Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС49РЛ36160-125БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 168-ЛБГА | 13,5 мм | 168 | 14 недель | 168 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 800 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,28 В~1,42 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 1 мм | 168 | 1,42 В | 1,28 В | 1,35 В | 2,615 мА | Не квалифицирован | 576Мб 16М х 36 | Неустойчивый | 36б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12нс | ДРАМ | Параллельно | 16MX36 | 36 | 603979776 бит | 0,125А | ОБЩИЙ | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДБ21М36-250М3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — синхронный, DDR II | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61ddb21m36250m3-datasheets-1559.pdf | 165-ЛБГА | 1,8 В | 165 | 165 | 36 Мб | нет | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 165 | 0,55 мА | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4 нс | 250 МГц | 20б | СРАМ | Параллельно | 36 | 0,2 А | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДБ21М36-250М3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, QUAD | 1,7 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 165-ЛБГА | 17 мм | 1,8 В | 165 | 165 | 36 Мб | нет | 2 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 1 | 700 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 250 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 36б | синхронный | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,71 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПС51236А-250Б3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SRAM – синхронный, SDR | 250 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lps51236a250b3tr-datasheets-1598.pdf | 165-ТБГА | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 250 МГц | 3,135 В~3,465 В | 165-ТФБГА (13x15) | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 2,6 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ25616АЛ-10ЛКИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lv25616al10tl-datasheets-3928.pdf | 44-LQFP | 3,3 В | 44 | 44 | 4 Мб | 1 | неизвестный | 110 мА | 3,135 В~3,6 В | КВАД | 3,3 В | 0,8 мм | Не квалифицирован | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ256-15ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lv25615tl-datasheets-0596.pdf | 28-ТССОП (ширина 0,465, 11,80 мм) | 3,3 В | 28 | 28 | 256 КБ | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 90 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,55 мм | 28 | 3,63 В | 2,97 В | 40 | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15б | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 15нс | 0,002А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ10248-10Т-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lv1024810ttr-datasheets-0630.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,6 В | 3,135 В | 44 | Параллельно | 3,135 В~3,6 В | 44-ЦОП II | 8Мб 1М х 8 | Неустойчивый | 10 нс | СРАМ | Параллельно | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ6416-10БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 48 | 48 | 1 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 130 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3,135 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,63 В | 40 | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 16б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ5128АЛ-10БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lv5128al10tli-datasheets-7955.pdf | 36-ТФБГА | 10 мм | 8 мм | 36 | 36 | нет | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,75 мм | 36 | 3,63 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,095 мА | Не квалифицирован | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 512КХ8 | 8 | 10 нс | 4194304 бит | 0,02 А | 10 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62C1024AL-35QI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is62c1024al35qitr-datasheets-1714.pdf | 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) | 5В | 32 | 1 Мб | 1 | 30 мА | 4,5 В~5,5 В | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 17б | СРАМ | Параллельно | 35 нс | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ12816БЛЛ-55Т | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is62wv12816bll55t-datasheets-1730.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 44 | 44 | 2 Мб | нет | 1 | Нет | 1 | 3мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,5 В | 2Мб 128К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 16 | 55нс | 16б | 55 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ5128БЛЛ-55Т2И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128bll55t2li-datasheets-3032.pdf | 32-SOIC (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,6 В | 2,5 В | Параллельно | 2,5 В~3,6 В | 32-ЦОП II | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 55нс | СРАМ | Параллельно | 55нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС63ЛВ1024-10ДЖ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is63lv1024l12jl-datasheets-7623.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 3,3 В | 32 | 1 Мб | 1 | 150 мА | 3В~3,6В | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 17б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV1288BLL-55HI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv1288bll55tli-datasheets-9320.pdf | 32-TFSOP (ширина 0,465, 11,80 мм) | 3,6 В | 2,5 В | 32 | Параллельно | 2,5 В~3,6 В | 32-сЦОП I | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 55нс | СРАМ | Параллельно | 55нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛФ51236-7.5ТКИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61nlf5123675tqi-datasheets-1991.pdf | 100-LQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 100 | 18 Мб | нет | 4 | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 475 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,135 В | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 117 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 0,075А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200Э-6ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s32200e6tl-datasheets-2620.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,42 мм | 1,05 мм | 10,29 мм | 3,3 В | Без свинца | 160 мА | 86 | 86 | 64 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Олово | Нет | 1 | 160 мА | е3 | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | 40 | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32400Б-6БЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45s32400b6bla1-datasheets-2957.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 90 | 90 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 40 | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 134217728 бит | 0,001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16100К1-7БЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | 1 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45s16100c17bla1-datasheets-3000.pdf | 60-ТФБГА | 10,1 мм | 3,3 В | 60 | 60 | 16 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 60 | 3,6 В | 3В | 40 | 0,16 мА | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 143 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,003А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32200Е-7ТЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is45s32200e7tla1-datasheets-2663.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 86 | 86 | 64 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 140 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 143 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400Д-6ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 54 | 64 Мб | 3В~3,6В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200К1-6ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 86 | 86 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | неизвестный | 8542.32.00.02 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 3,15 В~3,45 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛФ12836А-7.5Б2И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM – синхронный, SDR | Не соответствует требованиям RoHS | 119-ББГА | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 117 МГц | 3,135 В~3,6 В | 119-ПБГА (14х22) | 4,5 МБ 128К х 36 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Д-6ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM | 166 МГц | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s32800d6tltr-datasheets-2695.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 86 | Параллельно | 256 Мб | 166 МГц | 180 мА | 3В~3,6В | 86-ЦОП II | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200Э-7БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 3,3 В | 140 мА | 90 | 90 | 64 Мб | 140 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | Не квалифицирован | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 143 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Д-6БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SDRAM | 166 МГц | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 90 | Параллельно | 256 Мб | 166 МГц | 180 мА | 3В~3,6В | 90-ТФБГА (8х13) | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Д-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SDRAM | 166 МГц | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s32800d6blitr-datasheets-2768.pdf | 90-ТФБГА | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 90 | Параллельно | 256 Мб | Нет | 166 МГц | 180 мА | 3В~3,6В | 90-ТФБГА (8х13) | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160А-75Б-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SDRAM | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 90-ЛФБГА | 3,6 В | 3В | 90 | Параллельно | 133 МГц | 3В~3,6В | 90-ЛФБГА (8x13) | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400Ф-5БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s16400f5bl-datasheets-5214.pdf | 54-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 64 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 140 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | Не квалифицирован | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 200 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Э-7БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 54-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 128 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 130 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Б-7БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 90-ЛФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 90 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.28 | 1 | 150 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 10 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 |
