Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Самообновление |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС42С32160А-75БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,45 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 90-ЛФБГА | 13 мм | 90 | 90 | нет | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | не_совместимо | 8542.32.00.28 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,335 мА | Не квалифицирован | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит | 0,0024А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32200Э-7БЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 90 | 64 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 140 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 40 | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 143 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16800Б-7ТЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SDRAM | 143 МГц | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45s16800b7tla1-datasheets-2909.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,6 В | 3В | 54 | Параллельно | 143 МГц | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛФ51236А-6.5Б2ЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует RoHS | 119-ББГА | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 133 МГц | 3,135 В~3,6 В | 119-ПБГА (14х22) | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 6,5 нс | 133 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДБ42М18-250М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, QUAD | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 165 | да | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 40 | 1,5/1,81,8 В | 0,5 мА | Не квалифицирован | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | 0,2 А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Д-6ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 86 | 86 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | 180 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 3В | 10 | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Д-75ЭБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16800d75etl-datasheets-2922.pdf | 54-ВФБГА | 54 | 3В~3,6В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 6,5 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Д-7БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s16160d7blitr-datasheets-4544.pdf | 54-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 130 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 0,003А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400Ф-7БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 54-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 64 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Медь, Серебро, Олово | Нет | 1 | 110 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 0,003А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Э-6ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 150 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 10 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Б-75БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,33 мм | Соответствует RoHS | 90-ЛФБГА | 13 мм | 90 | 90 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 10 | Не квалифицирован | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Д-75ЭТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM | 133 МГц | Соответствует RoHS | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,6 В | 3В | 86 | Параллельно | 133 МГц | 3В~3,6В | 86-ЦОП II | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С86400Б-7ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s86400b7tl-datasheets-5279.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 150 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С83200Д-6ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 54 | совместимый | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г54 | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX8 | 8 | 268435456 бит | 0,003А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП25636А-200Б2ЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 119-ББГА | 3,3 В | 119 | 119 | 9 Мб | 4 | Нет | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | 1,27 мм | 0,28 мА | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 0,05А | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Д-75ЭТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM | 133 МГц | Соответствует RoHS | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,6 В | 3В | 86 | Параллельно | 133 МГц | 3В~3,6В | 86-ЦОП II | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16100Б-60ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | ДРАМ - ЭДО | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 3,3 В | 44 | 44 | 16 Мб | да | 1 | EAR99 | ТОЛЬКО RAS/CAS ДО RAS/СКРЫТОЕ ОБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 170 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 50 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 30 нс | 10б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 1024 | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16105Б-50КЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 2 (1 год) | ДРАМ-ФП | 3,75 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is41lv16105b50kl-datasheets-5940.pdf | 42-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 27,305 мм | 3,3 В | 42 | 42 | 16 Мб | да | 1 | EAR99 | ТОЛЬКО RAS/CAS ДО RAS/СКРЫТЫЙ/АВТООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 160 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 42 | 3,6 В | 3В | 40 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25нс | 10б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,001А | ОБЩИЙ | 1024 | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS42S16100C1-7TL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SDRAM | 143 МГц | Соответствует RoHS | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 50 | Параллельно | 16 Мб | 143 МГц | 130 мА | 3В~3,6В | 50-ЦОП II | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 143 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100К1-6ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s16100c16tltr-datasheets-5982.pdf | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 20,95 мм | 3,3 В | 50 | 50 | 16 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | неизвестный | 8542.32.00.02 | 1 | 150 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 50 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 166 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Б-7Б | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16160b7tlitr-datasheets-1376.pdf | 54-ЛФБГА | 13 мм | 54 | 54 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 0,001А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400Д-7БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SDRAM | 143 МГц | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s16400d7blitr-datasheets-6018.pdf | 60-ТФБГА | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 60 | Параллельно | 64 Мб | 143 МГц | 110 мА | 3В~3,6В | 60-МиниBGA (6,4x10,1) | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200К1-6Т | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s32200c16t-datasheets-6032.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 86 | 86 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | не_совместимо | 8542.32.00.02 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,15 В~3,45 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,185 мА | Не квалифицирован | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200К1-7ТИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s32200c17ti-datasheets-6052.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 86 | 86 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | не_совместимо | 8542.32.00.02 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,15 В~3,45 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Б-7Б-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SDRAM | 143 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45s32400b6bla1-datasheets-2957.pdf | 90-ТФБГА | Параллельно | 3В~3,6В | 90-ТФБГА (8х13) | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Б-7ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SDRAM | 143 МГц | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45s32400b6bla1-datasheets-2957.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 86 | Параллельно | 128 Мб | 143 МГц | 130 мА | 3В~3,6В | 86-ЦОП II | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Б-7БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,45 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s32800b6tli-datasheets-3007.pdf | 90-ЛФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 90 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | 150 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Б-7БИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,45 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s32800b6tli-datasheets-3007.pdf | 90-ЛФБГА | 13 мм | 90 | 90 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 240 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 30 | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 268435456 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS42VS16100C1-10TL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SDRAM | 100 МГц | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42vs16100c110t-datasheets-3652.pdf | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 1,9 В | 1,7 В | 50 | Параллельно | 100 МГц | 1,7 В~1,9 В | 50-ЦОП II | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 7нс | 100 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61К6416АЛ-12ТИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 5В | 44 | 44 | 1 Мб | нет | 1 | Нет | 1 | 45 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 5В | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 0,8 мм | 44 | 5В | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 16б | СРАМ | Параллельно | 16 | 12нс | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ |
