Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС61ВВ2568ЕДБЛЛ-10БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 36-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 36 | 8 недель | 36 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 36 | 3,6 В | 2,4 В | 10 | 2,5/3,3 В | 0,035 мА | Не квалифицирован | 2Мб 256К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 10 нс | 2097152 бит | 0,006А | 10 нс | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ5128АЛ-10ТИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lv5128al10tli-datasheets-7955.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,415 мм | 10,16 мм | 44 | нет | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,63 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,095 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г44 | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 512КХ8 | 8 | 10 нс | 4194304 бит | 0,02 А | 10 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800ДЖ-75ЭТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM | 133 МГц | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | Параллельно | 3В~3,6В | 86-ЦОП II | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р86400Ф-5ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,5 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G66 | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV51216EALL-55TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | 1 | ДА | 1,65 В~2,2 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 2,2 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г44 | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 512КХ16 | 16 | 55нс | 8388608 бит | 55 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С83200Г-7ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 54 | 8 недель | 54 | 256 Мб | 130 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | Не квалифицирован | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX8 | 8 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16640С-3ДБИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 1,7 В~1,9 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64WV6416EEBLL-10CTLA3-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 10 недель | да | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г44 | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 64КХ16 | 16 | 10 нс | 1048576 бит | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16160Б-3ДБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 84 | 8 недель | 84 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,8 В | 0,28 мА | Не квалифицирован | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46Р16160Ф-6ТЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 10 недель | 66 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | 268435456 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32200Л-6ТЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 100 мА | 8 недель | 86 | 3В~3,6В | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV25616EALL-55BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ВФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | да | 1 | ДА | 1,65 В~2,2 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,75 мм | 2,2 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 55нс | 4194304 бит | 55 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | Соответствует ROHS3 | 54-ВФБГА | 10 недель | 1,7 В~1,95 В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 70нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР16320Д-3ДБЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | 84 | 8 недель | 84 | 512 Мб | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS | 8542.32.00.28 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 0,23 мА | Не квалифицирован | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р86400Ф-5БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,13 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 60 | 8 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16320Д-25ДБИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | 84 | 84 | 512 Мб | нет | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | неизвестный | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р86400Э-5ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 8 недель | 1 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G66 | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16640Б-125ДЖБЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,5 В | 96 | 10 недель | 96 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР86400С-25ДБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $6,42 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 10,5 мм | 135 мА | 60 | 8 недель | 60 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 1,8 В | Не квалифицирован | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15нс | 536870912 бит | 0,013А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР16320Д-3ДБЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | SDRAM-DDR2 | 333 МГц | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 1,8 В | 8 недель | 84 | Параллельно | 512 Мб | 333 МГц | 1,7 В~1,9 В | 84-TWBGA (8x12,5) | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 450пс | 333 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16128Б-125КБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 6 недель | 1,425 В~1,575 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР82560КЛ-15ХБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 8 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 10 | Р-ПБГА-Б78 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLF25618EC-7.5TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 100 | 117 МГц | 1 | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | 2,5/3,33,3 В | 0,22 мА | Не квалифицирован | 4,5Мб 256К х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | СРАМ | Параллельно | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,04А | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р83200Д-6ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 280 мА | 66 | 66 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 2,5 В | 0,65 мм | 66 | 2,7 В | 2,3 В | 2,5 В | Не квалифицирован | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX8 | 8 | 15нс | 268435456 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16128КЛ-15ХБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 6 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16160Г-7БЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 54 | 8 недель | 54 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 130 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С83200Г-6ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 54 | 8 недель | 54 | 256 Мб | 160 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | Не квалифицирован | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX8 | 8 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР86400Д-25ДБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 1,8 В | 8 недель | 60 | 512 Мб | 1,7 В~1,9 В | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р86400Е-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 8 недель | 2,3 В~2,7 В | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16640Б-3ДБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,63 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | 84 | 8 недель | 84 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 220 мА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 0,015А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 |
