Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Оценочный комплект | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Функция | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Режим доступа | Используемая микросхема/деталь | Вторичные атрибуты | Поставляемый контент | Встроенный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС43ДР16640Б-3ДБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | 84 | 8 недель | 84 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Медь, Серебро, Олово | Нет | 8542.32.00.32 | 1 | 220 мА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 0,015А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НВП51236-250Б3И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 2,375 В~2,625 В | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 2,6 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС29ГЛ128-70ДЛЕБ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 64-ЛБГА | 9 мм | 9 мм | 64 | 2 недели | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б64 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 70нс | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 128MX1 | 1 | 200 мкс | 134217728 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВФ51236А-6.5Б3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 2,375 В~2,625 В | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 6,5 нс | 133 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16256Б-107МБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $9,46 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 10 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Р-ПБГА-Б96 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15нс | 4294967296 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Г-6БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 3В~3,6В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61C5128AS-25QLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) | 20,75 мм | 2,75 мм | 11,43 мм | 5В | 32 | 8 недель | 32 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 15 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 32 | 40 | 5В | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 25нс | 0,0009А | 8б | 25 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2,9 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР81280Б-3ДБИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 60 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 1,8 В | 0,27 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б60 | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15нс | 1073741824 бит | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ010B-JBLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 8 | 8 | SPI, серийный | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 1MX1 | 1 | 800 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Ф-7БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б90 | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 134217728 бит | 0,002А | 5,4 нс | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ЧЕТЫРЕ БАНКОВСКИХ СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ512B-JBLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 8 | 8 | SPI, серийный | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 512КХ1 | 1 | 800 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР81280Б-25ДБЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 10,5 мм | 60 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 400 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 1,8 В | 0,29 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б60 | АЭК-Q100 | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15нс | 1073741824 бит | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV1288EEBLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61wv1288eebll10tli-datasheets-6071.pdf | 32-SOIC (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 10,16 мм | 32 | 8 недель | 32 | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,4 В | 2,5/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицирован | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 10 нс | 1048576 бит | 0,004А | 10 нс | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПС102418А-200Б3И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 165 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,33,3 В | 0,475 мА | Не квалифицирован | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,125А | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ032B-JLLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 8 | 8 недель | SPI, серийный | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 32MX1 | 1 | 1 мс | 33554432 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛФ51236-6.5Б3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | нет | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 165 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,33,3 В | 0,45 мА | Не квалифицирован | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6,5 нс | 133 МГц | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,06А | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS34MW04G084-ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $8,32 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-NAND (SLC) | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,5 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г48 | 4Гб 512М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | ВСПЫШКА | Параллельно | 512MX8 | 8 | 45нс | 4294967296 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛФ25672-7.5Б1И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,95 мм | Соответствует ROHS3 | 209-БГА | 22 мм | 14 мм | 209 | 209 | нет | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 209 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,33,3 В | 0,6 мА | Не квалифицирован | 18Мб 256К х 72 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | 256КХ72 | 72 | 18874368 бит | 0,075А | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ016B-JBLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 3В | 8 | 8 | SPI, серийный | 16 Мб | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | НЕ УКАЗАН | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 16MX1 | 1 | 1 мс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДПБ42М36А2-550Б4ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — четырехпортовый, синхронный | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | 1,8 В | 1,3 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б165 | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 550 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX36 | 36 | 75497472 бит | 0,38 А | 0,45 нс | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,71 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС29ГЛ128-70ФЛЕБ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 64-ЛБГА | 13 мм | 11 мм | 64 | 2 недели | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б64 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 70нс | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 128MX1 | 1 | 200 мкс | 134217728 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВПС102418А-200Б3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 2,375 В~2,625 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 165 | 2,625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,425 мА | Не квалифицирован | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,11 А | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС26КС512С-ДПБЛИ00 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 24-ВБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 2 недели | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б24 | 512Мб 64М х 8 | Энергонезависимый | 96нс | 1,8 В | 166 МГц | ВСПЫШКА | Параллельно | 64MX8 | 8 | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛФ25672-6.5Б1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,95 мм | Соответствует ROHS3 | 209-БГА | 22 мм | 14 мм | 209 | нет | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 209 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | Р-ПБГА-В209 | 18Мб 256К х 72 | Неустойчивый | 6,5 нс | 133 МГц | СРАМ | Параллельно | 256КХ72 | 72 | 18874368 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16256БЛ-125КБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б96 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15нс | 4294967296 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160ДЖ-6ТИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 256 Мб | 167 МГц | 3В~3,6В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ЛВ256АЛ-45ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 0,90 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is62lv256al45tli-datasheets-0435.pdf | 28-ТССОП (ширина 0,465, 11,80 мм) | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 28 | 8 недель | Нет СВХК | 28 | 256 КБ | да | 1 | EAR99 | Нет | 22 МГц | 1 | 12 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,55 мм | 28 | 3,63 В | 2,97 В | 30 | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15б | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 45нс | 0,00002А | 8б | 45 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV102416ALL-35MI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is65wv102416bll25ma3-datasheets-1403.pdf | 48-ТФБГА | 11 мм | 9 мм | 48 | нет | 3A991.B.2.A | совместимый | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 1,65 В~2,2 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,75 мм | 48 | 2,2 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | 1,8/2 В | 0,03 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б48 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 35 нс | 16777216 бит | 0,0012А | 35 нс | ОБЩИЙ | 1,65 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16128С-3ДБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $8,68 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 8 мм | 84 | 8 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 1,8 В | 0,485 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б84 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | 0,03 А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS31IO7326-QFLS4-EB | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Интерфейс | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | Да | Сканер клавиатуры | ИС31ИО7326 | I2C-интерфейс | Совет(ы) | Нет |
