Альянс Память, Инк.

Альянс Память, Инк.(2556)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Режим работы Высота сидя (макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Максимальный ток питания Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Интерфейс Плотность Код Pbfree Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Макс. частота Достичь кода соответствия Код HTS Количество функций Код JESD-609 Терминал отделки Поверхностный монтаж Напряжение питания Положение терминала Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Источники питания Максимальный ток питания Статус квалификации Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Скорость передачи данных Размер памяти Тип памяти Ширина шины данных Выходные характеристики Время доступа Тактовая частота Ширина адресной шины Формат памяти Интерфейс памяти Организация Ширина памяти Время цикла записи — Word, Page Плотность памяти Максимальный ток в режиме ожидания Время доступа (макс.) Тип ввода/вывода Напряжение в режиме ожидания-мин.
AS4C16M16S-7TCNTR AS4C16M16S-7TCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16s6tintr-datasheets-8724.pdf 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм Без свинца 100 мА 54 54 да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,8 мм 54 3,6 В 40 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 16б 5,4 нс 143 МГц ДРАМ Параллельно 16MX16 16 14 нс
AS4C64M16D2-25BCN АС4К64М16Д2-25БЦН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°К~85°К ТК Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR2 1,2 мм Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d225bcntr-datasheets-8914.pdf 84-ТФБГА 12,5 мм 1,8 В Без свинца 84 8 недель 84 1 ГБ 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ Нет 8542.32.00.32 1 ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ 1,8 В 0,8 мм 1,9 В 1,7 В 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 16б 400пс 400 МГц 13б ДРАМ Параллельно 64MX16 16 15нс
AS7C31025C-10TJIN AS7C31025C-10ТДЖИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Трубка 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 3,683 мм Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31025c12tintr-datasheets-7093.pdf 32-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) 20,955 мм 7,62 мм 3,3 В Без свинца 32 32 1 Мб да 3A991.B.2.B 1 ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 245 3,3 В 1,27 мм 32 3,6 В 40 Не квалифицирован 1Мб 128К х 8 Неустойчивый СРАМ Параллельно 128КХ8 8 10 нс 10 нс
AS4C4M16S-6TANTR AS4C4M16S-6TANTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16s6tantr-datasheets-9455.pdf 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 54 54 да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ ДА 3В~3,6В ДВОЙНОЙ 260 3,3 В 0,8 мм 54 3,6 В 40 64Мб 4М х 16 Неустойчивый 16б 5,4 нс 166 МГц ДРАМ Параллельно 4MX16 16 2нс 67108864 бит
AS4C256M8D3L-12BIN АС4К256М8Д3Л-12БИН Альянс Память, Инк. $6,68
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3l12bcn-datasheets-9776.pdf 78-ТФБГА 10,5 мм 1,35 В 78 78 2 ГБ 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ неизвестный 8542.32.00.36 1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ 1,35 В 0,8 мм 1,45 В 1,283 В 2Гб 256М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц 15б ДРАМ Параллельно 256MX8 8 15нс
AS4C128M16D3-12BAN АС4К128М16Д3-12БАН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d312ban-datasheets-0138.pdf 96-ТФБГА 13 мм 1,5 В 96 96 2 ГБ да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ неизвестный 1 ДА 1,425 В~1,575 В НИЖНИЙ 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В 2 ГБ 128 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц 14б ДРАМ Параллельно 128MX16 16 15нс
AS4C128M16D3L-12BINTR АС4К128М16Д3Л-12БИНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 95°С -40°С SDRAM-DDR3L 800 МГц Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3l12bin-datasheets-9758.pdf 96-ТФБГА 1,35 В 96 Параллельно 2 ГБ 800 МГц 1,283 В~1,45 В 96-ФБГА (9х13) 2 ГБ 128 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц 14б ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C32M16SM-7TIN АС4К32М16СМ-7ТИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 4 (72 часа) SDRAM Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16sm7tcntr-datasheets-2776.pdf 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 3,3 В Без свинца 512 Мб EAR99 8542.32.00.28 3В~3,6В 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 5,4 нс 133 МГц 13б ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C32M16MD1-5BIN АС4К32М16МД1-5БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C, ТиДжей Поднос 3 (168 часов) 85°С -40°С SDRAM — мобильный LPDDR 200 МГц Соответствует RoHS 2014 год 60-ТФБГА 8 недель Параллельно 1,7 В~1,9 В 60-ФБГА (8x9) 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 700пс 200 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C32M16D1-5TCN АС4К32М16Д1-5ТЦН Альянс Память, Инк. $3,12
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d15tin-datasheets-8223.pdf 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,35 мм 1,1 мм 10,29 мм 2,5 В Без свинца 66 66 512 Мб да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ Нет 8542.32.00.28 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ 2,3 В~2,7 В ДВОЙНОЙ 260 2,5 В 0,65 мм 66 2,7 В 2,3 В 40 400 Мбит/с 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 16б 700пс 200 МГц 13б ДРАМ Параллельно 32MX16 15нс
MT48LC16M16A2TG-6A IT:GTR MT48LC16M16A2TG-6A ИТ:ГТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM Не соответствует требованиям RoHS 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc16m16a2tg6aitgtr-datasheets-8457.pdf 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 1 недели 3В~3,6В 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 5,4 нс 167 МГц ДРАМ Параллельно 12нс
MT46V32M16CV-5B IT:J MT46V32M16CV-5B ИТ:J Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR Не соответствует требованиям RoHS 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt46v64m8cv5bitj-datasheets-6396.pdf 60-ТФБГА 1 недели 2,5 В~2,7 В 60-ФБГА (8х12,5) 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 55нс 200 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C256M8D3A-12BANTR AS4C256M8D3A-12БАНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 2017 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3a12bantr-datasheets-5162.pdf 78-ВФБГА 8 недель 1,425 В~1,575 В 2Гб 256М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C512M8D3A-12BIN АС4К512М8Д3А-12БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 СИНХРОННЫЙ 1 мм Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d3a12bintr-datasheets-5214.pdf 78-ВФБГА 10,5 мм 9 мм 78 8 недель да совместимый 1 ДА 1,425 В~1,575 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б78 4Гб 512М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 512MX8 8 15нс 4294967296 бит
AS4C256M16D3L-12BANTR АС4К256М16Д3Л-12БАНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L Соответствует ROHS3 2017 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3l12bantr-datasheets-5264.pdf 96-ВФБГА 1,283 В~1,45 В 4 ГБ 256 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C256M8D3LA-12BAN АС4К256М8Д3ЛА-12БАН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1 мм https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3la12ban-datasheets-5325.pdf 78-ВФБГА 10,5 мм 8 мм 78 да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ совместимый 1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ 1,35 В 0,8 мм 1,45 В 1,283 В Р-ПБГА-Б78 2Гб 256М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 256MX8 8 15нс 2147483648 бит
AS4C32M16MS-7BCN AS4C32M16MS-7BCN Альянс Память, Инк. $5,54
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -25°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM — мобильная SDRAM Не соответствует требованиям RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16ms7bcn-datasheets-5867.pdf 54-ВФБГА 8 недель 1,7 В~1,95 В 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 5,4 нс 133 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C32M32MD2-25BCNTR AS4C32M32MD2-25BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -30°К~85°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR2 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16md225bcn-datasheets-5873.pdf 134-ВФБГА 8 недель 1,14 В~1,95 В 1Гб 32М х 32 Неустойчивый 400 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C64M16MD1-5BCN АС4К64М16МД1-5БЦН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -25°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR СИНХРОННЫЙ 1,05 мм 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16md16bintr-datasheets-2903.pdf 60-ТФБГА 10 мм 8 мм 60 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ совместимый 1 ДА 1,7 В~1,95 В НИЖНИЙ 1,8 В 0,8 мм 1,95 В 1,7 В Р-ПБГА-Б60 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 5нс 200 МГц ДРАМ Параллельно 64MX16 16 15нс 1073741824 бит
AS6C62256A-70PIN АС6К62256А-70ПИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -40°C~85°C ТА Трубка 1 (без ограничений) SRAM — асинхронный 3,937 мм Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c62256a70sintr-datasheets-6081.pdf 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) 28 6 недель 28 256 КБ да 1 EAR99 Нет 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ НЕТ 4,5 В~5,5 В ДВОЙНОЙ 2,54 мм 28 256Кб 32К х 8 Неустойчивый 15б СРАМ Параллельно 32КХ8 8 70нс 70 нс
MT41K512M16HA-107 IT:A МТ41К512М16ХА-107 ИТ:А Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L Соответствует ROHS3 /files/alliancememoryinc-mt41k512m16ha107ita-datasheets-7919.pdf 96-ТФБГА 8 недель 1,283 В~1,45 В 8Гб 512М х 16 Неустойчивый 20нс 933 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS7C4098A-12JIN AS7C4098A-12ДЖИН Альянс Память, Инк. $5,04
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Трубка 3 (168 часов) 85°С -40°С SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2001 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c4098a12jin-datasheets-3517.pdf 44-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) 28,7 мм 2,92 мм 10,29 мм 8 недель Нет СВХК 5,5 В 4,5 В 44 Параллельно 4 Мб 1 Нет 4,5 В~5,5 В 44-СОЮ 4Мб 256К х 16 Неустойчивый 12нс 18б СРАМ Параллельно 12нс
MT48LC64M8A2TG-75:IT:C MT48LC64M8A2TG-75:ИТ:С Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) 85°С -40°С SDRAM 133 МГц Не соответствует требованиям RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc64m8a2p75ctr-datasheets-4036.pdf 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 4 недели Параллельно 3В~3,6В 54-ЦОП II 512Мб 64М х 8 Неустойчивый 5,4 нс 133 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C64M16D1-6TIN АС4К64М16Д1-6ТИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d16tcn-datasheets-5024.pdf 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 10,16 мм 66 8 недель 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 2,3 В~2,7 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 2,5 В 0,65 мм 2,7 В 2,3 В НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-G66 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 700пс 166 МГц ДРАМ Параллельно 64MX16 16 15нс 1073741824 бит
AS7C34098A-10TCN AS7C34098A-10TCN Альянс Память, Инк. $9,98
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) 70°С 0°С SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c34098a10tin-datasheets-8225.pdf 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 18,52 мм 1,05 мм 10,26 мм 3,3 В Без свинца 10 недель 3,6 В 44 Параллельно 4 Мб 1 Нет 3В~3,6В 44-ЦОП2 4Мб 256К х 16 Неустойчивый 10 нс 18б СРАМ Параллельно 10 нс
AS4C256M16D3LB-12BAN АС4К256М16Д3ЛБ-12БАН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3lb12ban-datasheets-5134.pdf 96-ТФБГА 13,5 мм 9 мм 96 8 недель 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ 1,35 В. 1 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б96 4 ГБ 256 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 256MX16 16 15нс 4294967296 бит
AS4C64M16D3LB-12BIN АС4К64М16Д3ЛБ-12БИН Альянс Память, Инк. $11,71
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3lb12bcn-datasheets-3528.pdf 96-ТФБГА 13 мм 9 мм 96 8 недель 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,35 В 0,8 мм 1,45 В 1,283 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б96 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 64MX16 16 15нс 1073741824 бит
AS4C64M16MD1A-5BIN АС4К64М16МД1А-5БИН Альянс Память, Инк. $6,72
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR СИНХРОННЫЙ 1 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16md1a5bin-datasheets-5936.pdf 60-ВФБГА 9 мм 8 мм 60 8 недель 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,7 В~1,95 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 0,8 мм 1,95 В 1,7 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б60 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 5нс 200 МГц ДРАМ Параллельно 64MX16 16 15нс 1073741824 бит
AS6C4016-55ZIN АС6К4016-55ЗИН Альянс Память, Инк. $3,66
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c401655zin-datasheets-7995.pdf 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 18,6 мм 1,05 мм 10,3 мм Без свинца 44 8 недель 44 4 Мб да 1 EAR99 Нет 18 МГц 8542.32.00.32 1 2,7 В~5,5 В ДВОЙНОЙ 260 0,8 мм 44 5,5 В 2,7 В 40 3/5 В 0,06 мА 4Мб 256К х 16 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 18б СРАМ Параллельно 55нс 0,00003А 55 нс ОБЩИЙ
AS4C8M16D1-5BIN АС4К8М16Д1-5БИН Альянс Память, Инк. $3,95
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16d15bin-datasheets-1916.pdf 60-ТФБГА 13 мм 8 мм 60 8 недель да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 2,3 В~2,7 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 2,5 В 1 мм 2,7 В 2,3 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б60 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 700пс 200 МГц ДРАМ Параллельно 8MX16 16 15нс 134217728 бит

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.