Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Обратная распиновка | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Самообновление |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61WV10248BLL-10MLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 недель | 48 | 8 Мб | 2 | 100 мА | 2,4 В~3,6 В | 8Мб 1М х 8 | Неустойчивый | 20б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLP25636A-200TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 20,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 3,3 В | 100 | 12 недель | 100 | 9 Мб | 4 | 280 мА | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 0,635 мм | Не квалифицирован | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 0,05А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С86400Д-6ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 8 недель | 54 | 512 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 200 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS46TR16128AL-15HBLA2-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | SDRAM-DDR3 | 667 МГц | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is46tr16128a15hbla1tr-datasheets-2271.pdf | 96-ТФБГА | 1,35 В | 255 мА | 1,45 В | 1,283 В | 96 | Параллельно | 666 МГц | 1,283 В~1,45 В | 96-TWBGA (9x13) | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ16320Д-75БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 13 мм | 1,8 В | 54 | 12 недель | 54 | 512 Мб | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 100 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 225 | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6нс | 133 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 0,00001А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16128КЛ-15ХБЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 10 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 10 | Р-ПБГА-Б96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ16320Е-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $8,39 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | 12 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | С-ПБГА-Б54 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР16640Б-3ДБЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 84 | 8 недель | 84 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | 0,015А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42РМ32800Е-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 80 мА | 90 | 90 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~3 В | НИЖНИЙ | 2,5 В | 0,8 мм | 3В | 2,3 В | 2,5 В | Не квалифицирован | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 268435456 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16128БЛ-15ХБЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 10 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16256А-15ХБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 5,54 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 1,5 В | 267 мА | 6 недель | 96 | 4ГБ | Медь, Серебро, Олово | 1,425 В~1,575 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 667 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16128БЛ-125КБЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 10 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС63ВВ1288ДБЛЛ-10ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,71 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 32-SOIC (ширина 0,400, 10,16 мм) | 32 | 8 недель | 32 | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 1,27 мм | 2,5/3,3 В | 0,055 мА | Не квалифицирован | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 10 нс | 1048576 бит | 0,000055А | 10 нс | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP064A-JLLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,85 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 8 | 8 недель | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 8MX8 | 8 | 800 мкс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ2568БЛЛ-55ХЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 1,93 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv2568bll55blitr-datasheets-9315.pdf | 32-TFSOP (ширина 0,465, 11,80 мм) | 3,3 В | 32 | 8 недель | 32 | 2 Мб | 1 | Нет | 15 мА | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 0,5 мм | 2Мб 256К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 55нс | 8б | 55 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61К6416АЛ-12КЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,67 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 5В | 8 недель | 5,5 В | 4,5 В | 44 | Параллельно | 1 Мб | 1 | Нет | 45 мА | 4,5 В~5,5 В | 44-СОЮ | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 12нс | 16б | СРАМ | Параллельно | 12нс | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400ДЖ-7БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 1,69 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 54 | 6 недель | 54 | 64 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 90 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | НЕТ | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ25616БЛЛ-55БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 4,00 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is62wv25616bll55bli-datasheets-8265.pdf | 48-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 48 | 8 недель | 48 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 18 МГц | 1 | 15 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,5 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,5 В | 40 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 16 | 55нс | 16б | 55 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP256D-JLLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,68 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,85 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 8 | 8 недель | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 32MX8 | 8 | 800 мкс | 268435456 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43TR81280BL-125JBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б78 | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15нс | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ32200М-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 12 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б90 | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 67108864 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62К25616БЛ-45ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $4,20 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is62c25616bl45tli-datasheets-8389.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 5В | 20 мА | 44 | 8 недель | 44 | 4 Мб | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 20 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,8 мм | 44 | 40 | 5В | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 45нс | 16б | 45 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ20488БЛЛ-10МЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 48 | 8 недель | 48 | 16 Мб | 1 | 100 мА | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 0,75 мм | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 16Мб 2М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 21б | СРАМ | Параллельно | 2MX8 | 8 | 10 нс | 0,025А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВЭ2М16TCLL-70БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 10 недель | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,75 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 70нс | 33554432 бит | 70 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LF102418B-6.5TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 100 | 1 | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 6,5 нс | 133 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ20488БЛЛ-25МЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 48 | 8 недель | 48 | 16 Мб | да | 1 | 1 | 30 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3В | 0,8 мм | 48 | 3,6 В | 2,4 В | 40 | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 16Мб 2М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 21б | СРАМ | Параллельно | 2MX8 | 8 | 25нс | 8б | 25 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16512АЛ-15ХБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ЛФБГА | 14 мм | 1,35 В | 96 | 12 недель | 96 | 8 ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1,333 ГГц | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 512MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS49NLC36800-33WBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТБГА | 18,5 мм | 11 мм | 144 | 14 недель | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б144 | 288Мб 8М х 36 | Неустойчивый | 20нс | 300 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX36 | 36 | 301989888 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК18160-33ВБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТБГА | 18,5 мм | 11 мм | 144 | 14 недель | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б144 | 288Мб 16М х 18 | Неустойчивый | 20нс | 300 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX18 | 18 | 301989888 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК18320А-33ВБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТБГА | 18,5 мм | 11 мм | 144 | 14 недель | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б144 | 576Мб 32М х 18 | Неустойчивый | 20нс | 300 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX18 | 18 | 603979776 бит |
