Альянс Память, Инк.

Альянс Память, Инк.(2556)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Режим работы Высота сидя (макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Максимальный ток питания Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Количество контактов Интерфейс Плотность Код Pbfree Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Макс. частота Идентификатор упаковки производителя Достичь кода соответствия Код HTS Количество функций Код JESD-609 Терминал отделки Поверхностный монтаж Напряжение питания Положение терминала Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Источники питания Максимальный ток питания Диапазон температур окружающей среды: высокий Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Размер памяти Тип памяти Ширина шины данных Выходные характеристики Время доступа Тактовая частота Ширина адресной шины Формат памяти Интерфейс памяти Организация Ширина памяти Время цикла записи — Word, Page Плотность памяти Максимальный ток в режиме ожидания Время доступа (макс.) Тип ввода/вывода Циклы обновления Последовательная длина пакета Длина чередующегося пакета Напряжение в режиме ожидания-мин. Производитель
AS4C64M16D2-25BINTR АС4К64М16Д2-25БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR2 Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d225bcntr-datasheets-8914.pdf 84-ТФБГА 1,8 В Без свинца 84 8 недель 84 1 ГБ Нет ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ 1,8 В 0,8 мм 0,33 мА 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 16б 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 400пс 400 МГц 13б ДРАМ Параллельно 64MX16 16 15нс 0,01 А ОБЩИЙ 8192 48 48
AS4C32M16D2-25BCNTR AS4C32M16D2-25BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°К~85°К ТК Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR2 Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d225bintr-datasheets-8916.pdf 84-ТФБГА 1,8 В Без свинца 84 84 512 Мб Нет ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ 1,8 В 0,8 мм 0,2 мА 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 16б 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 400пс 400 МГц 13б ДРАМ Параллельно 32MX16 16 15нс 0,008А ОБЩИЙ 8192 48 48
AS4C4M32S-6TIN АС4К4М32С-6ТИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM 1,2 мм Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m32s7tcntr-datasheets-8953.pdf 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 3,3 В 160 мА 86 86 128 Мб 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ Нет 8542.32.00.02 1 ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 3,3 В 0,5 мм 3,6 В 128Мб 4М х 32 Неустойчивый 32б 5,5 нс 166 МГц 12б ДРАМ Параллельно 4MX32 32 2нс
AS4C256M16D3-12BAN АС4К256М16Д3-12БАН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d312ban-datasheets-9745.pdf 96-ТФБГА 13 мм 1,5 В 96 96 4ГБ да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ неизвестный 1 ДА 1,425 В~1,575 В НИЖНИЙ 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В 4 ГБ 256 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц 15б ДРАМ Параллельно 256MX16 16 15нс
AS4C256M8D3-12BAN АС4К256М8Д3-12БАН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d312ban-datasheets-9858.pdf 78-ТФБГА 10,5 мм 1,5 В 78 78 2 ГБ да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ неизвестный 1 ДА 1,425 В~1,575 В НИЖНИЙ 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В 2Гб 256М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц 15б ДРАМ Параллельно 256MX8 8 15нс
AS4C256M8D3L-12BCNTR AS4C256M8D3L-12BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°С~95°С ТК Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 95°С 0°С SDRAM-DDR3L 800 МГц Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3l12bcn-datasheets-9776.pdf 78-ТФБГА 1,35 В 12 недель 78 Параллельно 2 ГБ 800 МГц 1,283 В~1,45 В 78-ФБГА (8х10,5) 2Гб 256М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц 15б ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C128M8D3L-12BCNTR AS4C128M8D3L-12BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°С~95°С ТК Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 95°С 0°С SDRAM-DDR3L 800 МГц Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d3l12bin-datasheets-9678.pdf 78-ТФБГА 1,35 В Без свинца 78 Параллельно 1 ГБ 800 МГц 1,283 В~1,45 В 78-ФБГА (8х10,5) 1Гб 128М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц 14б ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C512M8D3-12BCNTR AS4C512M8D3-12BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°С~95°С ТК Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 95°С 0°С SDRAM-DDR3 800 МГц Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d312bcn-datasheets-9808.pdf 78-ТФБГА 1,5 В 78 Параллельно 4ГБ 800 МГц 1,425 В~1,575 В 78-ФБГА (9х10,5) 4Гб 512М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц 16б ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C256M8D3-15BCN АС4К256М8Д3-15БЦН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°К~90°К ТК Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d312bcn-datasheets-9768.pdf 78-ТФБГА 10,5 мм 8 мм 78 8 недель 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.36 1 ДА 1,425 В~1,575 В НИЖНИЙ 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В Р-ПБГА-Б78 2Гб 256М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 256MX8 8 15нс 2147483648 бит
AS4C2M32S-7TCN АС4К2М32С-7ТЦН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c2m32s6tin-datasheets-9684.pdf 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,35 мм 1,1 мм 10,29 мм 3,3 В Без свинца 86 86 64 Мб да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ Нет 8542.32.00.02 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,5 мм 86 3,6 В 40 64Мб 2М х 32 Неустойчивый 32б 5,5 нс 143 МГц 10б ДРАМ Параллельно 2MX32 2нс
AS4C2M32D1-5TIN АС4К2М32Д1-5ТИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) 85°С -40°С SDRAM-DDR 200 МГц Соответствует ROHS3 Параллельно 2,3 В~2,7 В 66-ЦОП II 64Мб 2М х 32 Неустойчивый 700пс 200 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C256M16D3A-12BAN АС4К256М16Д3А-12БАН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 СИНХРОННЫЙ 1 мм Не соответствует требованиям RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3a12ban-datasheets-5133.pdf 96-ВФБГА 13 мм 9 мм 96 8 недель да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,425 В~1,575 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б96 4 ГБ 256 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 256MX16 16 15нс 4294967296 бит
AS4C256M8D3LA-12BINTR АС4К256М8Д3ЛА-12БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3la12bintr-datasheets-5196.pdf 78-ВФБГА 8 недель 1,283 В~1,45 В 2Гб 256М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C256M16D3LA-12BIN АС4К256М16Д3ЛА-12БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1 мм Не соответствует требованиям RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3la12bin-datasheets-5234.pdf 96-ВФБГА 13 мм 9 мм 96 8 недель да 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,35 В 0,8 мм 1,45 В 1,283 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б96 4 ГБ 256 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 256MX16 16 15нс 4294967296 бит
AS4C256M16D3L-12BAN АС4К256М16Д3Л-12БАН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3l12bantr-datasheets-5264.pdf 96-ВФБГА 13 мм 9 мм 96 да 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ 1,35 В 0,8 мм 1,45 В 1,283 В Р-ПБГА-Б96 4 ГБ 256 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 256MX16 16 15нс 4294967296 бит
AS4C128M16D3LA-12BANTR AS4C128M16D3LA-12BANTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L /files/alliancememoryinc-as4c128m16d3la12ban-datasheets-5144.pdf 96-ВФБГА 8 недель 1,283 В~1,45 В 2 ГБ 128 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C128M32MD2-18BINTR АС4К128М32МД2-18БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~85°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR2 Не соответствует требованиям RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m32md218bcn-datasheets-5851.pdf 134-ВФБГА 8 недель 1,14 В~1,95 В 4Гб 128М х 32 Неустойчивый 533 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C64M32MD2A-25BCNTR AS4C64M32MD2A-25BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -30°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR2 Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-cy62256nll70pxc-datasheets-3556.pdf 134-ВФБГА 8 недель 1,14 В~1,95 В 2Гб 64М х 32 Неустойчивый 400 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C64M16MD2A-25BCN АС4К64М16МД2А-25БЦН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -30°К~85°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR2 Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-cy62256nll70pxc-datasheets-3556.pdf 134-ВФБГА 1,14 В~1,95 В 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 400 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AP-CF008GRHNS-NRK AP-CF008GRHNS-НРК Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

- Альянс Память, Инк.
AS4C4M16SA-6BAN АС4К4М16СА-6БАН Альянс Память, Инк. $3,44
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16sa6ban-datasheets-2902.pdf 54-ТФБГА 8 недель 3В~3,6В НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 64Мб 4М х 16 Неустойчивый 5,4 нс 166 МГц ДРАМ Параллельно 2нс
AS6C8008-55BIN АС6К8008-55БИН Альянс Память, Инк. $6,82
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) СМД/СМТ SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c800855bin-datasheets-3785.pdf 48-ЛФБГА 8 мм Без свинца 48 8 недель 48 8 Мб да 1 Нет 1 ДА 2,7 В~5,5 В НИЖНИЙ 260 0,75 мм 48 5,5 В 2,7 В 40 3/5 В 0,06 мА 8Мб 1М х 8 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20б СРАМ Параллельно 8 55нс 0,00005А 55 нс ОБЩИЙ
AS4C16M32MD1-5BCN АС4К16М32МД1-5БЦН Альянс Память, Инк. $5,11
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -25°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR СИНХРОННЫЙ 1 мм Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m32md15bcn-datasheets-6651.pdf 90-ВФБГА 13 мм 8 мм 90 8 недель 90 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.28 1 ДА 1,7 В~1,95 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 0,8 мм 1,95 В 1,7 В НЕ УКАЗАН 512Мб 16М х 32 Неустойчивый 5нс 200 МГц ДРАМ Параллельно 16MX32 32 15нс 536870912 бит
AS6C6264-55PCN АС6К6264-55ПКН Альянс Память, Инк. $6,15
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 0°C~70°C ТА Трубка 1 (без ограничений) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c626455pcn-datasheets-3040.pdf 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) 36,32 мм 4,191 мм 13,21 мм Без свинца 28 8 недель 28 64 КБ да 1 EAR99 Нет АС6К6264-55ПКН 8542.32.00.32 1 2,7 В~5,5 В ДВОЙНОЙ 260 2,54 мм 28 5,5 В 2,7 В 40 3/5 В 0,045 мА 70°С 64Кб 8К х 8 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 13б СРАМ Параллельно 8КХ8 55нс 55 нс ОБЩИЙ
AS6C8008A-45ZIN АС6К8008А-45ЗИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 1,2 мм Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c8008a45zin-datasheets-4426.pdf 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 18,41 мм 10,16 мм 44 8 недель 44 1 ДА 2,7 В~3,6 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 3,3 В 0,8 мм 3,6 В 2,7 В НЕ УКАЗАН 8Мб 1М х 8 Неустойчивый СРАМ Параллельно 1MX8 8 45нс 8388608 бит 45 нс
AS1C4M16PL-70BIN АС1К4М16ПЛ-70БИН Альянс Память, Инк. $4,55
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -30°К~85°К ТС Поднос 3 (168 часов) PSRAM (псевдо SRAM) СИНХРОННЫЙ/АСИНХРОННЫЙ 0,8 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as1c4m16pl70bin-datasheets-5318.pdf 49-ВФБГА 4 мм 4 мм 49 10 недель 1 ДА 1,7 В~1,95 В НИЖНИЙ 1,8 В 0,5 мм 1,95 В 1,7 В С-ПБГА-Б49 64Мб 4М х 16 Неустойчивый 70нс ПСРАМ Параллельно 4MX16 16 67108864 бит
AS4C32M16D1-5BIN АС4К32М16Д1-5БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d15bcn-datasheets-5386.pdf 60-ТФБГА 13 мм 8 мм 60 8 недель 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 2,3 В~2,7 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 2,5 В 2,7 В 2,3 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б60 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 700пс 200 МГц ДРАМ Параллельно 32MX16 16 15нс 536870912 бит
AS4C512M8D3LB-12BAN АС4К512М8Д3ЛБ-12БАН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d3lb12ban-datasheets-6321.pdf 78-ВФБГА 10,6 мм 9 мм 78 8 недель 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ 1,35 В. 1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б78 4Гб 512М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 512MX8 8 15нс 4294967296 бит
AS4C16M16SA-6BAN АС4К16М16СА-6БАН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16sa6ban-datasheets-8256.pdf 54-ТФБГА 8 мм 8 мм 54 8 недель да 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ неизвестный 1 ДА 3В~3,6В НИЖНИЙ 3,3 В 0,8 мм 3,6 В С-ПБГА-Б54 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 5нс 166 МГц ДРАМ Параллельно 16MX16 16 12нс 268435456 бит
AS4C2M32D1A-5BIN АС4К2М32Д1А-5БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR СИНХРОННЫЙ 1,4 мм Не соответствует требованиям RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c2m32d1a5bin-datasheets-8988.pdf 144-ЛФБГА 12 мм 12 мм 144 8 недель 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 2,3 В~2,7 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 2,5 В 0,8 мм 2,7 В 2,3 В НЕ УКАЗАН С-ПБГА-Б144 64Мб 2М х 32 Неустойчивый 700пс 200 МГц ДРАМ Параллельно 2MX32 32 15нс 67108864 бит

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.