Самсунг Полупроводник, Инк.

Samsung Semiconductor, Inc.(9858)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Упаковка Размер / Размер Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Длина Высота Ширина Цвет Время выполнения заказа на заводе Код Pbfree Достичь кода соответствия Код HTS Максимальный текущий рейтинг Особенность Прямое напряжение Угол обзора Стиль объектива Конфигурация Напряжение — прямое (Vf) (тип.) ЦКТ (К) Люмен/Ватт @ ток — тест Температура - Тест Поток при токе/температуре — испытание Текущий — Тест Ток - Макс. Тип объектива CRI (индекс цветопередачи) Светоизлучающая поверхность (LES)
SI-B8T341B2001 СИ-Б8Т341Б2001 Самсунг Полупроводник, Инк. $16,47
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Светодиодный модуль ЛТ-МБ22С 1120,00 мм Д x 18,00 мм Ш 1 (без ограничений) Соответствует RoHS /files/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf 5,20 мм Белый, Нейтральный 4 недели 115° Линейная световая полоса 24В 4000К 158 лм/Вт 5310лм 1,4 А 2.16А Плоский 80
SI-B8R111560WW СИ-B8R111560WW Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Светодиодный модуль ЛТ-М562А Поднос 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2014 год 560 мм 5,80 мм 18 мм Белый, Холодный 450 мА С разъемом 24,7 В 115° Плоский Линейная световая полоса 24,7 В 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 142 лм/Вт 50°С 1580 лм тип. 450 мА 450 мА Плоский 80
SPHWHAHDNF25YZT2D1 SPHWHAHDNF25YZT2D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC019D 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf 1,50 мм Белый, Нейтральный 6 недель 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 150 лм/Вт 85°С 2795лм 2726лм~2863лм 540 мА 970 мА Куполообразный 80 Диаметр 17,00 мм
SPHWHAHDNH25YZV3C2 SPHWHHAHDNH25YZV3C2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) C-серия Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 35В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 126 лм/Вт 85°С 3956 лм Тип 900 мА 1,38А Плоский 80 Диаметр 11,50 мм
SPHWHAHDNF27YZW2D3 SPHWHAHDNF27YZW2D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) УДАРА D Gen3 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 132 лм/Вт 85°С Тип 2428lm 540 мА 1,38А Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNC27YZT2D2 SPHWHAHDNC27YZT2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC009D Gen2 Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Нейтральный 4 недели да 115° Квадрат 34,6 В 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 136 лм/Вт 85°С 1273 лм Тип 270 мА 690мА Плоский 90 Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNH28YZT3D2 SPHWHHAHDNH28YZT3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) COB D Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Нейтральный 4 недели совместимый 115° Квадрат 34,6 В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 111 лм/Вт 85°С 3447lm Тип 900 мА 2,3А Плоский 95 (тип.) Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNK25YZW2D2 SPHWHAHDNK25YZW2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC040D Gen2 Поднос 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели да 115° Квадрат 34,6 В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 148 лм/Вт 85°С 5547lm Тип 1,08А 2,76А Плоский 80 Диаметр 22,00 мм
SPHWW1HDNC25YHU32G SPHWW1HDNC25YHU32G Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC026B Gen2 Поднос 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 1,3А 115° Квадрат 35,5 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 152 лм/Вт 25°С 3880лм 3660лм~4100лм 720 мА Плоский 80 Диаметр 17,00 мм
SPHCW1HDN945YHQTKH SPHCW1HDN945YHQTKH Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC008B Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhrtkg-datasheets-0358.pdf 1,50 мм Белый, Холодный 8541.40.20.00 430 мА 115° Квадрат 36,5 В 5700К 150 лм/Вт 25°С 1310лм 1268лм~1351лм 240 мА Плоский 80 Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDND28YZR3D2 SPHWHAHDND28YZR3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) COB D Gen2 Лента и катушка (TR) 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 1,50 мм Белый, Холодный 4 недели 115° Квадрат 34,6 В 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 112 лм/Вт 85°С 1390 лм тип. 360 мА 920 мА Плоский 95 (тип.) Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNF25YZQ3J6 SPHWHAHDNF25YZQ3J6 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC019D Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf 19 мм 1,50 мм 19 мм Белый, Холодный 1,38А 34,6 В 115° Плоский Квадрат 34,6 В 5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 148 лм/Вт 85°С Тип 2756lm 540 мА 1,38А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNE27YZV2H7 SPHWHAHDNE27YZV2H7 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC016D Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 1,15 А 115° Квадрат 34,6 В 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 121 лм/Вт 85°С 1877lm Тип. 450 мА Плоский 90 Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDN947YHU2FG SPHWW1HDN947YHU2FG Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC008B Коробка 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 430 мА 115° Квадрат 36,5 В 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 120 лм/Вт 25°С 1050лм 929~1171лм 240 мА Плоский 90 Диаметр 8,00 мм
SPHWW1HDN947YHU2FH SPHWW1HDN947YHU2FH Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC008B Gen2 Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhrtkg-datasheets-0358.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 430 мА 115° Квадрат 36,5 В 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 121 лм/Вт 25°С 1060лм 981лм~1138лм 240 мА Плоский 90 Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDNH25YZU2D3 SPHWHHAHDNH25YZU2D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) УДАРА D Gen3 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 163 лм/Вт 85°С 4989 лм Тип 900 мА 2,3А Плоский 80 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNH23YZR3D3 SPHWHHAHDNH23YZR3D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) УДАРА D Gen3 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Холодный 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 177 лм/Вт 85°С 5429lm Тип 900 мА 2,3А Плоский 70 Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNH28YZU2D2 SPHWHHAHDNH28YZU2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) COB D Gen2 Поднос 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34,6 В 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 107 лм/Вт 85°С 3343lm Тип 900 мА 2,3А Плоский 95 (тип.) Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDNC27YHW32G SPHWW1HDNC27YHW32G Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC026B Gen2 Поднос 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 1,3А 115° Квадрат 35,5 В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 121 лм/Вт 25°С 3098лм 2815~3380лм 720 мА Плоский 90 Диаметр 17,00 мм
SPHWW1HDNC25YHT32H SPHWW1HDNC25YHT32H Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC026B Gen2 Поднос 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Нейтральный 8541.40.20.00 1,3А 115° Квадрат 35,5 В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 161 лм/Вт 25°С 4115лм 4000лм~4230лм 720 мА Плоский 80 Диаметр 17,00 мм
SPHCW1HDNC23YHRN3F SPHCW1HDNC23YHRN3F Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 2А (4 недели) Соответствует RoHS 6 недель
SPHWHAHDNK27YZU3D2 SPHWHAHDNK27YZU3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC040D Gen2 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS /files/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk25yzv3d2-datasheets-7662.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 138 лм/Вт 85°С 5152lm Тип 1,08А 2,76А Плоский 90 Диаметр 22,00 мм
SPHWW1HDNC27YHU22G SPHWW1HDNC27YHU22G Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC026B Gen2 Поднос 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 1,3А 115° Квадрат 35,5 В 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 127 лм/Вт 25°С 3243 лм 2955 лм~3530 лм 720 мА Плоский 90 Диаметр 17,00 мм
SPHWHAHDNK23YZV3D3 SPHWHAHDNK23YZV3D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) УДАРА D Gen3 Поднос 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели 115° Квадрат 34В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 175 лм/Вт 85°С 6440 лм Тип 1,08А 2,76А Плоский 70 Диаметр 22,00 мм
SPHWW1HDND25YHU33P SPHWW1HDND25YHU33P Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC033B Коробка 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 1,62А 115° Квадрат 35,5 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 139 лм/Вт 25°С 4437 лм 3815 лм~5058 лм 900 мА Плоский 80 Диаметр 17,00 мм
SPHWHAHDNL251ZQ3Q7 SPHWHHAHDNL251ZQ3Q7 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC060D 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Холодный 115° Квадрат 52В 5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 145 лм/Вт 85°С 8151lm Тип 1,08А 2,76А Плоский 80 Диаметр 22,00 мм
SPHWW1HDND27YHT33P SPHWW1HDND27YHT33P Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC033B Коробка 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 2015 год 1,50 мм Белый, Нейтральный 6 недель 8541.40.20.00 1,62А 115° Квадрат 35,5 В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 115 лм/Вт 25°С 3663лм 3205лм~4121лм 900 мА Плоский 90 Диаметр 17,00 мм
SPHWH2HDNE08YHW3C1 SPHWH2HDNE08YHW3C1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC040C Поднос 19,00 мм Д x 16,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 115° Прямоугольник 34,5 В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 84 лм/Вт 85°С 3140 лм Тип 1,08А 1,62А Плоский 92 Диаметр 11,00 мм
SPHWH2HDNE05YHR3C1 SPHWH2HDNE05YHR3C1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC040C Поднос 19,00 мм Д x 16,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Холодный 8541.40.20.00 1,62А 115° Прямоугольник 34,5 В 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 135 лм/Вт 85°С 5030 лм Тип 1,08А Плоский 80 Диаметр 11,00 мм
SPHWHAHDNF27YZU3D1 SPHWHAHDNF27YZU3D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC019D 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 123 лм/Вт 85°С 2302лм 2287лм~2317лм 540 мА 970 мА Куполообразный 90 Диаметр 17,00 мм

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.