 В | 500мВ | 20 В | 400 мА | 500 МГц | 40В | 2В | 10 | НПН | 10 @ 100 мА 5 В | 4пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP243-CM5943-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | умереть | совместимый | 11,4 дБ | 30 В | 400 мА | НПН | 25 @ 50 мА 15 В | 8 дБ @ 200 МГц | 2,4 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP617-CEN1271-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3866 ОЛОВО/СВИНЕЦ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 10 дБ | 5 Вт | 30 В | 400 мА | НПН | 10 @ 50 мА 5 В | 500 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CEN911 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | ТО-78-6 Металлическая банка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MD918A | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-md918-datasheets-8749.pdf | ТО-78-6 Металлическая банка | 6 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЕННЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,6 Вт | 2 Вт | 600 МГц | 15 В | 50 мА | 10нА ИКБО | 2 NPN (двойной) | 50 при 3 мА 5 В | 600 МГц | 900 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKT5087 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkt5088trpbfree-datasheets-0792.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | ПНП | 0,35 Вт | 350 мВт | 40 МГц | 50В | 50 мА | 50нА ИКБО | 2 ПНП (двойной) | 250 @ 100 мкА 5 В | 40 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPQ7053 ОЛОВО/СВИНЕЦ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-mpq7053tinlead-datasheets-4454.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 750 мВт | 250В | 500 мА | 250 нА ИКБО | 2 НПН, 2 ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 700 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2915 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-2n2453-datasheets-4539.pdf | ТО-78-6 Металлическая банка | 6 | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЕННЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | НПН | 0,3 Вт | 600мВт | 60 МГц | 45В | 30 мА | 2 NPN (двойной) | 60 @ 10 мкА 5 В | 60 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3726 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/centralsemiconductorcorp-2n3726-datasheets-4602.pdf | ТО-78-6 Металлическая банка | Без свинца | 6 | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЕННЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 0,4 Вт | 600мВт | 200 МГц | 45В | 300 мА | 2 ПНП (двойной) | 135 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3811 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-2n3811a-datasheets-4596.pdf | ТО-78-6 Металлическая банка | 6 | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЕННЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | ПНП | 600мВт | 100 МГц | 60В | 50 мА | 10нА ИКБО | 2 ПНП (двойной) | 300 @ 1 мА 5 В | 100 МГц | 250 мВ при 1 мА, 100 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMLT2222AG БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | /files/centralsemiconductorcorp-cmlt2222agbkpbfree-datasheets-5305.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 41 неделя | совместимый | ДА | Другие транзисторы | НПН | 0,35 Вт | 350 мВт | 300 МГц | 40В | 600 мА | 10нА ИКБО | 2 NPN (двойной) | 100 @ 150 мА 10 В | 300 МГц | 1 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMPQ2907A БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/centralsemiconductorcorp-mmpq2907abk-datasheets-7030.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 26 недель | 16-СОИК | 1 Вт | 60В | 600 мА | 20нА ИКБО | 4 ПНП (четверка) | 100 @ 150 мА 10 В | 250 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3440 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3440pbfree-datasheets-8788.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 250В | 20 мкА ИКБО | НПН | 40 @ 20 мА 10 В | 15 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPT6517 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpt6517trpbfree-datasheets-4976.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,35 Вт | 350 мВт | 40 МГц | 350В | 500 мА | 50нА ИКБО | НПН | 20 @ 50 мА 10 В | 200 МГц | 1 В @ 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4401 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n4401pbfree-datasheets-6627.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 40В | 600 мА | НПН | 100 @ 150 мА 1 В | 250 МГц | 750 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3391A PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3904pbfree-datasheets-2217.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 25 В | 100нА ИКБО | НПН | 250 при 2 мА 4,5 В | 120 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2484 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n2484pbfree-datasheets-7837.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 360мВт | 60В | 50 мА | 2нА | НПН | 100 @ 10 мкА 5 В | 60 МГц | 350 мВ при 100 мкА, 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3393 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3904pbfree-datasheets-2217.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 25 В | 100нА ИКБО | НПН | 90 при 2 мА 4,5 В | 120 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMST5089 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmst5089trpbfree-datasheets-7370.pdf | СК-70, СОТ-323 | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,275 Вт | 275 МВт | 50 МГц | 25 В | 50 мА | 50нА | НПН | 400 @ 100 мкА 5 В | 50 МГц | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3583 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3584pbfree-datasheets-7995.pdf | ТО-213АА, ТО-66-2 | 22 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 35 Вт | 175В | 1А | 10 мА | НПН | 40 @ 500 мА 10 В | 10 МГц | 5 В при 125 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CJD31C TR13 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cjd31ctr13pbfree-datasheets-1750.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 22 недели | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 15 Вт | 1,56 Вт | 3 МГц | 100В | 3А | 50 мкА | НПН | 10 @ 3А 4В | 3 МГц | 1,2 В при 375 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMNT3904E TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmnt3906etrpbfree-datasheets-8699.pdf | СОТ-953 | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,25 Вт | 250 мВт | 300 МГц | 40В | 200 мА | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 МГц | 200 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5375 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 6 недель | 360мВт | 30 В | 500 мА | 50нА ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 10 В | 150 МГц | 1,3 В при 15 мА, 150 мА |
