Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Обратная распиновка | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Самообновление | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС62К25616ЭЛ-45ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,8 мм | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г44 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 45нс | 4194304 бит | 45 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВЭ2М16ЕАЛЛ-70БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 10 недель | да | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,75 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 70нс | 33554432 бит | 70 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ16800Х-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 12 недель | 1,7 В~1,95 В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42РМ16800Х-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 12 недель | 2,3 В~2,7 В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16400ДЖ-7КТЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 54 | 8 недель | 54 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 0,07 мА | Не квалифицирован | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 67108864 бит | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | НЕТ | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16640БЛ-107МБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $9,59 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,35 В | 96 | 6 недель | 96 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Медь, Серебро, Олово | 8542.32.00.32 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 933 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Г-7БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $9,73 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 8 недель | 90 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.24 | 1 | 150 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 0,003А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43TR16128CL-125KBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $8,16 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 6 недель | да | неизвестный | 1,283 В~1,45 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 44 | 10 недель | 44 | 4 Мб | да | 1 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 225 | 3В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 18б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР81280Б-25ДБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 60 | 8 недель | 60 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,8 В | 0,29 мА | Не квалифицирован | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15нс | 1073741824 бит | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43TR82560CL-15HBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б78 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16128КЛ-15ХБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,18 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 6 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 10 | Р-ПБГА-Б96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР82560БЛ-15ХБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 1,35 В | 78 | 8 недель | 78 | 2 ГБ | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPS25618EC-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $11,21 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 100 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | 10 | 2,5/3,33,3 В | 0,22 мА | Не квалифицирован | 4,5Мб 256К х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,085А | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPS25618A-200TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lps25618a200tqlitr-datasheets-6542.pdf | 100-LQFP | 12 недель | 100 | 3,135 В~3,465 В | 4,5Мб 256К х 18 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16320Ф-6БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 60 | 8 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16160Г-6CTLA1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM | 166 МГц | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | 3,6 В | 3В | 54 | Параллельно | 166 МГц | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16320Ф-5ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 8 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | Р-ПДСО-G66 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43LR32800G-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 90 | 14 недель | 90 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | 1,8 В | 0,13 мА | Не квалифицирован | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 15нс | 268435456 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 24816 | 24816 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16640Б-125КБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 6 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б96 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16640Б-125ДЖБЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,5 В | 96 | 10 недель | 96 | 1 ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32400Ф-7БЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 90 | 8 недель | 90 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 134217728 бит | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р86400Е-5БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 8 недель | 2,3 В~2,7 В | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42РМ32800К-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 90 | 12 недель | 90 | 1 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~3 В | НИЖНИЙ | 2,5 В | 0,8 мм | 3В | 2,3 В | 2,5 В | 0,14 мА | Не квалифицирован | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 268435456 бит | 0,0003А | ОБЩИЙ | 4096 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62К256АЛ-25УЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 1,69 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 28-SOIC (ширина 0,330, 8,38 мм) | 5В | 8 недель | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Параллельно | 256 КБ | 1 | Нет | 30 мА | 4,5 В~5,5 В | 28-СОП | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 25нс | 15б | СРАМ | Параллельно | 25нс | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP032D-JLLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 1,65 В~1,95 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 800 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ016B-JNLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В | 8 недель | 8 | SPI, серийный | 16 Мб | 2,3 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 8 нс | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 1 мс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS66WVE4M16EALL-70BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $8,64 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is66wve4m16all70bli-datasheets-1391.pdf | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 10 недель | 1 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,75 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 0,025 мА | Р-ПБГА-Б48 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | ПСРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 70нс | 67108864 бит | 0,00015А | 70 нс | ОБЩИЙ | НЕТ | 1,7 В | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62К10248АЛ-55ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is62c10248al55tli-datasheets-7515.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 5В | 44 | 8 недель | 44 | 8 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 25 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,8 мм | 44 | 40 | 5В | 8Мб 1М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 8 | 55нс | 0,00006А | 8б | 55 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Ф-75ЭТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 86 | 8 недель | 86 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит |
