Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльянс Память, Инк.(2556)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Идентификатор упаковки производителя | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Диапазон температур окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АС4К64М16Д2-25БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d225bcntr-datasheets-8914.pdf | 84-ТФБГА | 1,8 В | Без свинца | 84 | 8 недель | 84 | 1 ГБ | Нет | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 0,33 мА | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 400 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 0,01 А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C32M16D2-25BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d225bintr-datasheets-8916.pdf | 84-ТФБГА | 1,8 В | Без свинца | 84 | 84 | 512 Мб | Нет | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 0,2 мА | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 400 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 0,008А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К4М32С-6ТИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m32s7tcntr-datasheets-8953.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 160 мА | 86 | 86 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 3В | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 2нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d312ban-datasheets-9745.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,5 В | 96 | 96 | 4ГБ | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | неизвестный | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М8Д3-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d312ban-datasheets-9858.pdf | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 1,5 В | 78 | 78 | 2 ГБ | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | неизвестный | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M8D3L-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | SDRAM-DDR3L | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3l12bcn-datasheets-9776.pdf | 78-ТФБГА | 1,35 В | 12 недель | 78 | Параллельно | 2 ГБ | 800 МГц | 1,283 В~1,45 В | 78-ФБГА (8х10,5) | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M8D3L-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | SDRAM-DDR3L | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d3l12bin-datasheets-9678.pdf | 78-ТФБГА | 1,35 В | Без свинца | 78 | Параллельно | 1 ГБ | 800 МГц | 1,283 В~1,45 В | 78-ФБГА (8х10,5) | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C512M8D3-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 95°С | 0°С | SDRAM-DDR3 | 800 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d312bcn-datasheets-9808.pdf | 78-ТФБГА | 1,5 В | 78 | Параллельно | 4ГБ | 800 МГц | 1,425 В~1,575 В | 78-ФБГА (9х10,5) | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М8Д3-15БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~90°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d312bcn-datasheets-9768.pdf | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Р-ПБГА-Б78 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К2М32С-7ТЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c2m32s6tin-datasheets-9684.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,35 мм | 1,1 мм | 10,29 мм | 3,3 В | Без свинца | 86 | 86 | 64 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | 40 | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 143 МГц | 10б | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 2нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К2М32Д1-5ТИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM-DDR | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | Параллельно | 2,3 В~2,7 В | 66-ЦОП II | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3А-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3a12ban-datasheets-5133.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 8 недель | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б96 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15нс | 4294967296 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М8Д3ЛА-12БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3la12bintr-datasheets-5196.pdf | 78-ВФБГА | 8 недель | 1,283 В~1,45 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3ЛА-12БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3la12bin-datasheets-5234.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б96 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15нс | 4294967296 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3Л-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3l12bantr-datasheets-5264.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-Б96 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15нс | 4294967296 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M16D3LA-12BANTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | /files/alliancememoryinc-as4c128m16d3la12ban-datasheets-5144.pdf | 96-ВФБГА | 8 недель | 1,283 В~1,45 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М32МД2-18БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m32md218bcn-datasheets-5851.pdf | 134-ВФБГА | 8 недель | 1,14 В~1,95 В | 4Гб 128М х 32 | Неустойчивый | 533 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M32MD2A-25BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-cy62256nll70pxc-datasheets-3556.pdf | 134-ВФБГА | 8 недель | 1,14 В~1,95 В | 2Гб 64М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16МД2А-25БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-cy62256nll70pxc-datasheets-3556.pdf | 134-ВФБГА | 1,14 В~1,95 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AP-CF008GRHNS-НРК | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Альянс Память, Инк. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К4М16СА-6БАН | Альянс Память, Инк. | $3,44 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16sa6ban-datasheets-2902.pdf | 54-ТФБГА | 8 недель | 3В~3,6В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К8008-55БИН | Альянс Память, Инк. | $6,82 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c800855bin-datasheets-3785.pdf | 48-ЛФБГА | 8 мм | 3В | Без свинца | 48 | 8 недель | 48 | 8 Мб | да | 1 | Нет | 1 | ДА | 2,7 В~5,5 В | НИЖНИЙ | 260 | 3В | 0,75 мм | 48 | 5,5 В | 2,7 В | 40 | 3/5 В | 0,06 мА | 8Мб 1М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 8 | 55нс | 0,00005А | 55 нс | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К16М32МД1-5БЦН | Альянс Память, Инк. | $5,11 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m32md15bcn-datasheets-6651.pdf | 90-ВФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | 90 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 15нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К6264-55ПКН | Альянс Память, Инк. | $6,15 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c626455pcn-datasheets-3040.pdf | 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 36,32 мм | 4,191 мм | 13,21 мм | 3В | Без свинца | 28 | 8 недель | 28 | 64 КБ | да | 1 | EAR99 | Нет | АС6К6264-55ПКН | 8542.32.00.32 | 1 | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 2,54 мм | 28 | 5,5 В | 2,7 В | 40 | 3/5 В | 0,045 мА | 70°С | 64Кб 8К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 13б | СРАМ | Параллельно | 8КХ8 | 55нс | 55 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К8008А-45ЗИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c8008a45zin-datasheets-4426.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | 44 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 8Мб 1М х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 1MX8 | 8 | 45нс | 8388608 бит | 45 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС1К4М16ПЛ-70БИН | Альянс Память, Инк. | $4,55 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | СИНХРОННЫЙ/АСИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as1c4m16pl70bin-datasheets-5318.pdf | 49-ВФБГА | 4 мм | 4 мм | 49 | 10 недель | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,5 мм | 1,95 В | 1,7 В | С-ПБГА-Б49 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 70нс | ПСРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 67108864 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16Д1-5БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d15bcn-datasheets-5386.pdf | 60-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 60 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К512М8Д3ЛБ-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d3lb12ban-datasheets-6321.pdf | 78-ВФБГА | 10,6 мм | 9 мм | 78 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ 1,35 В. | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б78 | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 512MX8 | 8 | 15нс | 4294967296 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К16М16СА-6БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16sa6ban-datasheets-8256.pdf | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | неизвестный | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | С-ПБГА-Б54 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 12нс | 268435456 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К2М32Д1А-5БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c2m32d1a5bin-datasheets-8988.pdf | 144-ЛФБГА | 12 мм | 12 мм | 144 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б144 | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 15нс | 67108864 бит |
