Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактSamsung Semiconductor, Inc.(9858)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | Достичь кода соответствия | Код HTS | Максимальный текущий рейтинг | Особенность | Прямое напряжение | Угол обзора | Стиль объектива | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPHWHAHDND25YZV2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 141 лм/Вт | 85°С | 1757lm Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHCW1HDN825YHQTEE | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5700К | 149 лм/Вт | 25°С | 949 лм 887 лм~1011 лм | 180 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZR3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 134 лм/Вт | 85°С | 1674lm Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| СИ-B8TZ91B2CUS | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-ВБ24Ф | 1200,00 мм Дx39,80 мм Ш | 1 (без ограничений) | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | Линейная световая полоса | 48,8 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 143 лм/Вт | 65°С | 15632лм 14070лм~17195лм | 2,24А | 3,24А | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||
| SI-B8U341560WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | LT-F562A | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | 560 мм | 5,20 мм | 18 мм | Белый, Теплый | С разъемом | 24,7 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24,7 В | 3500K 4-ступенчатый эллипс МакАдама | 131 лм/Вт | 4370 лм Тип. | 1,35 А | Плоский | 80 | ||||||||||||||
| SPHWHAHDNF25YZV2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 142 лм/Вт | 85°С | 2657лм 2592лм~2722лм | 540 мА | 970 мА | Куполообразный | 80 | Диаметр 17,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH25YZT3C2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | C-серия Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 35В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 132 лм/Вт | 85°С | 4154lm Тип | 900 мА | 1,38А | Плоский | 80 | Диаметр 11,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNF25YZT2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 170 лм/Вт | 85°С | 3130 лм Тип | 540 мА | 1,38А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNG27YZT3J8 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdng25yzv3k2-datasheets-0725.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 1,84А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 122 лм/Вт | 85°С | Тип 3051lm | 720 мА | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||
| SPHWW1HDNB28YHW31F | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B | Коробка | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnb28yhu31f-datasheets-1709.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 980 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 106 лм/Вт | 25°С | 2023лм 1820лм~2225лм | 540 мА | Плоский | 95 | Диаметр 12,40 мм | |||||||||||||
| SPHWHAHDNK25YZT2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D Gen2 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 164 лм/Вт | 85°С | 6146lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWW1HDNC25YHT32G | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B Gen2 | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 8541.40.20.00 | 1,3А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 156 лм/Вт | 25°С | 4000лм 3770лм~4230лм | 720 мА | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHCW1HDN945YHRTKH | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhrtkg-datasheets-0358.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 5000К | 150 лм/Вт | 25°С | 1310лм 1268лм~1351лм | 240 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDND28YZV3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen2 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 103 лм/Вт | 85°С | 1285 лм тип. | 360 мА | 920 мА | Плоский | 95 (тип.) | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNF25YZU3J5 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 1,38А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 143 лм/Вт | 85°С | 2672lm Тип | 540 мА | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNE27YZU2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D Gen2 | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 138 лм/Вт | 85°С | 2146lm Тип | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHAHDNE25YZW2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 139 лм/Вт | 85°С | 2169lm Тип | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNF25YZV3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 135 лм/Вт | 85°С | 2527лм 2462~2592лм | 540 мА | 970 мА | Куполообразный | 80 | Диаметр 17,00 мм | |||||||||||||||
| СИ-B8R17156CWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | Серия V | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | Линейная световая полоса | 24В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 146 лм/Вт | 50°С | 2460 лм 2214 лм~2706 лм | 700 мА | 900 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH28YZT2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 111 лм/Вт | 85°С | 3447lm Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | 95 (тип.) | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH2VYZU2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB R-серия | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 115 лм/Вт | 85°С | 3588 лм Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||||||
| SPHWW1HDNC27YHV32F | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2014 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 1,3А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000К | 103 лм/Вт | 25°С | 2630лм 2150лм~3110лм | 720 мА | Плоский | 90 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||||||
| SPHCW1HDNC25YHQT2H | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 1,3А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5700К | 163 лм/Вт | 25°С | 4165лм 4050лм~4280лм | 720 мА | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWW1HDNB28YHV21F | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B | Коробка | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnb28yhu31f-datasheets-1709.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 980 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 106 лм/Вт | 25°С | 2023лм 1820лм~2225лм | 540 мА | Плоский | 95 | Диаметр 12,40 мм | |||||||||||||
| SI-B8U071280LD | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-С282Н | Поднос | 280,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | 280 мм | 5,80 мм | 24 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 360 мА | С разъемом | 35,2 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 35,2 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 155 лм/Вт | 50°С | 1090 лм тип. | 200 мА | 360 мА | Плоский | 80 | ||||||||||
| SPHWHAHDNK25YZT3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 171 лм/Вт | 85°С | 6261lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWW1HDNC28YHV32F | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B | Коробка | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 1,3А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 106 лм/Вт | 25°С | 2712лм 2440лм~2983лм | 720 мА | Плоский | 95 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||||||
| SPHWW1HDND25YHT33P | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033B | Коробка | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 1,62А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 139 лм/Вт | 25°С | 4437 лм 3815 лм~5058 лм | 900 мА | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||||||
| SPHWHAHDNK28YZT3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen2 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 113 лм/Вт | 85°С | 4241lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 95 (тип.) | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWW1HDND27YHV33Q | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033B Gen2 | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 8541.40.20.00 | 1,62А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 123 лм/Вт | 25°С | 3938лм 3599лм~4277лм | 900 мА | Плоский | 90 | Диаметр 17,00 мм |
