Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС43ТР16256А-125КБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 290 мА | 6 недель | 96 | 1,425 В~1,575 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р86400Е-5ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | 2,3 В~2,7 В | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16256АЛ-125КБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 1,35 В | 261 мА | 6 недель | 96 | 1,283 В~1,45 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800ДЖ-75ЭБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | е2 | Олово/никель/медь (Sn/Ni/Cu) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 10 | Р-ПБГА-Б90 | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 268435456 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43TR16128CL-15HBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 6 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ЛВ256АЛ-45УЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 28-SOIC (ширина 0,330, 8,38 мм) | 3,3 В | Содержит свинец | 8 недель | 3,63 В | 2,97 В | 28 | Параллельно | 256 КБ | 1 | Нет | 12 мА | 3В~3,6В | 28-СОП | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 45нс | 15б | СРАМ | Параллельно | 45нс | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61C64AL-10JLI-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 1,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | 3,56 мм | Соответствует ROHS3 | 28-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 5В | 28 | 8 недель | 28 | 64 КБ | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 50 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 28 | 40 | 64Кб 8К х 8 | Неустойчивый | 13б | СРАМ | Параллельно | 8КХ8 | 8 | 10 нс | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV1288FBLL-45TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 32-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 8 недель | 2,2 В~3,6 В | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 45нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP064A-JBLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 1,46 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 8 недель | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 8MX8 | 8 | 800 мкс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Ф-7БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б90 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16128БЛ-15ХБЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 10 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-Б96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16128С-3ДБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 8 недель | 1,7 В~1,9 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46Р16320Д-6БЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 60 | 10 недель | 60 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 260 | 2,5 В | 1 мм | 60 | 2,7 В | 2,3 В | 40 | 2,5 В | 0,37 мА | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 536870912 бит | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV51216EDALL-20BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 48 | 1 | ДА | 1,65 В~2,2 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,75 мм | 2,2 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 512КХ16 | 16 | 20нс | 8388608 бит | 20 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16320Ф-6БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 54 | 6 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б54 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46LR16320C-6BLA2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 10 мм | 1,8 В | 60 мА | 60 | 14 недель | 60 | 512 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 110 мА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 0,0003А | ОБЩИЙ | 8192 | 24816 | 24816 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ51216БЛЛ-10МЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 48 | 8 недель | 48 | 8 Мб | 1 | Нет | 1 | 95 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,4 В | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | 19б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LF25636A-7.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM – синхронный, SDR | 117 МГц | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lf25636a75tqlitr-datasheets-7592.pdf | 100-LQFP | 3,3 В | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 9 Мб | 4 | 117 МГц | 185 мА | 3,135 В~3,6 В | 100-ТКФП (14x20) | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 36б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS46LR32160C-6BLA2-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 1,8 В | 130 мА | 14 недель | 90 | 1,7 В~1,95 В | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛР16640А-5БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 10 мм | 8 мм | 60 | 14 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 60 | 1,95 В | 1,7 В | 1,8 В | 0,09 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б60 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | 0,005А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV12824-8BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,5 мм | Соответствует ROHS3 | 119-ББГА | 22 мм | 14 мм | 119 | 8 недель | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б119 | 3Мб 128К х 24 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 128КХ24 | 24 | 8нс | 3145728 бит | 8 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16128К-15ХБЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 10 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 10 | Р-ПБГА-Б96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46Р86400Д-6БЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 60 | 10 недель | 60 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 260 | 2,5 В | 1 мм | 60 | 2,7 В | 2,3 В | 40 | 2,5 В | 0,37 мА | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15нс | 536870912 бит | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛД32640Б-25БПЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | СИНХРОННЫЙ | 0,95 мм | Соответствует ROHS3 | 168-ВФБГА | 12 мм | 12 мм | 168 | 14 недель | 1 | EAR99 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б168 | 2Гб 64М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX32 | 32 | 15нс | 2147483648 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46Р16320Д-5БЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 430 мА | 60 | 10 недель | 60 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 2,5 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 2,6 В | 0,8 мм | 60 | 2,7 В | 2,5 В | 2,6 В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 536870912 бит | 0,03 А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43LR32640A-6BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ЛФБГА | 13 мм | 1,8 В | 90 | 14 недель | 90 | 2 ГБ | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 2Гб 64М х 32 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 64MX32 | 32 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46Р16320Д-6ТЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В | 66 | 10 недель | 66 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 66 | 2,7 В | 2,3 В | 40 | 0,37 мА | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16256А-125КБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 1,5 В | 290 мА | 6 недель | 96 | 1,425 В~1,575 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16256А-107МБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 6 недель | 1 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Р-ПБГА-Б96 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15нс | 4294967296 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16256АЛ-15ХБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 1,35 В | 240 мА | 6 недель | 96 | 1,283 В~1,45 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс |
