Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС61ВПС204836Б-250М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,375 В~2,625 В | НИЖНИЙ | 260 | 2,5 В | 1 мм | 165 | 2,625 В | 2,375 В | 10 | 2,5 В | Не квалифицирован | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2,8 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX36 | 36 | 75497472 бит | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64LPS204818B-166TQLA3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | 10 | 2,5/3,33,3 В | 0,32 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | АЭК-Q100 | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,8 нс | 166 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | 0,115А | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Ф-6ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $11,75 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | 86 | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 0,245 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б90 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП25636А-200Б3ЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТФБГА | 3,3 В | 165 | 12 недель | 165 | 9 Мб | 4 | 280 мА | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | 1 мм | Не квалифицирован | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 0,05А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП102418Б-200Б3Л-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | да | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLP102418B-200TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | да | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Р-PQFP-G100 | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16256А-15ХБЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 267 мА | 96 | 10 недель | 96 | 1 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 1,5 В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15нс | 0,018А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Д-7БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $16,01 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | Без свинца | 90 | 8 недель | Нет СВХК | 90 | 512 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.28 | 1 | 230 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPD25636A-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 12 недель | 100 | 9 Мб | да | 4 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 275 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,135 В | 40 | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 0,06А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС64ВВ51216БЛЛ-10МЛА3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 10 недель | 48 | 8 Мб | 1 | Нет | 140 мА | 2,4 В~3,6 В | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | 19б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV102416EBLL-45BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $8,41 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ВФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 48 | да | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,2 В | НЕ УКАЗАН | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 45нс | 16777216 бит | 45 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS34MW04G084-TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-NAND (SLC) | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,5 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г48 | 4Гб 512М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | ВСПЫШКА | Параллельно | 512MX8 | 8 | 45нс | 4294967296 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР16320С-3ДБЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $7,72 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | 84 | 8 недель | 84 | 512 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 250 мА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 0,011А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС64ВВ25616БЛЛ-10CTLA3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $8,80 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 44 | 10 недель | 44 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 65 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,4 В | 10 | 2,5/3,3 В | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32800ДЖ-7ТЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $7,01 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 86 | 8 недель | 86 | 256 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПС12836А-200ТКИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM – синхронный, SDR | 200 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lps12836a200tqitr-datasheets-9470.pdf | 100-LQFP | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 200 МГц | 3,135 В~3,465 В | 100-ТКФП (14x20) | 4,5 МБ 128К х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ20488ФБЛЛ-45БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ВФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,2 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 16Мб 2М х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 2MX8 | 8 | 45нс | 16777216 бит | 45 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLF12836A-7.5TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 12 недель | 100 | 4 Мб | да | 4 | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 160 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,135 В | 10 | 4,5 МБ 128К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 117 МГц | 17б | СРАМ | Параллельно | 128КХ36 | 36 | 0,035А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16640Б-3ДБИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | 84 | 84 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 0,25 мА | Не квалифицирован | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 0,015А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДП2Б21М18А-400М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR IIP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | НЕ УКАЗАН | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 400 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,45 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДП2Б251236А-400М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR IIP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | НЕ УКАЗАН | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 400 МГц | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,45 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLP204818B-200TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 100 | да | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPS51236A-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $19,56 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 100-LQFP | 20 мм | 3,3 В | 475 мА | 100 | 657,000198мг | 100 | 18 Мб | да | 4 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 475 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,135 В | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 0,125А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПС25618А-200Б2ЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM – синхронный, SDR | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 119-ББГА | 3,465 В | 3,135 В | Параллельно | 200 МГц | 3,135 В~3,465 В | 119-ПБГА (14х22) | 4,5Мб 256К х 18 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LV12824-10TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 3,3 В | 3,63 В | 2,97 В | 100 | Параллельно | 3 Мб | 1 | 210 мА | 3,135 В~3,6 В | 100-ТКФП (14x20) | 3Мб 128К х 24 | Неустойчивый | 10 нс | 17б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 24б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ5128АЛ-10К | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | 3,75 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lv5128al10tli-datasheets-7955.pdf | 36-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 23,495 мм | 3,3 В | 36 | 36 | 4 Мб | нет | 1 | 1 | 90 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3,135 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 36 | 3,63 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 8 | 10 нс | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ5128АЛ-10Т | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lv5128al10tli-datasheets-7955.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,415 мм | 10,16 мм | 44 | 44 | нет | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,63 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,09 мА | Не квалифицирован | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 512КХ8 | 8 | 10 нс | 4194304 бит | 0,015А | 10 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLP102418-200TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM – синхронный, SDR | 200 МГц | Соответствует RoHS | 100-LQFP | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 200 МГц | 3,135 В~3,465 В | 100-ТКФП (14x20) | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ12816БЛЛ-55БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | 48-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 48 | 48 | 2 Мб | нет | 1 | Нет | 1 | 3мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 2,5 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,5 В | 2Мб 128К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 16 | 55нс | 16б | 55 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61VF51236A-7.5TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 100-LQFP | 20 мм | 2,5 В | 100 | 100 | 18 Мб | да | 4 | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 250 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,375 В~2,625 В | КВАД | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | 2,625 В | 2,375 В | 40 | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 117 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 0,075А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | 2,38 В |
