Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС64ВФ12832А-7.5ТКЛА3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 2,5 В | 100 | 12 недель | 100 | 4 Мб | да | 4 | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,375 В~2,625 В | КВАД | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | 2,75 В | 2,375 В | 40 | 0,175 мА | 4Мб 128К х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 117 МГц | 17б | СРАМ | Параллельно | 128КХ32 | 32 | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПС25636А-200ТКИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lps25636a200tqitr-datasheets-9088.pdf | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 100 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LF102418B-7.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | да | ПРОХОДНОЙ | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Р-PQFP-G100 | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16320Д-6ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $15,18 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 6 недель | 54 | 512 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 180 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП102418Б-200Б3ЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | да | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16320Д-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $14,58 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 54 | 6 недель | 54 | 512 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 180 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Д-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $23,83 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 8 недель | 90 | 512 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | 245 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | Не квалифицирован | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16256АЛ-15ХБЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 240 мА | 10 недель | 96 | 1,283 В~1,45 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLP25618A-200TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM – синхронный, SDR | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61nlp25618a200tqlitr-datasheets-9396.pdf | 100-LQFP | 3,3 В | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4 Мб | 2 | 200 МГц | 210 мА | 3,135 В~3,465 В | 100-ТКФП (14x20) | 4,5Мб 256К х 18 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 18б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16128Б-15ХБЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,5 В | 96 | 10 недель | 96 | 2 ГБ | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛР16320Б-6БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 10 мм | 1,8 В | 60 | 14 недель | 60 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | 110 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | 60 | 1,95 В | 1,7 В | 40 | Не квалифицирован | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 12нс | 0,00001А | ОБЩИЙ | 8192 | 24816 | 24816 | ||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46Р16320Э-5БЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 10 недель | 60 | 512 Мб | 200 МГц | 2,3 В~2,7 В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 13б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16320Д-5ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $5,06 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В | 66 | 8 недель | 66 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.28 | 1 | 430 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 2,5 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,6 В | 0,65 мм | 66 | 2,7 В | 40 | 2,6 В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 200 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР16320Д-25ДБЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | 84 | 8 недель | 512 Мб | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS | 8542.32.00.28 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 0,25 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б84 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 400 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32800ДЖ-6ТЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 86 | 8 недель | 86 | 256 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46Р86400Д-6ТЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is46r86400d6tla1tr-datasheets-9497.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 66 | 10 недель | 66 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 225 | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,37 мА | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15нс | 536870912 бит | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43LR32160C-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $8,05 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 1,8 В | 60 мА | 90 | 14 недель | Нет СВХК | 90 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | Не квалифицирован | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 12нс | 536870912 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 8192 | 24816 | 24816 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДП2Б41М18А-400М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR IIP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 1,5/1,81,8 В | 0,75 мА | Не квалифицирован | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,32 А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | 1,71 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДПБ21М18А-400М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR IIP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | да | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 40 | 1,8 В | 0,75 мА | Не квалифицирован | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,32 А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLF102436B-6.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | да | ПРОХОДНОЙ | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Р-PQFP-G100 | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 6,5 нс | 133 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 37748736 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПД51236А-200Б3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SRAM – синхронный, SDR | 200 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 165-ТБГА | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 200 МГц | 3,135 В~3,465 В | 165-ПБГА (13x15) | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPS51236A-200TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | 0°С | SRAM – синхронный, SDR | 200 МГц | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lps51236a200tqlitr-datasheets-1596.pdf | 100-LQFP | 3,3 В | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 18 Мб | 4 | 200 МГц | 475 мА | 3,135 В~3,465 В | 100-ТКФП (14x20) | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 36б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ12816Л-10БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lv12816l10bi-datasheets-1613.pdf | 48-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 48 | 48 | 2 Мб | нет | 1 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 240 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,63 В | 2,97 В | 10 | 0,065 мА | 2Мб 128К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 0,004А | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ5128АЛ-10К-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lv5128al10tli-datasheets-7955.pdf | 36-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,63 В | 3,135 В | 36 | Параллельно | 3,135 В~3,6 В | 36-СОЮ | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 10 нс | СРАМ | Параллельно | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LV632A-6TQI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lv632a6tqi-datasheets-0565.pdf | 100-LQFP | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 83,3 МГц | 3,135 В~3,6 В | 100-ТКФП (14x20) | 1Мб 32К х 32 | Неустойчивый | 6нс | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП102418-200ТК | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61nlp102418200tq-datasheets-1678.pdf | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 100 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,33,3 В | 0,425 мА | Не квалифицирован | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,06А | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП25636А-200Б3И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | Не соответствует требованиям RoHS | 165-ТФБГА | 165 | 165 | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | 1 мм | 2,5/3,33,3 В | 0,28 мА | Не квалифицирован | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,05А | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП25672-200Б1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,95 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61nlp25672200b1-datasheets-1711.pdf | 209-БГА | 22 мм | 14 мм | 209 | 209 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 209 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,33,3 В | 0,55 мА | Не квалифицирован | 18Мб 256К х 72 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 256КХ72 | 72 | 18874368 бит | 0,06А | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62К1024АЛ-35ТИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | 32-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 5В | 32 | 32 | 1 Мб | нет | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 30 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 0,5 мм | 32 | 5В | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 8 | 35 нс | 8б | 35 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ1288БЛЛ-55ТИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv1288bll55tli-datasheets-9320.pdf | 32-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 3,3 В | 32 | 32 | 1 Мб | нет | 1 | EAR99 | 1 | 8мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 32 | 3,6 В | 2,5 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 8 | 55нс | 0,000005А | 8б | 55 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ |
