Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактGigaDevice Semiconductor (HK) Limited(438)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ECCN-код | Код HTS | Количество функций | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Максимальный ток питания | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Программирование напряжения | Тактовая частота | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Максимальный ток в режиме ожидания | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Загрузочный блок |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GD25VQ16CSIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25vq16ctig-datasheets-8240.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 6 недель | 2,3 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q16CSIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q16ctegr-datasheets-0983.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25LD80CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25ld80csigr-datasheets-4222.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 1,65 В~2 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 50 МГц | ВСПЫШКА | SPI — двойной ввод/вывод | 60 мкс, 6 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q20CSIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q20ceigr-datasheets-3772.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q32ЧИГР | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | /files/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q32ctigr-datasheets-6954.pdf | 8-UFDFN Открытая площадка | 6 недель | 2,7 В~3,6 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25VE20CSIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25ve20csigr-datasheets-3924.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 6 недель | 2,1 В~3,6 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD5F4GQ4UBYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25d05ctigr-datasheets-7921.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 4Гб 512М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q16CSIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,28 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q16ctegr-datasheets-0983.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25VE32CVIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25ve32csigr-datasheets-1032.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 2,1 В~3,6 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25LQ64CWIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,83 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq64csig-datasheets-2752.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 4 недели | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 1,65 В~2 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 2В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 64MX1 | 1 | 2,4 мс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||
| GD25LQ80CSIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq80csigr-datasheets-0488.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 4 недели | 1,65 В~2,1 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q32CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,58 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q32ctigr-datasheets-6954.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25LQ128DWIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq128dyigr-datasheets-8222.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 4 недели | 1,65 В~2 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2,4 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25VQ16CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25vq16ctig-datasheets-8240.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | 2,3 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25VQ40CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25vq40ctig-datasheets-3045.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | 2,3 В~3,6 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25VQ80CSIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25vq80ctig-datasheets-4374.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 6 недель | 2,3 В~3,6 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q20CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,78 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q20ceigr-datasheets-3772.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q32CTJG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q32ctigr-datasheets-6954.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 6 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 0,025 мА | Р-ПДСО-G8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 32MX1 | 1 | 50 мкс, 2,4 мс | 33554432 бит | СЕРИАЛ | 0,000005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | НИЗ/ВЕРХ | ||||||||||
| GD25Q80CSIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q80cnigr-datasheets-3454.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,23 мм | 8 | 4 недели | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 3,3 В | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 8MX1 | 1 | 50 мкс, 2,4 мс | 8388608 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||
| GD5F4GQ4UBYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25d05ctigr-datasheets-7921.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 4Гб 512М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q16CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q16ctegr-datasheets-0983.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25VQ80CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25vq80ctig-datasheets-4374.pdf | 8-XFDFN Открытая площадка | 2,3 В~3,6 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25LQ128DSIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 1,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq128dyigr-datasheets-8222.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 4 недели | 1,65 В~2 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25D10CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25d05ctigr-datasheets-7920.pdf | 8-XFDFN Открытая площадка | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 100 МГц | ВСПЫШКА | SPI — двойной ввод/вывод | 50 мкс, 4 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD5F1GQ4UFYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | $13,26 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd5f1gq4rf9igr-datasheets-8257.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 1Гб 128М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 700 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD5F2GQ4UF9IGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd5f2gq4uf9igr-datasheets-1940.pdf | 8-VLGA Открытая площадка | 2 недели | 2,7 В~3,6 В | 2Гб 256М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 700 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25VE16CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25ve16ctig-datasheets-8472.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | 2,1 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q16CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q16ctegr-datasheets-0983.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25LD80CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25ld80csigr-datasheets-4222.pdf | 8-XFDFN Открытая площадка | 4 недели | 1,65 В~2 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 50 МГц | ВСПЫШКА | SPI — двойной ввод/вывод | 60 мкс, 6 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25LQ20CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq10ctigr-datasheets-9470.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 1,65 В~2,1 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс |
