Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС61ЛВ25616АЛ-10БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lv25616al10tl-datasheets-3928.pdf | 48-ТФБГА | 10 мм | 600 мкм | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 8 недель | 48 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 110 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3,135 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,63 В | 40 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВПС102418А-250Б3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 2,375 В~2,625 В | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 2,6 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP080D-JBLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 0,59 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 8 недель | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 1MX8 | 8 | 800 мкс | 8388608 бит | СЕРИАЛ | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16320Д-6БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 60 | нет | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 60 | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,37 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б60 | 512М 32М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 536870912 бит | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP016D-JBLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 0,73 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 8 недель | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | 10 | С-ПДСО-G8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 2MX8 | 8 | 800 мкс | 16777216 бит | СЕРИАЛ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПД102418А-200Б3И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — четырехпортовый, синхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 165 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,33,3 В | 0,475 мА | Не квалифицирован | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,075А | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ1288ДБЛЛ-45ХЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $4,73 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 32-TFSOP (ширина 0,465, 11,80 мм) | 18,5 мм | 1,05 мм | 8,2 мм | 32 | Нет СВХК | 32 | 1 Мб | да | 1 | EAR99 | 22 МГц | 1 | 8мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 32 | 3,6 В | 2,3 В | 40 | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 45нс | 0,000004А | 8б | 45 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Ф-6БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б90 | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 134217728 бит | 5,4 нс | ЧЕТЫРЕ БАНКОВСКИХ СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР86400Е-3DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,80 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 60 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 450 нс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15нс | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛФ51236-7.5Б3И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | нет | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 165 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,33,3 В | 0,475 мА | Не квалифицирован | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,075А | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43LR32640A-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ЛФБГА | 13 мм | 1,8 В | 90 | 14 недель | 90 | 2 ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | 0,17 мА | Не квалифицирован | 2Гб 64М х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 64MX32 | 32 | 15нс | 0,00002А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДПБ42М36А-550Б4ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — четырехпортовый, синхронный | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 1,8 В | 1,3 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б165 | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 550 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX36 | 36 | 75497472 бит | 0,38 А | 0,45 нс | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,71 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP064A-JKLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 8 недель | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 8MX8 | 8 | 800 мкс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП25672-250Б1И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,95 мм | Соответствует ROHS3 | 209-БГА | 22 мм | 14 мм | 209 | 209 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 209 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,33,3 В | 0,65 мА | Не квалифицирован | 18Мб 256К х 72 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2,6 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 256КХ72 | 72 | 18874368 бит | 0,075А | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16640С-107МБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 2 недели | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Р-ПБГА-Б96 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НВФ51236-7.5Б3И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | нет | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 2,375 В~2,625 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 165 | 2,625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,475 мА | Не квалифицирован | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,075А | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43LQ32256A-062BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR4 | Соответствует ROHS3 | 200-ТФБГА | 2 недели | 1,06 В~1,17 В 1,7 В~1,95 В | 8Гб 256М х 32 | Неустойчивый | 1,6 ГГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NVP102418-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61nvp102418200tqli-datasheets-4527.pdf | 100-LQFP | 2,5 В | 100 | 100 | 18 Мб | да | 2 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 475 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,375 В~2,625 В | КВАД | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | 10 | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 20б | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 0,075А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP080D-JNLA3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 0,65 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 2 недели | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 1MX8 | 8 | 800 мкс | 8388608 бит | СЕРИАЛ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НВФ102418-7.5Б3И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | нет | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 2,375 В~2,625 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 165 | 2,625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,425 мА | Не квалифицирован | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,075А | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61К256АЛ-12ДЖЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,62 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 28-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 18,54 мм | 2,67 мм | 7,75 мм | 5В | 28 | 8 недель | 28 | 256 КБ | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 40 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 28 | 40 | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 15б | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 12нс | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV1288EEBLL-8TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 32-SOIC (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 10,16 мм | 32 | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,4 В | 2,5/3,3 В | 0,03 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г32 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 8нс | 1048576 бит | 0,004А | 8 нс | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ025B-JKLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | SPI, серийный | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | Р-ПДСО-Н8 | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 256КХ1 | 1 | 800 мкс | 262144 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ512B-JNLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 0,64 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 8 недель | 8 | SPI, серийный | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | 10 | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 512КХ1 | 1 | 800 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ040B-JNLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 8 недель | 8 | SPI, серийный | да | ТАКТОВАЯ ЧАСТОТА ДЛЯ РЕЖИМА ЧТЕНИЯ 33 МГц | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 8 | 800 мкс | 4194304 бит | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP128-JKLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 1,8 В | 8 | 8 недель | 8 | SPI, серийный | 128 Мб | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | 10 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 1 | 800 мкс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP016D-ИЮЛЬ-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 1,92 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 8-UFDFN Открытая площадка | 3 мм | 2 мм | 8 | 8 недель | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 7нс | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | ИПИ, КПИ | 2MX8 | 8 | 800 мкс | 16777216 бит | СЕРИАЛ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS66WV51216EBLL-70TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,69 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 10 недель | 44 | 1 | ДА | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,5 В | НЕ УКАЗАН | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 512КХ16 | 16 | 70нс | 8388608 бит | 70 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200Л-5ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 86 | 8 недель | 86 | 64 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 110 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | Не квалифицирован | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,8 нс | 200 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16160Ф-5ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,27 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В | 66 | 8 недель | 256 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G66 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс |
