Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешётчатая полупроводниковая корпорация (5206)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Количество выходов | Количество входов | Тактовая частота | Организация | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Количество выделенных входов | Всего бит оперативной памяти | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LCMXO3L-640E-5MG121I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 121-ВФБГА | 6 мм | 6 мм | 121 | 8 недель | 121 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 100 | 8 КБ | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 80 | 65536 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LP1K-CM121TR1K | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40™ LP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice40hx8kcm225-datasheets-4039.pdf | 121-ВФБГА, ЦСБГА | 5 мм | 5 мм | 121 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,4 мм | ICE40LP1K | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б121 | 95 | 8 КБ | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40UP5K-UWG30ITR | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40 УльтраПлюс™ | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 185 МГц | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice40up3kuwg30itr50-datasheets-4677.pdf | 30-УФБГА, ВЛЦП | 2,537 мм | 600 мкм | 2,114 мм | 30 | 8 недель | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,4 мм | 100°С | Р-ПБГА-Б30 | 21 | 128 КБ | 9 нс | 5280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 660 | 1171456 | 660 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LM2K-CM36TR1K | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40™ ЛМ | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice40lm4kcm49tr1k-datasheets-5836.pdf | 36-ВФБГА | 2,5 мм | 2,5 мм | 1,2 В | 36 | 8 недель | 36 | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,4 мм | ICE40LM2K | 28 | 10 КБ | 256 КЛБС | 2000 г. | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 256 | 81920 | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LM4K-CM36TR1K | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40™ ЛМ | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice40lm4kcm49tr1k-datasheets-5836.pdf | 36-ВФБГА | 2,5 мм | 2,5 мм | 1,2 В | 36 | 8 недель | 36 | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,4 мм | ICE40LM4K | 28 | 10 КБ | 3520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 440 | 81920 | 440 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-17EA-6LMG328I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 328-ЛФБГА, ЦСБГА | 10 мм | 10 мм | Без свинца | 328 | 8 недель | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЭ3-17 | 328 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,2 В | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б328 | 116 | 87,5 КБ | 116 | 116 | 375 МГц | 17000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 716800 | 2125 | 0,379 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3D-9400HC-5BG400I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаXO3D | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3d9400hc5bg400c-datasheets-8960.pdf | 400-LFBGA | 8 недель | 2,375 В~3,465 В | 335 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-8E-7MN132C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,5 мм | LFXP2-8 | 132 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 29,9 КБ | 86 | 27,6 КБ | 86 | 435 МГц | 8000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 226304 | 1000 | 0,304 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-85F-6BG381C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 381-ФБГА | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,045 В~1,155 В | 260 | НЕ УКАЗАН | 205 | 468КБ | 84000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3833856 | 21000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛФЭ5У-85Ф-7МГ285И | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 285-ТФБГА | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,045 В~1,155 В | 260 | НЕ УКАЗАН | 118 | 84000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3833856 | 21000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LAXP2-8E-5QN208E | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЛА-XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 4,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-laxp25e5ftn256e-datasheets-7358.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 1,2 В | Без свинца | 208 | 8 недель | 208 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,2 В | 0,5 мм | LAXP2 | 208 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 29,9 КБ | 146 | 27,6 КБ | 146 | 435 МГц | 8000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 226304 | 1000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200C-3TN144C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 420 МГц | 21 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf&product=latticesemiconductorcorporation-lcmxo1200c3tn144c-7539567 | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 3,3 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 1,319103г | 144 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,71 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LCMXO1200 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 113 | СРАМ | 5,1 нс | 5,1 нс | 113 | 600 | МАКРОКЛЕТКА | 1200 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 9421 | 150 | |||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000HC-6QN84I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 84-VFQFN Двухрядный, открытая колодка | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 2,375 В~3,465 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 68 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-8E-5QN208C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 311 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 3,4 мм | 28 мм | 1,2 В | Без свинца | 208 | 8 недель | Нет СВХК | 208 | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,2 В | 0,5 мм | LFXP2-8 | 208 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | 29,9 КБ | 146 | 27,6 КБ | 146 | 4000 | 8000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 226304 | 1000 | 0,494 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5UM-85F-7BG554C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 554-ФБГА | Без свинца | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,045 В~1,155 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 259 | 468КБ | 84000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3833856 | 21000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-20SE-5QN208I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 4,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 1,2 В | Без свинца | 208 | 8 недель | 208 | да | EAR99 | 311 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЭ2-20 | 208 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 39,8 КБ | 131 | 34,5 КБ | 131 | 21000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 20000 | 282624 | 2625 | 0,358 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-20E-7FN256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-20 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 39,8 КБ | 193 | 34,5 КБ | 193 | 420 МГц | 21000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 20000 | 282624 | 2625 | 0,304 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-35EA-8LFTN256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | Без свинца | 256 | 8 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-35 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,2 В | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 133 | 165,9 КБ | 133 | 133 | 500 МГц | 33000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1358848 | 4125 | 0,281 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-9400E-5BG484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 484-ЛФБГА | 8 недель | 1,14 В~1,26 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 384 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5UM5G-25F-8MG285I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП5-5G | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,3 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 285-ТФБГА | 10 мм | 10 мм | 285 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,045 В~1,155 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б285 | 118 | 3000 КЛБС | 24000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3000 | 1032192 | 6000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3D-9400HC-5SG72C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаXO3D | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3d9400hc5bg400c-datasheets-8960.pdf | 72-КФН | 8 недель | 2,375 В~3,465 В | 58 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000ZE-3QN84C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 84-VFQFN Двухрядный, открытая колодка | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 68 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280E-3TN144C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | КМОП | 420 МГц | 20 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | Нет СВХК | 144 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | 20 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2280 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 113 | СРАМ | 5,1 нс | 5,1 нс | 113 | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 28262 | 285 | ||||||||||||||||||||||||
| ЛФЭ5У-45Ф-8МГ285И | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,3 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 285-ТФБГА | 10 мм | 10 мм | 285 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,045 В~1,155 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,1 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б285 | 118 | 5500 КЛБС | 44000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 5500 | 1990656 | 11000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5UM5G-85F-8BG756I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП5-5G | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 756-ФБГА | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,045 В~1,155 В | 365 | 84000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3833856 | 21000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-95EA-6FN672C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 18 мА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 1,65 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 8 недель | 672 | EAR99 | Нет | 375 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-95 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 576КБ | 380 | 552,5 КБ | 380 | 92000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 11500 | 0,379 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-150EA-6LFN672C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | Без свинца | 672 | 8 недель | 672 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-150 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,2 В | Не квалифицирован | 380 | 856,3 КБ | 380 | 375 МГц | 149000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 7014400 | 18625 | 0,379 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-70SE-6FN900I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 900-ББГА | 31 мм | 31 мм | 1,2 В | Без свинца | 900 | 8 недель | 900 | да | EAR99 | 357 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-70 | 900 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 146 КБ | 583 | 129 КБ | 583 | 68000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 70000 | 1056768 | 8500 | 0,331 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-95EA-9FN484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 230,7 мА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 484 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-95 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 576КБ | 295 | 552,5 КБ | 295 | 500 МГц | 92000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 4526080 | 11500 | 0,252 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M100E-6FN1152C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 357 МГц | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 1152-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1,2 В | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 1152 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 688,8 КБ | 520 | 663,5 КБ | 520 | 95000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 100000 | 5435392 | 11875 | 0,331 нс |
