Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльянс Память, Инк.(2556)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Скорость передачи данных | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AS4C16M16S-7TCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16s6tintr-datasheets-8724.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | Без свинца | 100 мА | 54 | 54 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 40 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 14 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16Д2-25БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d225bcntr-datasheets-8914.pdf | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | Без свинца | 84 | 8 недель | 84 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 400пс | 400 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31025C-10ТДЖИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,683 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31025c12tintr-datasheets-7093.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 20,955 мм | 7,62 мм | 3,3 В | Без свинца | 32 | 32 | 1 Мб | да | 3A991.B.2.B | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | 32 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 10 нс | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C4M16S-6TANTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16s6tantr-datasheets-9455.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 54 | 54 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 40 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 2нс | 67108864 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М8Д3Л-12БИН | Альянс Память, Инк. | $6,68 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3l12bcn-datasheets-9776.pdf | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 1,35 В | 78 | 78 | 2 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | неизвестный | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М16Д3-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d312ban-datasheets-0138.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,5 В | 96 | 96 | 2 ГБ | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | неизвестный | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М16Д3Л-12БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95°С | -40°С | SDRAM-DDR3L | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3l12bin-datasheets-9758.pdf | 96-ТФБГА | 1,35 В | 96 | Параллельно | 2 ГБ | 800 МГц | 1,283 В~1,45 В | 96-ФБГА (9х13) | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16СМ-7ТИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 4 (72 часа) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16sm7tcntr-datasheets-2776.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | Без свинца | 512 Мб | EAR99 | 8542.32.00.28 | 3В~3,6В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 133 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16МД1-5БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM — мобильный LPDDR | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2014 год | 60-ТФБГА | 8 недель | Параллельно | 1,7 В~1,9 В | 60-ФБГА (8x9) | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16Д1-5ТЦН | Альянс Память, Инк. | $3,12 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d15tin-datasheets-8223.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,35 мм | 1,1 мм | 10,29 мм | 2,5 В | Без свинца | 66 | 66 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.28 | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 66 | 2,7 В | 2,3 В | 40 | 400 Мбит/с | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 700пс | 200 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MT48LC16M16A2TG-6A ИТ:ГТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc16m16a2tg6aitgtr-datasheets-8457.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 1 недели | 3В~3,6В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT46V32M16CV-5B ИТ:J | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt46v64m8cv5bitj-datasheets-6396.pdf | 60-ТФБГА | 1 недели | 2,5 В~2,7 В | 60-ФБГА (8х12,5) | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 55нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M8D3A-12БАНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3a12bantr-datasheets-5162.pdf | 78-ВФБГА | 8 недель | 1,425 В~1,575 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К512М8Д3А-12БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d3a12bintr-datasheets-5214.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 9 мм | 78 | 8 недель | да | совместимый | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б78 | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 512MX8 | 8 | 15нс | 4294967296 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3Л-12БАНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3l12bantr-datasheets-5264.pdf | 96-ВФБГА | 1,283 В~1,45 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М8Д3ЛА-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3la12ban-datasheets-5325.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | совместимый | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-Б78 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C32M16MS-7BCN | Альянс Память, Инк. | $5,54 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильная SDRAM | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16ms7bcn-datasheets-5867.pdf | 54-ВФБГА | 8 недель | 1,7 В~1,95 В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C32M32MD2-25BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16md225bcn-datasheets-5873.pdf | 134-ВФБГА | 8 недель | 1,14 В~1,95 В | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16МД1-5БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,05 мм | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16md16bintr-datasheets-2903.pdf | 60-ТФБГА | 10 мм | 8 мм | 60 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | совместимый | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | Р-ПБГА-Б60 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К62256А-70ПИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | SRAM — асинхронный | 3,937 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c62256a70sintr-datasheets-6081.pdf | 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 5В | 28 | 6 недель | 28 | 256 КБ | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | НЕТ | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 2,54 мм | 28 | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 15б | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 70нс | 70 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ41К512М16ХА-107 ИТ:А | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | /files/alliancememoryinc-mt41k512m16ha107ita-datasheets-7919.pdf | 96-ТФБГА | 8 недель | 1,283 В~1,45 В | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C4098A-12ДЖИН | Альянс Память, Инк. | $5,04 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c4098a12jin-datasheets-3517.pdf | 44-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 28,7 мм | 2,92 мм | 10,29 мм | 5В | 8 недель | Нет СВХК | 5,5 В | 4,5 В | 44 | Параллельно | 4 Мб | 1 | Нет | 4,5 В~5,5 В | 44-СОЮ | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 12нс | 18б | СРАМ | Параллельно | 12нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT48LC64M8A2TG-75:ИТ:С | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc64m8a2p75ctr-datasheets-4036.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 4 недели | Параллельно | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16Д1-6ТИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d16tcn-datasheets-5024.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G66 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C34098A-10TCN | Альянс Память, Инк. | $9,98 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c34098a10tin-datasheets-8225.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,52 мм | 1,05 мм | 10,26 мм | 3,3 В | Без свинца | 10 недель | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 4 Мб | 1 | Нет | 3В~3,6В | 44-ЦОП2 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 10 нс | 18б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3ЛБ-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3lb12ban-datasheets-5134.pdf | 96-ТФБГА | 13,5 мм | 9 мм | 96 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ 1,35 В. | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б96 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15нс | 4294967296 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16Д3ЛБ-12БИН | Альянс Память, Инк. | $11,71 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3lb12bcn-datasheets-3528.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б96 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16МД1А-5БИН | Альянс Память, Инк. | $6,72 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16md1a5bin-datasheets-5936.pdf | 60-ВФБГА | 9 мм | 8 мм | 60 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К4016-55ЗИН | Альянс Память, Инк. | $3,66 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c401655zin-datasheets-7995.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,6 мм | 1,05 мм | 10,3 мм | 3В | Без свинца | 44 | 8 недель | 44 | 4 Мб | да | 1 | EAR99 | Нет | 18 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,8 мм | 44 | 5,5 В | 2,7 В | 40 | 3/5 В | 0,06 мА | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 55нс | 0,00003А | 55 нс | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К8М16Д1-5БИН | Альянс Память, Инк. | $3,95 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16d15bin-datasheets-1916.pdf | 60-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 60 | 8 недель | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 15нс | 134217728 бит |
