Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Самообновление |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС45С16100К1-7БЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SDRAM | 143 МГц | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45s16100c17bla1-datasheets-3000.pdf | 60-ТФБГА | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 60 | Параллельно | 16 Мб | 143 МГц | 150 мА | 3В~3,6В | 60-МиниBGA (6,4x10,1) | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 143 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32200Е-7ТЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM | Соответствует RoHS | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 86 | 86 | 64 Мб | 140 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,5 мм | Не квалифицирован | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 143 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400Д-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SDRAM | 166 МГц | Соответствует RoHS | 60-ТФБГА | 3,6 В | 3В | 60 | Параллельно | 166 МГц | 3В~3,6В | 60-МиниBGA (6,4x10,1) | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LF102418A-7.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM – синхронный, SDR | 117 МГц | Соответствует RoHS | 100-LQFP | 3,3 В | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 18 Мб | 2 | 117 МГц | 250 мА | 3,135 В~3,6 В | 100-ТКФП (14x20) | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | 20б | СРАМ | Параллельно | 18б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200Э-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 90 | 64 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 160 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 10 | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160А-75БИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SDRAM | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 90-ЛФБГА | 3,6 В | 3В | 90 | Параллельно | 133 МГц | 3В~3,6В | 90-ЛФБГА (8x13) | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LF102436A-7.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует RoHS | 100-LQFP | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 117 МГц | 3,135 В~3,465 В | 100-ТКФП (14x20) | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Д-7ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,22 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,42 мм | 1,05 мм | 10,29 мм | 3,3 В | 130 мА | 54 | 54 | 256 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Олово | Нет | 1 | 130 мА | е3 | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 0,003А | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Э-75ЭТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 54 | 128 Мб | 130 мА | 3В~3,6В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 133 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Э-75ЭТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM | 133 МГц | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s16800e75etlitr-datasheets-5250.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 54 | Параллельно | 128 Мб | 133 МГц | 130 мА | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 133 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160С-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,4 мм | Соответствует RoHS | 90-ЛФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 90 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Медь, Серебро, Олово | Нет | 8542.32.00.28 | 1 | 260 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 10 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6нс | 133 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Д-75ЭБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM | 133 МГц | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 3,6 В | 3В | 90 | Параллельно | 133 МГц | 3В~3,6В | 90-ТФБГА (8х13) | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16160Б-6ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is43r16160b6tli-datasheets-5281.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В | 66 | 66 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | 250 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 66 | 2,7 В | 2,3 В | 10 | Не квалифицирован | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Э-7БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 54-ТФБГА | 3,3 В | 54 | 128 Мб | Нет | 130 мА | 3В~3,6В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП102418-200Б3ЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM – синхронный, SDR | 200 МГц | Соответствует RoHS | 165-ТБГА | 3,3 В | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 18 Мб | 2 | 200 МГц | 475 мА | 3,135 В~3,465 В | 165-ТФБГА (13x15) | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | 20б | СРАМ | Параллельно | 18б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Э-7БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 90 | 128 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 130 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 10 | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 0,001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16105Б-50КЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | ДРАМ-ФП | Соответствует RoHS | 42-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 42 | 3В~3,6В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 25нс | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16100Б-60ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | ДРАМ - ЭДО | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is41lv16100b60tli-datasheets-5942.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 3,3 В | 44 | 44 | 16 Мб | да | 1 | EAR99 | ТОЛЬКО RAS/CAS ДО RAS/СКРЫТОЕ ОБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 170 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 50 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 30 нс | 10б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 1024 | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100К1-7БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SDRAM | 143 МГц | Соответствует RoHS | 60-ТФБГА | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 60 | Параллельно | 16 Мб | 143 МГц | 150 мА | 3В~3,6В | 60-ТФБГА (6,4x10,1) | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 143 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Б-6БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16160b7tlitr-datasheets-1376.pdf | 54-ЛФБГА | 54 | 3В~3,6В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Б-7Т-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SDRAM | 143 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16160b7tlitr-datasheets-1376.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 54 | Параллельно | 256 Мб | 143 МГц | 130 мА | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200К1-7БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s32200c17bltr-datasheets-6020.pdf | 90-ЛФБГА | 90 | 3,15 В~3,45 В | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200К1-6Т-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SDRAM | 166 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s32200c16ttr-datasheets-6034.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 86 | Параллельно | 64 Мб | 166 МГц | 185 мА | 3,15 В~3,45 В | 86-ЦОП II | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200К1-7Т | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s32200c17t-datasheets-6054.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 86 | 86 | 64 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | не_совместимо | 8542.32.00.02 | 1 | 180 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3,15 В~3,45 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 143 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Б-7ТИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SDRAM | 143 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45s32400b6bla1-datasheets-2957.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | Параллельно | 3В~3,6В | 86-ЦОП II | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Б-6Б | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,45 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s32800b6tli-datasheets-3007.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 90 | 90 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | не_совместимо | 8542.32.00.24 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,3 мА | Не квалифицирован | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 268435456 бит | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С83200Б-6ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16160b7tlitr-datasheets-1376.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 54 | 3В~3,6В | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 8б | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Д-6Б | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,45 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 90-ТФБГА | 13 мм | 90 | 90 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 134217728 бит | 0,001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61К1024АЛ-12ТИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61c1024al12titr-datasheets-6124.pdf | 32-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 32 | 32 | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 0,5 мм | 5В | 0,05 мА | Не квалифицирован | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 12нс | 1048576 бит | 0,00045А | 12 нс | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200К1-55ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 86 | 86 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 3,15 В~3,45 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,45 В | 3,15 В | 40 | 3,3 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 183 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 |
