Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Самообновление |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС42С16160Д-7БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $15,31 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 54-ТФБГА | 13,1 мм | 800 мкм | 8,1 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 256 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 130 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 40 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 0,003А | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400Ф-6БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s16400f6bltr-datasheets-5230.pdf | 54-ТФБГА | 3,3 В | 54 | 64 Мб | 130 мА | 3В~3,6В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400Ф-5БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s16400f5bltr-datasheets-5247.pdf | 54-ТФБГА | 3,3 В | 54 | 64 Мб | 140 мА | 3В~3,6В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5нс | 200 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160К-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 90-ЛФБГА | 3,3 В | 90 | 90 | 512 Мб | 300 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | Не квалифицирован | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Е-7ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 86 | 86 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 130 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 3В | 10 | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Е-7БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM | 143 МГц | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 3,3 В | 130 мА | 3,6 В | 3В | 90 | Параллельно | 128 Мб | 143 МГц | 130 мА | 3В~3,6В | 90-ТФБГА (8х13) | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16400Ф-6БЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 54 | 54 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | 3,3 В | 0,155 мА | Не квалифицирован | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 67108864 бит | 0,003А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С83200Д-6ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 256 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 180 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | Не квалифицирован | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX8 | 8 | 0,003А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Б-7ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 86 | 86 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.28 | 1 | 150 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | 10 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16105Б-50ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | ДРАМ-ФП | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 3,3 В | 44 | 44 | 16 Мб | 1 | EAR99 | ТОЛЬКО RAS/CAS ДО RAS/СКРЫТЫЙ/АВТООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 160 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25нс | 10б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,001А | ОБЩИЙ | 1024 | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16100Б-50КЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 2 (1 год) | ДРАМ - ЭДО | АСИНХРОННЫЙ | 3,75 мм | Соответствует RoHS | 42-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 27,305 мм | 3,3 В | 42 | 42 | 16 Мб | да | 1 | EAR99 | ТОЛЬКО RAS/CAS ДО RAS/СКРЫТОЕ ОБНОВЛЕНИЕ | 1 | 180 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 42 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25нс | 10б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 1024 | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16105Б-60КЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | ДРАМ-ФП | Соответствует RoHS | 42-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 42 | 3В~3,6В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 30 нс | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100К1-6ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 21,05 мм | 1,05 мм | 10,26 мм | 3,3 В | 50 | 50 | 16 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 150 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 50 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Б-6Б | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16160b7tlitr-datasheets-1376.pdf | 54-ЛФБГА | 13 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 180 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 0,001А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Б-6ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SDRAM | 166 МГц | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16160b7tlitr-datasheets-1376.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,6 В | 3В | 54 | Параллельно | 166 МГц | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200К1-6ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s32200c16tltr-datasheets-6031.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 86 | 3,15 В~3,45 В | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200К1-7БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SDRAM | 143 МГц | Соответствует RoHS | 90-ЛФБГА | 3,6 В | 3В | 90 | Параллельно | 143 МГц | 3,15 В~3,45 В | 90-БГА (13x8) | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Б-7ТИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45s32400b6bla1-datasheets-2957.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 86 | 86 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | не_совместимо | 8542.32.00.02 | 1 | 130 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 0,001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Б-6Т-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SDRAM | 166 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16160b7tlitr-datasheets-1376.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 54 | Параллельно | 256 Мб | 166 МГц | 180 мА | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Д-7ТИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 86 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | не_совместимо | 8542.32.00.02 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,13 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г86 | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 134217728 бит | 0,001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С83200Б-6Т | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16160b7tlitr-datasheets-1376.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 54 | 54 | нет | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX8 | 8 | 0,001А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61К6416АЛ-12КИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | 3,75 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61c6416al12ki-datasheets-6117.pdf | 44-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 28,575 мм | 5В | 44 | 44 | 1 Мб | нет | 1 | 1 | 45 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 44 | НЕ УКАЗАН | 5В | Не квалифицирован | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 16б | СРАМ | Параллельно | 16 | 12нс | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61К632А-7ТК | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61c632a6tqi-datasheets-3716.pdf | 100-LQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 100 | 1 Мб | нет | 1 | ВНУТРЕННЯЯ ЗАПИСЬ ПО САМОСТОЯТНИЮ | 1 | 150 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3,135 В~3,6 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,63 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 1Мб 32К х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7нс | 75 МГц | 15б | СРАМ | Параллельно | 32КХ32 | 32 | 32б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200Е-7ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 86 | 86 | 64 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 140 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | 40 | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 143 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WD040-JVLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,8 В | 8 | SPI, серийный | 4 Мб | 1,65 В~1,95 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 80 МГц | 19б | ВСПЫШКА | СПИ | 3 мс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41К16257К-35ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ДРАМ-ФП | Соответствует ROHS3 | 44-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм), 40 выводов | 40 | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 0,8 мм | 5В | 0,15 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г40 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18нс | ДРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 0,001А | ОБЩИЙ | 512 | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16105К-50КЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ДРАМ-ФП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is41c16105c50klitr-datasheets-9978.pdf | 42-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 42 | 42 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 1,27 мм | 3,3 В | 0,09 мА | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25нс | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,001А | ОБЩИЙ | 1024 | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100Ф-5ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 20,95 мм | 3,3 В | 50 | 50 | 16 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 120 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 50 | 3,6 В | 3В | 40 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 200 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 2048 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100Э-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 60-ТФБГА | 10,1 мм | 60 | 60 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 60 | 3,6 В | 3В | 10 | 3,3 В | 0,17 мА | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,004А | ОБЩИЙ | 2048 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100Ф-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 60-ТФБГА | 10,1 мм | 3,3 В | 60 | 60 | 16 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 110 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 60 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 2048 | 1248ФП | 1248 |
