Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешётчатая полупроводниковая корпорация (5206)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Скорость передачи данных | Размер памяти | Количество входов/выходов | Размер оперативной памяти | Максимальное двойное напряжение питания | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Количество выходов | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Количество входов | Граничное сканирование | Режим низкого энергопотребления | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроячеек | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество эквивалентных ворот | Количество CLB | Всего бит оперативной памяти | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LFXP6C-4FN256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 360 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,8 В | Без свинца | 256 | 256 | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,8 В | 1 мм | LFXP6 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 11,9 КБ | 188 | 9 КБ | 188 | 2 | 6000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 720 | 720 | 73728 | 0,53 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP6C-5F256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 400 МГц | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,8 В | Без свинца | 256 | 256 | нет | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | LFXP6 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,8/2,5/3,3 В | 11,9 КБ | 188 | 9 КБ | 188 | 720 КЛБС | 6000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 720 | 720 | 73728 | 0,44 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| LFEC3E-3T100C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 100 | нет | EAR99 | 340 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЕК3 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 8,4 КБ | 67 | 6,9 КБ | 67 | 384 КЛБС | 10200 | 3100 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 384 | 56320 | 0,56 нс | |||||||||||||||||||||||||
| LFEC6E-4Q208C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 1,2 В | Без свинца | 208 | 208 | нет | EAR99 | 378 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЭК6 | 208 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 14,6 КБ | 147 | 11,5 КБ | 147 | 768 КЛБС | 6100 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 768 | 94208 | 0,48 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| LFECP10E-4F484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 484-ББГА | 1,2 В | 484 | нет | EAR99 | 378 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ЛФЕКП10 | 484 | 39,6 КБ | 288 | 34,5 КБ | 10200 | 1280 | 282624 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP10E-4F484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 378 МГц | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 484 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕКП10 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 39,6 КБ | 288 | 34,5 КБ | 288 | 10200 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 282624 | 0,48 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP33E-5F484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 484 | нет | EAR99 | 420 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕКП33 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 78,6 КБ | 360 | 53КБ | 360 | 32800 | 4096 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 434176 | 0,4 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP10E-4Q208I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 1,2 В | Без свинца | 208 | 208 | нет | EAR99 | 378 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЕКП10 | 208 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 39,6 КБ | 147 | 34,5 КБ | 147 | 10200 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 282624 | 0,48 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP15E-3F484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 484-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 484 | нет | EAR99 | 340 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ЛФЕКП15 | 484 | 51,4 КБ | 352 | 43,8 КБ | 15400 | 1920 год | 358400 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA115EP1-5FCN1704C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,3 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1704-BCBGA, FCBGA | 42,5 мм | 42,5 мм | 1,2 В | Без свинца | 1704 г. | EAR99 | 700 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA115 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 942 | 975КБ | 942 | 115000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 115200 | 424 | 7987200 | 28750 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA40E-5FFN1020I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,82 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-ББГА, ФКБГА | 33 мм | 33 мм | 1,2 В | Без свинца | 1020 | EAR99 | 700 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 245 | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA40 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 562 | 497,5 КБ | 562 | 40000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 40400 | 216 | 4075520 | 10000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LFX1200C-03F900C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispXPGA® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfx125eb04f256i-datasheets-8311.pdf | 900-ББГА | 31 мм | 31 мм | 2,5 В | 900 | 900 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,65 В~1,95 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | LFX1200 | 900 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,8 В | Не квалифицирован | 82,5 КБ | 496 | 51,8 КБ | 496 | 320 МГц | 1250000 | 15376 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3844 | 423936 | 1,07 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| LFX1200C-03FE680C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispXPGA® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,7 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfx125eb04f256i-datasheets-8311.pdf | 680-ЛБГА | 40 мм | 40 мм | 2,5 В | 680 | 680 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,65 В~1,95 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | LFX1200 | 680 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,8 В | Не квалифицирован | 82,5 КБ | 496 | 51,8 КБ | 496 | 320 МГц | 1250000 | 15376 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3844 | 423936 | 1,07 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| LX256EV-5F484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispGDX2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 484-ББГА | 3,3 В | Без свинца | 484 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 3В~3,6В | LX256 | 484 | 38 Гбит/с | 256 | 3,6 В | Тройной | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LX64V-3F100C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispGDX2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,7 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 100-ЛБГА | 11 мм | 11 мм | 3,3 В | 100 | 100 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 240 | 3,3 В | 1 мм | LX64 | 100 | 30 | Не квалифицирован | 11 Гбит/с | 64 | 3,6 В | Тройной | 3В | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ DSP, КРЕСТОВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | ДА | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LX128V-5F208C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispGDX2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Без свинца | 208 | 208 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | LX128 | 208 | 30 | Не квалифицирован | 21 Гбит/с | 128 | 3,6 В | Тройной | 3В | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ DSP, КРЕСТОВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | ДА | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| OR2T26A6S208I-ДБ | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | КАСАТКА® 2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 294,12 МГц | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1992 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-or2t15a6ba256db-datasheets-5534.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 3,3 В | 208 | 208 | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,5 мм | ОР2Т26А | 208 | Программируемые вентильные матрицы | 171 | 4,5 КБ | 163 | 576 КЛБС, 27600 ВОРОТ | 63600 | 2304 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 27600 | 576 | 36864 | 1,4 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA115E-6FC1704C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,3 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1704-BCBGA, FCBGA | 42,5 мм | 42,5 мм | 1,2 В | Без свинца | 1704 г. | EAR99 | 700 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA115 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 942 | 975КБ | 942 | 115000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 115200 | 424 | 7987200 | 28750 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA25E-6FF1020C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-ББГА, ФКБГА | Без свинца | 1020 | EAR99 | 700 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | LFSC3GA25 | 476 | 240 КБ | 25000 | 1966080 | 6250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA115EP1-6FC1704I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,3 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1704-BCBGA, FCBGA | 42,5 мм | 42,5 мм | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA115 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | S-CBGA-B1704 | 942 | 942 | 942 | 1000 МГц | 115000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 115200 | 424 | 7987200 | 28750 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA80EP1-5FC1704I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 5,3 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1704-BCBGA, FCBGA | 42,5 мм | 42,5 мм | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA80 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | S-CBGA-B1704 | 904 | 904 | 904 | 1000 МГц | 80000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 80100 | 308 | 5816320 | 20000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LP640-CM81 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40™ LP | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice40lp640cm49-datasheets-0896.pdf | 81-ВФБГА | 81 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,4 мм | ICE40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,2 В | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б81 | 63 | 63 | 63 | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 640 | 32768 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200ZE-2MG132CR1 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 58 мкА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 1,2 В | 132 | 132 | EAR99 | 140,315 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-1200 | 132 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 17,3 КБ | 104 | 105 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE65L01F-LVQ100I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE65™ Л | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 12 мкА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice65l01flqn84c-datasheets-1085.pdf | 100-TQFP | 1,2 В | Без свинца | 100 | 256 МГц | неизвестный | 1,14 В~1,26 В | ICE65 | 8КБ | 72 | 8КБ | 1280 | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE65L04F-TCB284I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE65™ Л | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 26 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice65l01flqn84c-datasheets-1085.pdf | 284-ВФБГА, ЦСПБГА | 1,2 В | Без свинца | 284 | 284 | 256 МГц | неизвестный | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,5 мм | ICE65 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 10 КБ | 176 | 10 КБ | 176 | 3520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 81920 | 440 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE65P04F-TCB284C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE65™ П | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 45 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice65p04ftcb284c-datasheets-1363.pdf | 284-ВФБГА, ЦСПБГА | 1,2 В | Без свинца | 284 | 533 МГц | 1,14 В~1,26 В | ICE65 | 10 КБ | 174 | 10 КБ | 3520 | 81920 | 440 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE65L08F-TCS110I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE65™ Л | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 54 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice65l01flqn84c-datasheets-1085.pdf | 1,2 В | 110 | 110 | 256 МГц | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,4 мм | ICE65 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 110-WLCSP | 16 КБ | 92 | 16 КБ | 92 | 7680 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 131072 | 960 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-70E-8FN672I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe370e6fn1156i-datasheets-1461.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | 672 | 672 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-70 | 672 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 570,6кБ | 380 | 552,5 КБ | 380 | 500 МГц | 67000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 8375 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-70E-7FN484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 18 мА | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe370e6fn1156i-datasheets-1461.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | 484 | 484 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-70 | 484 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 570,6кБ | 295 | 552,5 КБ | 295 | 420 МГц | 67000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 8375 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC15E-3F484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 484 | нет | EAR99 | 340 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕК15 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 51,4 КБ | 352 | 43,8 КБ | 352 | 15400 | 1920 год | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 15300 | 358400 | 0,56 нс |
