Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 48 | нет | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 225 | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,3 В | 0,05 мА | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 10 нс | 4194304 бит | 0,015А | 10 нс | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР16128А-3ДБЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43dr16128a3dbli-datasheets-4491.pdf | 84-ЛФБГА | 13,5 мм | 10,5 мм | 84 | 84 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 1,8 В | 0,45 мА | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | 0,03 А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВЕ1М16ЕБЛЛ-55БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,75 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 55нс | 16777216 бит | 55 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP016-JBLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 1,84 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is25wp016jble-datasheets-4147.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 16MX1 | 1 | 800 мкс | 16777216 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP128-РГЛЕ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 24-ТБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б24 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 16MX8 | 8 | 800 мкс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42РМ32400Х-75БИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 2,3 В~2,7 В | 90-ТФБГА (8х13) | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42РМ32200К-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42rm32200k6blitr-datasheets-4417.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 225 | 2,5 В | 0,8 мм | 3В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,075 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б90 | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 134217728 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ16800Э-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45vm16800e75bla1-datasheets-4424.pdf | 54-ТФБГА | 8 мм | 1,8 В | 54 | 54 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 133 МГц | 1 | 110 мА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 54 | 1,95 В | 1,7 В | Не квалифицирован | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 0,000015А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ЛД32320А-25БЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | Р-ПБГА-В134 | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX32 | 32 | 15нс | 1073741824 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ЛД32320А-3БЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 1,14 В~1,95 В | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ512B-JDLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 2,3 В~3,6 В | 8-ЦСОП | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 800 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ25616ДБЛЛ-45БИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv25616dall55bitr-datasheets-5647.pdf | 48-ТФБГА | 48 | 2,3 В~3,6 В | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 45нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV5128DALL-55BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128dall55tli-datasheets-5717.pdf | 36-ТФБГА | 36 | 1,65 В~2,2 В | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 55нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV25616DALL-55TL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv25616dall55bitr-datasheets-5647.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 44 | 1,65 В~2,2 В | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 55нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДБ22М18К-250М3ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, QUAD | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | Р-ПБГА-Б165 | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 8,4 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP080D-JNLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 8 недель | да | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | 10 | Р-ПДСО-Г8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 1MX8 | 8 | 800 мкс | 8388608 бит | СЕРИАЛ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР86400С-25ДБИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43dr86400c25dbi-datasheets-1394.pdf | 60-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 60 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | совместимый | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 1,8 В | 0,37 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б60 | 512М 64М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15нс | 536870912 бит | 0,013А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ204816БЛЛ-10БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $28,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 10 нс | 33554432 бит | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПС12836А-200Б3И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lps12836a200b3i-datasheets-1483.pdf | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | совместимый | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 165 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,33,3 В | 0,21 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б165 | 4Мб 128К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2,6 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,075А | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16160Ф-6ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,75 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В | 66 | 8 недель | 66 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | ИНН | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | 10 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Ф-6БИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 3В~3,6В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС64ВВ6416БЛЛ-15ТЛА3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $14,33 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 44 | 10 недель | 44 | 1 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 50 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,5 В | 10 | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 16б | СРАМ | Параллельно | 16 | 15нс | 0,075А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16160Б-3ДБИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 84 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,8 В | 0,28 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б84 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | 268435456 бит | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ20488БЛЛ-10МЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 21,95 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 48 | 8 недель | Нет СВХК | 48 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 100 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,4 В | 40 | 2,5/3,3 В | 16Мб 2М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 21б | СРАМ | Параллельно | 2MX8 | 8 | 10 нс | 0,025А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Г-7БИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 54 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,3 В | 0,13 мА | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б54 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 268435456 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР81280С-25ДБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $9,96 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 60 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 10 | 1,8 В | 0,3 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б60 | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15нс | 1073741824 бит | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛФ102418А-7.5Б3И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 3,135 В~3,465 В | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ25616ЕДБЛЛ-10ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,24 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,54 мм | 1,05 мм | 10,29 мм | 35 мА | 44 | 8 недель | 44 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 35 мА | е3 | ИНН | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,4 В | 10 | 2,5/3,3 В | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 0,006А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПС51236А-200Б3И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 3,135 В~3,465 В | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ25616БЛЛ-10БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61wv25616bll10tlitr-datasheets-2920.pdf | 48-ТФБГА | 8,1 мм | 900 мкм | 6,1 мм | 48 | 8 недель | 48 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 45 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,4 В | 40 | 2,5/3,3 В | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 0,009А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В |
