Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС61КДПБ22М18А-333М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, QUADP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 1,5/1,81,8 В | 1,15 мА | Не квалифицирован | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,4 нс | 333 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | 0,29 А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NVP204818B-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 100 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 2,375 В~2,625 В | КВАД | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | 2,625 В | 2,375 В | 2,5 В | 0,26 мА | Не квалифицирован | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | 0,12 А | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLP204836B-166TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 12 недель | 100 | 3,135 В~3,465 В | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3,8 нс | 166 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДПБ24М18А-333М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, QUADP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 1,5/1,81,8 В | 1,15 мА | Не квалифицирован | 72Мб 4М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,4 нс | 333 МГц | СРАМ | Параллельно | 4MX18 | 18 | 75497472 бит | 0,29 А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64LPS204818B-166TQLA3-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 12 недель | 3,135 В~3,465 В | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 3,8 нс | 166 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPS409618B-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | 10 | 2,5/3,33,3 В | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | 72Мб 4М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 4MX18 | 18 | 75497472 бит | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВПС204818Б-166Б3ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 1,8 В | 0,34 мА | Не квалифицирован | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,8 нс | 166 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | 0,12 А | ОБЩИЙ | 1,71 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16256А-125КБЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 1,5 В | 290 мА | 10 недель | 96 | 4ГБ | 230 мА | 1,425 В~1,575 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 800 МГц | 18б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16128А-15ХБЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is46tr16128a15hbla1tr-datasheets-2271.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,5 В | 286 мА | 96 | 96 | 2 ГБ | 1 | EAR99 | РЕЖИМ АВТОМАТИЧЕСКОГО ОБНОВЛЕНИЯ, ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,35 В. | 8542.32.00.36 | 1 | 140 мА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 96 | 1,575 В | 1,425 В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 667 МГц | 17б | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 0,02 А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NVF51236B-7.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 12 недель | 100 | 2,375 В~2,625 В | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LF102418B-6.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 100 | ПРОХОДНОЙ | 1 | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 6,5 нс | 133 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61VPS102418B-250TQL-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 12 недель | 2,375 В~2,625 В | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 2,6 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НВФ51236Б-6.5Б3ЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 12 недель | 165 | 2,375 В~2,625 В | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 6,5 нс | 133 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLP51218A-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 3,3 В | 100 | 12 недель | 100 | 9 Мб | да | 2 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 280 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | 40 | 9Мб 512К х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 18 | 0,05А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16320Ф-7ТЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 8 недель | 54 | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16160Г-7КТЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 8 недель | 54 | 256 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 130 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | АЭК-Q100 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32400Ф-6БЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 8 недель | 90 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 150 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р86400Д-5БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 430 мА | 60 | 8 недель | 60 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 2,5 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 225 | 2,6 В | 1 мм | 2,7 В | 2,5 В | НЕ УКАЗАН | 2,6 В | Не квалифицирован | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15нс | 536870912 бит | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ16320Е-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 12 недель | 1,7 В~1,95 В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р86400Д-5ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $13,75 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 66 | 8 недель | 66 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | 430 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 2,5 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,6 В | 0,65 мм | 66 | 2,7 В | 2,5 В | 40 | 2,6 В | Не квалифицирован | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 200 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15нс | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР86400Д-3ДБИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Не соответствует требованиям RoHS | 60-ТФБГА | 1,8 В | 60 | 512 Мб | 1,7 В~1,9 В | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 450пс | 333 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР82560С-125КБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 8 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 10 | Р-ПБГА-Б78 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР82560БЛ-15ХБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 1,35 В | 78 | 8 недель | 78 | 2 ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛД32160А-25БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $8,06 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 11,5 мм | 134 | 14 недель | 512 Мб | 1 | EAR99 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 400 МГц | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В134 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 13б | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 15нс | ЧЕТЫРЕ БАНКОВСКИХ СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДП2Б41М18А-400М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, QUADP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | 1,5/1,81,8 В | 1,15 мА | Не квалифицирован | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,4 нс | 400 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,36 А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49РЛ36160-125БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 168-ЛБГА | 13,5 мм | 168 | 14 недель | 168 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 800 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,28 В~1,42 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 1 мм | 168 | 1,42 В | 1,28 В | 1,35 В | 2,615 мА | Не квалифицирован | 576Мб 16М х 36 | Неустойчивый | 36б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12нс | ДРАМ | Параллельно | 16MX36 | 36 | 603979776 бит | 0,125А | ОБЩИЙ | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДБ41М36-250М3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, QUAD | 1,7 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 165 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | НЕ УКАЗАН | 1,5/1,81,8 В | 0,5 мА | Не квалифицирован | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 37748736 бит | 0,2 А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛФ102418А-7.5ТК-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SRAM – синхронный, SDR | 117 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lf102418a75tqtr-datasheets-1579.pdf | 100-LQFP | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 117 МГц | 3,135 В~3,6 В | 100-ТКФП (14x20) | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПС12836А-200Б2ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 119-ББГА | 22 мм | 3,3 В | 119 | 119 | 4,5 Мб | да | 4 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 210 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | 3,135 В | 40 | 4,5 МБ 128К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 17б | СРАМ | Параллельно | 128КХ36 | 36 | 0,075А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ12816Л-10ЛКИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lv12816l10lqitr-datasheets-1618.pdf | 44-LQFP | 10 мм | 10 мм | 44 | 44 | нет | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | 3,135 В~3,6 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,63 В | 2,97 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 2Мб 128К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 128КХ16 | 16 | 10 нс | 2097152 бит | 10 нс |
