Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешётчатая полупроводниковая корпорация (5206)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Задержка распространения | Количество выходов | Количество программируемых входов/выходов | Количество входов | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество эквивалентных ворот | Количество CLB | Количество выделенных входов | Всего бит оперативной памяти | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ICE65L01F-LCB81C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE65™ Л | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice65l01flqn84c-datasheets-1085.pdf | 81-ВФБГА, ЦСПБГА | 1,2 В | Без свинца | 81 | 81 | 256 МГц | неизвестный | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1В | 0,5 мм | ICE65 | Программируемые вентильные матрицы | 1В | Не квалифицирован | 8 КБ | 63 | 8 КБ | 63 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE65L04F-LCB132C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | $7,56 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE65™ Л | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 26 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice65l01flqn84c-datasheets-1085.pdf | 132-ВФБГА, ЦСПБГА | 1,2 В | Без свинца | 132 | 132 | 256 МГц | неизвестный | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1В | 0,5 мм | ICE65 | Программируемые вентильные матрицы | 1В | Не квалифицирован | 10 КБ | 95 | 10 КБ | 95 | 3520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 81920 | 440 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE65L08F-LCB132C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE65™ Л | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 54 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice65l01flqn84c-datasheets-1085.pdf | 132-ВФБГА, ЦСПБГА | 1,2 В | Без свинца | 132 | 256 МГц | неизвестный | 1,14 В~1,26 В | ICE65 | 16 КБ | 95 | 16 КБ | 7680 | 131072 | 960 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-5FN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 14 мА | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | 256 | да | EAR99 | 600 МГц | 8542.39.00.01 | 14 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | LCMXO640 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 159 | СРАМ | 3,5 нс | 159 | 159 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-4FN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 14 мА | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | 256 | да | EAR99 | 550 МГц | 8542.39.00.01 | 14 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | LCMXO640 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 159 | СРАМ | 4,2 нс | 159 | 159 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-150EA-7FN1156ITW | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 18 мА | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 1156-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1156 | EAR99 | 3,1 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-150 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,2 В | Не квалифицирован | 586 | 856,3 КБ | 586 | 149000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 7014400 | 18625 | 0,335 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC10E-4F484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 484-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 484 | нет | EAR99 | 378 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ЛФЭК10 | 484 | 39,6 КБ | 288 | 34,5 КБ | 10200 | 1280 | 282624 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC10E-5Q208C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 1,2 В | Без свинца | 208 | 208 | нет | EAR99 | 420 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЭК10 | 208 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 39,6 КБ | 147 | 34,5 КБ | 147 | 10200 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 282624 | 0,4 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC1E-3Q208C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 1,2 В | Без свинца | 208 | 208 | нет | EAR99 | 340 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЭК1 | 208 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 3КБ | 112 | 2,3 КБ | 112 | 1500 | 192 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 192 | 18432 | 0,56 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200HC-5TG100IR1 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,49 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 100-LQFP | 2,5 В | 100 | 100 | EAR99 | 141,645 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,375 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-1200 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 17,3 КБ | 79 | 80 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP6E-5FN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | да | EAR99 | 420 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕКП6 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 14,6 КБ | 195 | 11,5 КБ | 195 | 6100 | 768 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 768 | 94208 | 0,4 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP6E-3FN484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 484-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 484 | 340 МГц | 1,14 В~1,26 В | ЛФЕКП6 | 484-ФПБГА (23х23) | 14,6 КБ | 224 | 11,5 КБ | 6100 | 6100 | 768 | 94208 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC10E-4FN256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | да | EAR99 | 378 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕК10 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 39,6 КБ | 195 | 34,5 КБ | 195 | 1280 КЛБС | 10200 | 1275 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1280 | 282624 | 0,48 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP20E-3FN484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 484 | да | EAR99 | 340 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭЦП20 | 484 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 62,9 КБ | 360 | 53КБ | 360 | 2464 КЛБС | 19700 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 2464 | 434176 | 0,56 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC20E-4FN672I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 672 | да | EAR99 | 378 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭК20 | 672 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 62,9 КБ | 400 | 53КБ | 400 | 2464 КЛБС | 19700 | 2462 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 2464 | 434176 | 0,48 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP33E-4FN484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 484-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 484 | да | EAR99 | 378 МГц | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ЛФЕКП33 | 484 | 78,6 КБ | 360 | 53КБ | 32800 | 4100 | 434176 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA25E-6FFAN1020I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-ББГА, ФКБГА | Без свинца | 8 недель | 1020 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | LFSC3GA25 | 476 | 240 КБ | 25000 | 1966080 | 6250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA115E-6FFN1152I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,5 мм | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1152 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA115 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 660 | 975КБ | 660 | 1000 МГц | 115000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 424 | 7987200 | 28750 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA115E-5FFN1152I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,5 мм | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1152 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA115 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 660 | 975КБ | 660 | 1000 МГц | 115000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 424 | 7987200 | 28750 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA25EP1-5FN900I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 900-ББГА | 31 мм | 31 мм | 1,2 В | Без свинца | 900 | 8 недель | 900 | да | EAR99 | 700 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA25 | 900 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 378 | 240 КБ | 378 | 25000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 25400 | 104 | 1966080 | 6250 | |||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA115EP1-6FFN1152I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,5 мм | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1152 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA115 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 660 | 975КБ | 660 | 1000 МГц | 115000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 424 | 7987200 | 28750 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA40EP1-6FFAN1020C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-ББГА, ФКБГА | Без свинца | 8 недель | 1020 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | LFSCM3GA40 | 562 | 497,5 КБ | 40000 | 4075520 | 10000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP15C-4FN484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 484-ББГА | 1,8 В | Без свинца | 484 | да | EAR99 | 360 МГц | 1,71 В~3,465 В | LFXP15 | 484 | 48,1 КБ | 300 | 40,5 КБ | 4 | 15000 | 1875 г. | 331776 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP15E-3FN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | 256 | 256 | да | EAR99 | 320 МГц | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | LFXP15 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 48,1 КБ | 188 | 40,5 КБ | 188 | 1932 КЛБС | 4 | 15000 | 1875 г. | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1932 год | 1932 год | 331776 | 0,63 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LFX200EB-04FN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispXPGA® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfx125eb04f256i-datasheets-8311.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Без свинца | 256 | 256 | да | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ С ПИТАНИЕМ 3,3 В. | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,3 В~3,6 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 2,5 В | 1 мм | LFX200 | 256 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 19,3 КБ | 160 | 13,9 КБ | 160 | 320 МГц | 210000 | 2704 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 676 | 113664 | 0,93 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ОРТ42Г5-1БМН484С | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | КАСАТКА® 4 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ort42g52bm484i-datasheets-5579.pdf | 484-ББГА | 484 | 484 | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,425 В~3,6 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 1 мм | ОРТ42Г5 | 484 | Программируемые вентильные матрицы | 1,53/3,3 В | 204 | 1296 КЛБС, 333000 ВОРОТ | 643000 | 10368 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 333000 | 1296 | 113664 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC10E-5FN484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 484-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 484 | 420 МГц | 1,14 В~1,26 В | ЛФЭК10 | 484-ФПБГА (23х23) | 39,6 КБ | 288 | 34,5 КБ | 10200 | 10200 | 1280 | 282624 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200E-3T144I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 100°С | -40°С | 18 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 144-LQFP | 1,2 В | Без свинца | 1,26 В | 1,14 В | 144 | 500 МГц | 18 мА | 1,14 В~1,26 В | LCMXO1200 | 144-ТКФП (20х20) | 113 | СРАМ | 113 | 600 | 1200 | 150 | 9421 | 150 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200E-5T100C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 18 мА | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 100 | нет | EAR99 | 600 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 18 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO1200 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 73 | СРАМ | 3,6 нс | 73 | 600 | МАКРОКЛЕТКА | 1200 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 9421 | 150 | |||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280C-5B256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 23 мА | 1,7 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛФБГА, КСПБГА | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | нет | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 23 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 240 | 1,8 В | 0,8 мм | LCMXO2280 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 211 | СРАМ | 3,6 нс | 211 | 211 | 420 МГц | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 28262 | 285 |
