Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактSamsung Semiconductor, Inc.(9858)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Тип монтажа | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | Достичь кода соответствия | Код HTS | Максимальный текущий рейтинг | Особенность | Прямое напряжение | Угол обзора | Стиль объектива | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Термическое сопротивление упаковки | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPMWH3326MD3WAV0SA | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LM301Z | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм | 2А (4 недели) | 0,024 0,60 мм | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-spmwh3326md3war3sa-datasheets-8992.pdf | 1212 (3030 Метрическая единица) | Белый | 6 недель | 120° | 2,75 В | 12°С/Вт | 65 мА | 400 мА | 70 | ||||||||||||||||||||||||
| SI-B8T08128CWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-В282Б | Поднос | 275,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | С разъемом | 120° | Линейная световая полоса | 25,2 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 136 лм/Вт | 50°С | 1026 лм тип. | 300 мА | 360 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||
| СИ-B8V07128LWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-С282Л | Поднос | 279,70 мм Д x 23,80 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | 279,7 мм | 5,80 мм | 23,8 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 360 мА | С разъемом | 35,2 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 35,2 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 153 лм/Вт | 50°С | 1080 лм тип. | 200 мА | 360 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||
| СИ-B8V14156SWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | LT-S562F | Поднос | 559,70 мм Д x 23,80 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8r07128sww-datasheets-6284.pdf | 559,7 мм | 5,80 мм | 23,8 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 1,44А | С разъемом | 17,6 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 17,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 155 лм/Вт | 50°С | 2180 лм тип. | 800 мА | 1,44А | Плоский | 80 | |||||||||||||
| SL-B8R2N70LAWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | 15,92 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | H приток | Поднос | 281,00 мм Д x 41,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,20 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 118° | Линейная световая полоса | 22,3 В | 5000К | 192 лм/Вт | 55°С | 4280 лм Тип. | 1А | 1,6А | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA25YZQ3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzp3d1-datasheets-8838.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 156 лм/Вт | 85°С | 485 лм тип. | 90 мА | 230 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC25YZU3H2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC009D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzr3h2-datasheets-2037.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 690мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 141 лм/Вт | 85°С | 1315 лм Тип. | 270 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC27YZV3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC009D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzr3h2-datasheets-2037.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 122 лм/Вт | 85°С | 1141lm Тип | 270 мА | 690мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC25YZR3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC009D Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 161 лм/Вт | 85°С | 1506 лм Тип. | 270 мА | 690мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||
| SPHWHAHDND25YZW3H5 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 920 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 128 лм/Вт | 85°С | 1589 лм Тип. | 360 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||
| SPHWHAHDND25YZV3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 141 лм/Вт | 85°С | 1757lm Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA25YZT2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D Gen2 | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzv2d2-datasheets-8310.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 163 лм/Вт | 85°С | 507 лм тип. | 90 мА | 230 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA25YZT2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 171 лм/Вт | 85°С | 524 лм тип. | 90 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA27YZV2A4 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzp3d1-datasheets-8838.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 230 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 117 лм/Вт | 85°С | 365 лм тип. | 90 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA27YZT2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzp3d1-datasheets-8838.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 130 лм/Вт | 85°С | 404 лм тип. | 90 мА | 230 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB27YZV3E9 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 460 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 120 лм/Вт | 85°С | Тип 743lm | 180 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB25YZV2F3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 460 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 141 лм/Вт | 85°С | 875 лм тип. | 180 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC25YZR3C2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | C-серия Gen2 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 35В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 128 лм/Вт | 85°С | 1348 лм Тип | 300 мА | 380 мА | Плоский | 80 | Диаметр 6,00 мм | ||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB27YZV2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 125 лм/Вт | 85°С | 780 лм тип. | 180 мА | 460 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB27YZV2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 139 лм/Вт | 85°С | Тип 851lm | 180 мА | 460 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC27YZT3C2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | C-серия Gen2 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 35В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 109 лм/Вт | 85°С | 1147 лм Тип | 300 мА | 380 мА | Плоский | 90 | Диаметр 6,00 мм | ||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNE25YZR3J2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 19 мм | 1,50 мм | 19 мм | Белый, Холодный | 1,15 А | 34,6 В | 115° | Плоский | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 149 лм/Вт | 85°С | 2324lm Тип | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||
| SPHWW1HDN828YHV3CC | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 105 лм/Вт | 25°С | 668лм 601лм~734лм | 180 мА | Плоский | 95 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||||||
| SPHWW1HDN945YHW3KE | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 139 лм/Вт | 25°С | 1215лм 1092~1338лм | 240 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNE27YZW3H6 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 1,15 А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 114 лм/Вт | 85°С | 1771lm Тип | 450 мА | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||||||
| SPHWW1HDN947YHW3FG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 120 лм/Вт | 25°С | 1050лм 929~1171лм | 240 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC25YZW3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 153 лм/Вт | 85°С | 1405 лм тип. | 270 мА | 690мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDND25YZV2H5 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 920 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 134 лм/Вт | 85°С | 1673lm Тип | 360 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||
| SPHWW1HDN825YHU3ED | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 142 лм/Вт | 25°С | 909 лм 817 лм~1001 лм | 180 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||||||
| SPHWHAHDND25YZW2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 142 лм/Вт | 85°С | 1764lm Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм |
