| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Высота | Цвет | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | Достичь кода соответствия | Код HTS | Максимальный текущий рейтинг | Угол обзора | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPHWHAHDNE27YZW3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 119 лм/Вт | 85°С | 1860 лм тип. | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||
| SPHWW1HDN945YHW2KH | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhrtkg-datasheets-0358.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 137 лм/Вт | 25°С | 1201лм 1141лм~1260лм | 240 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||
| SPHWHAHDNE25YZW2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 147 лм/Вт | 85°С | 2293lm Тип | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||
| SPHWW1HDN948YHU3EC | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 102 лм/Вт | 25°С | 892лм 803лм~981лм | 240 мА | Плоский | 95 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||
| SPHWHAHDNK25YZQ3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 157 лм/Вт | 85°С | 5868lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||
| SPHWHHAHDNH25YZW2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 151 лм/Вт | 85°С | 4612lm Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||
| SPHWHHAHDNH27YZU3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 140 лм/Вт | 85°С | 4276lm Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||
| SPHWHHAHDNH2VYZT2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB R-серия | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 123 лм/Вт | 85°С | 3836lm Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||
| SPHWHAHDNK27YZT2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 146 лм/Вт | 85°С | 5369lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||
| SPHWHAHDNK2VYZU2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB R-серия | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 119 лм/Вт | 85°С | 4459lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||
| SPHWHAHDNK25YZV3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D Gen2 | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk25yzv3d2-datasheets-7662.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 156 лм/Вт | 85°С | 5837lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||
| SPHWH2HDNE05YHV3C1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040C | Поднос | 19,00 мм Д x 16,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 1,62А | 115° | Прямоугольник | 34,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 120 лм/Вт | 85°С | 4470 лм Тип. | 1,08А | Плоский | 80 | Диаметр 11,00 мм | |||||||||||
| SPHWW1HDNC27YHT22F | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B | Коробка | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 1,3А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 109 лм/Вт | 25°С | 2785лм 2285лм~3285лм | 720 мА | Плоский | 90 | Диаметр 17,00 мм | |||||||||
| SPHWW1HDNC28YHW32F | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B | Коробка | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 1,3А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 106 лм/Вт | 25°С | 2712лм 2440лм~2983лм | 720 мА | Плоский | 95 | Диаметр 17,00 мм | |||||||||
| SPHWW1HDND25YHU33G | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033B Gen2 | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 8541.40.20.00 | 1,62А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 154 лм/Вт | 25°С | 4915лм 4613лм~5216лм | 900 мА | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | |||||||||||
| SPHWHAHDNK28YZV3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen2 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 106 лм/Вт | 85°С | 3952 лм Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 95 (тип.) | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||
| SPHWW1HDND27YHV33P | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033B | Коробка | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 1,62А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 115 лм/Вт | 25°С | 3663лм 3205лм~4121лм | 900 мА | Плоский | 90 | Диаметр 17,00 мм | |||||||||
| СИ-N8A1016E0WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ТО10 | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2,20 мм | Белый, Теплый/Белый, Холодный | 26 недель | Квадрат | 35,9 В | 2700К ~ 6500К | 114 лм/Вт | 65°С | 1020 лм тип. | 250 мА | Плоский | 80 | |||||||||||||||
| SPHWH2HDNE07YHT2C1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040C | Поднос | 19,00 мм Д x 16,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 8541.40.20.00 | 115° | Прямоугольник | 34,5 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 105 лм/Вт | 85°С | 3900 лм тип. | 1,08А | 1,62А | Плоский | 90 | Диаметр 11,00 мм | |||||||||||
| SPHWHAHDNE27YZV2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 140 лм/Вт | 85°С | 2139lm Тип | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||
| SPHWHAHDNF25YZU2J5 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 139 лм/Вт | 85°С | 2605лм 2538~2672лм | 540 мА | 970 мА | Куполообразный | 80 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||
| SPHWHAHDNF27YZV2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 131 лм/Вт | 85°С | 2449 лм Тип | 540 мА | 1,38А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||
| SPHWHAHDNF2VYZV2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB R-серия | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 111 лм/Вт | 85°С | Тип 2068lm | 540 мА | 1,38А | Плоский | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||
| SPHWH2HDNA05YHT3C1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC010C | Поднос | 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 405 мА | 115° | Прямоугольник | 34,5 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 128 лм/Вт | 85°С | 1190 лм тип. | 270 мА | Плоский | 80 | Диаметр 6,00 мм | ||||||||||||
| SPHWH2HDNA05YHQTC1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC010C | Поднос | 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 115° | Прямоугольник | 34,5 В | 5700К | 135 лм/Вт | 85°С | 1260 лм тип. | 270 мА | 405 мА | Плоский | 80 | Диаметр 6,00 мм | ||||||||||||
| SPHWHAHDNK25YZV3C2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | C-серия Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 35В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 123 лм/Вт | 85°С | 4524lm Тип | 1,05А | 1,61А | Плоский | 80 | Диаметр 11,50 мм | |||||||||||
| SPHWW1HDNA25YHU31D | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen2 | Поднос | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdna25yhu31d-datasheets-3508.pdf | 1,60 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 660 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 153 лм/Вт | 25°С | 1950 лм 1840 лм~2060 лм | 360 мА | Плоский | 80 | Диаметр 11,00 мм | ||||||||||
| SPHWHAHDNK27YZT3C2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | C-серия Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 35В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 111 лм/Вт | 85°С | 4073lm Тип | 1,05А | 1,61А | Плоский | 90 | Диаметр 11,50 мм | |||||||||||
| SPHWW1HDNA27YHV31G | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen2 | Поднос | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdna25yhu31d-datasheets-3508.pdf | 1,60 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 660 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 123 лм/Вт | 25°С | 1575лм 1440лм~1710лм | 360 мА | Плоский | 90 | Диаметр 11,00 мм | ||||||||||
| SPHWH2HDNA07YHW2C1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC010C | Поднос | 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 115° | Прямоугольник | 34,5 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 86 лм/Вт | 85°С | 800 лм тип. | 270 мА | 405 мА | Плоский | 90 | Диаметр 6,00 мм |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.