Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Обратная распиновка | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Самообновление | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС42С16160ДЖ-7ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s16160j7tli-datasheets-7713.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 6 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 10 | Р-ПДСО-Г54 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 268435456 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПС102418А-250Б3И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 3,135 В~3,465 В | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 2,6 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800ДЖ-7БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $5,48 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б90 | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 268435456 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НВФ102418-6.5Б3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 2,375 В~2,625 В | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 6,5 нс | 133 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР85120АЛ-125КБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 1,35 В | 78 | 8 недель | 78 | 4ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 0,243 мА | Не квалифицирован | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 800 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 512MX8 | 8 | 15нс | 0,016А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВФ51236А-6.5Б3И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 2,375 В~2,625 В | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 6,5 нс | 133 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС29ГЛ256-70ДЛЕБ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 64-ЛБГА | 9 мм | 9 мм | 64 | 2 недели | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б64 | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 70нс | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 256MX1 | 1 | 200 мкс | 268435456 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41К16100К-50ТИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ДРАМ - ЭДО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм), 44 вывода | 20,95 мм | 10,16 мм | 44 | 1 | EAR99 | CAS ПЕРЕД RAS/САМООБНОВЛЕНИЕ/АВТООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 0,8 мм | 44 | 5,5 В | 4,5 В | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г44 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 25нс | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 85нс | 16777216 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16640БЛ-125ДЖБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,35 В | 96 | 6 недель | 96 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВПС51236А-200Б3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 2,375 В~2,625 В | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР85120А-125КБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 1,5 В | 78 | 8 недель | 78 | 4ГБ | 1 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 0,27 мА | Не квалифицирован | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 800 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 512MX8 | 8 | 15нс | 0,018А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP512M-RGLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 24-ТБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б24 | 512Мб 64М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 64MX8 | 8 | 1,6 мс | 536870912 бит | СЕРИАЛ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100Х-7ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 20,95 мм | 10,16 мм | 50 | 6 недель | 50 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 10 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 5,5 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 16777216 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р32800Д-5БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ЛФБГА | 12 мм | 12 мм | 144 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 2,5 В | 0,8 мм | 144 | 2,7 В | 2,3 В | С-ПБГА-Б144 | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 15нс | 268435456 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400ДЖ-6ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $4,06 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s16400j6tl-datasheets-6049.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 мА | 54 | 6 недель | 54 | 64 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Олово | Нет | 1 | 100 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | НЕТ | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР82560Б-25ЭБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 10,5 мм | 60 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 60 | 1,9 В | 1,7 В | 1,8 В | 0,47 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б60 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15нс | 2147483648 бит | 0,03 А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLP25636A-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $12,48 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61nlp25636a200tqli-datasheets-6155.pdf | 100-LQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 12 недель | Нет СВХК | 100 | 9 Мб | да | 4 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 280 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,135 В | 40 | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 0,05А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП51236-200Б3И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 3,3 В | 165 | 165 | 18 Мб | нет | 4 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 475 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 1 мм | 165 | 3,135 В | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 0,075А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛР32640А-5БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ЛФБГА | 13 мм | 1,8 В | 90 | 14 недель | 90 | 2 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Медь, Серебро, Олово | 8542.32.00.36 | 1 | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 90 | 1,95 В | 1,7 В | 0,19 мА | Не квалифицирован | 2Гб 64М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 200 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 64MX32 | 32 | 15нс | 0,00002А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НВФ25672-7.5Б1И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,95 мм | Соответствует ROHS3 | 209-БГА | 22 мм | 14 мм | 209 | 209 | нет | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 2,375 В~2,625 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 209 | 2,625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,6 мА | Не квалифицирован | 18Мб 256К х 72 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | 256КХ72 | 72 | 18874368 бит | 0,075А | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP256D-JLLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $4,06 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,85 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 8 | 8 недель | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 32MX8 | 8 | 800 мкс | 268435456 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПД102418А-250Б3И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — четырехпортовый, синхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 165 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,33,3 В | 0,5 мА | Не квалифицирован | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2,6 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,075А | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS29GL064-70TLET | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,64 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 2 недели | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 70нс | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 75нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВПС51236А-250Б3И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 2,375 В~2,625 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 165 | 2,625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,5 мА | Не квалифицирован | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2,6 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,125А | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛД32128А-25БПЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | СИНХРОННЫЙ | 0,95 мм | Соответствует ROHS3 | 168-ВФБГА | 12 мм | 12 мм | 168 | 2 недели | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,2 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,3 В 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,5 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б168 | 4Гб 128М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX32 | 32 | 15нс | 4294967296 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВПС102418А-250Б3И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 2,375 В~2,625 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 165 | 2,625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,5 мА | Не квалифицирован | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2,6 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,125А | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS26KL512S-DABLI00 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 24-ВБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 2 недели | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,7 В | Р-ПБГА-Б24 | 512Мб 64М х 8 | Энергонезависимый | 96нс | 3В | 100 МГц | ВСПЫШКА | Параллельно | 64MX8 | 8 | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВФ102418А-6.5Б3И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | нет | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 2,375 В~2,625 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 165 | 2,625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,275 мА | Не квалифицирован | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6,5 нс | 133 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,075А | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ040B-JKLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 8 недель | SPI, серийный | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 4MX1 | 1 | 800 мкс | 4194304 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ6416-10БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lv641610bi-datasheets-4298.pdf | 48-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 48 | 48 | 1 Мб | нет | 1 | РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,63 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,63 В | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 16б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | ОБЩИЙ |
