Массивы БЮТ-транзисторов (1927 г.)

Имя	Производитель	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Ряд	Установить	Тип монтажа	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Напряжение — номинальный постоянный ток	Текущий рейтинг	Пакет/ключи	Длина	Высота	Ширина	Без свинца	Количество окончаний	Срок выполнения заказа на заводе	Масса	ДОСТИГНУТЬ СВХК	Количество контактов	Статус жизненного цикла	Код Pbfree	ECCN-код	Дополнительная функция	Контактное покрытие	Радиационная закалка	Достичь соответствия кода	Код HTS	Код JESD-609	Терминальные отделки	Полярность	Без галогенов	Поверхностный монтаж	Максимальная рассеиваемая мощность	Положение терминала	Терминальная форма	Пиковая температура оплавления (Цел)	Базовый номер детали	Количество контактов	Количество вариантов	Конфигурация элемента	Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	Рассеяние активности	Количество элементов	Подкатегория	Статус квалификации	Код JESD-30	Материал транзисторного элемента	Конфигурация	Применение транзистора	Полярность/Тип канала	Непрерывный ток коллектора	Мощность - Макс.	Максимальное напряжение проба	Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	Макс. ток коллектора	Частота перехода	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Базовое напряжение коллектора (VCBO)	Базовое напряжение эмиттера (VEBO)	VCEsat-Макс	hFE Мин.	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Тип транзистора	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)
ACX115EUQ-7R	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует ROHS3		/files/diodesincorporated-acx115euq13r-datasheets-4491.pdf			6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363					6	13 недель							ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1					е3	Матовый олово (Sn)			ДА		ДВОЙНОЙ	КРЫЛО ЧАЙКИ	260					40		2			Р-ПДСО-Г6	КРЕМНИЙ	РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ		НПН И ПНП		270мВт						250 МГц	50В	100 мА						НПН, дополнительный ПНП	82 @ 5 мА 5 В	250 МГц		100 кОм	100 кОм
НСБК115ТДП6Т5Г	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2010 год	/files/onsemiconductor-nsbc115tdp6t5g-datasheets-5618.pdf			СОТ-963				Без свинца	6	8 недель			6	АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад)	да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ		Нет			е3	Олово (Вс)	НПН		ДА	339 МВт		ПЛОСКИЙ		НСБК1*	6		Двойной			2	Малые сигналы назначения общего BIP					ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ					50В		50В	100 мА							160	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	160 @ 5 мА 10 В		250 мВ при 5 мА, 10 мА	100 кОм
ИМХ20ТР1Г	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2010 год	/files/onsemiconductor-imh20tr1g-datasheets-5621.pdf	15 В	600 мА	СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6				Без свинца	6	2 недели			6	АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад)	да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ	Олово	Нет		8541.21.00.95	е3		НПН	Без галогенов	ДА	300мВт		КРЫЛО ЧАЙКИ	260		6		Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения										15 В	80мВ	15 В	600 мА				30В	5В		100		2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	100 @ 50 мА 5 В		80 мВ при 2,5 мА, 50 мА	2,2 кОм
НСВТБ60BDW1T1G	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует ROHS3	2002 г.	/files/onsemiconductor-nstb60bdw1t1-datasheets-7744.pdf			6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363				Без свинца		8 недель				АКТИВНО (последнее обновление: 2 недели назад)	да	EAR99						е3	Олово (Вс)				250 мВт																			250 мВт		50В		250 мВ	150 мА								500нА	1 NPN с предварительным смещением, 1 PNP	80 при 5 мА 10 В / 120 при 5 мА 10 В		250 мВ при 5 мА, 10 мА / 500 мВ при 5 мА, 50 мА	22 кОм	47 кОм
НСБК144WDXV6T1G	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует ROHS3	2012 год	/files/onsemiconductor-smun5237dw1t1g-datasheets-8981.pdf			СОТ-563, СОТ-666				Без свинца	6	17 недель			6	АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад)	да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 0,47					е3	Олово (Вс)	НПН		ДА	500мВт		ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН		6			НЕ УКАЗАН		2	БИП Малый сигнал общего назначения	Не квалифицированный		КРЕМНИЙ	РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ			500мВт		50В		250 мВ	100 мА							80	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	80 при 5 мА 10 В		250 мВ при 5 мА, 10 мА	47 кОм	22 кОм
ЭМГ4Т2Р	РОМ Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2011 год		50В	100 мА	6-SMD (5 выводов), плоский вывод				Без свинца	5	13 недель			5		да	EAR99			Нет			е2	Олово/Медь (Sn/Cu)	НПН			150 мВт			260	*MG4	5			10		2	БИП Малый сигнал общего назначения				ОБЩИЙ ЭМИТТЕР, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ				50В	50В		50В	100 мА	250 МГц						100		2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	100 @ 1 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 1 мА, 10 мА	10 кОм
ДДК144НС-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-ddc144ns7-datasheets-5633.pdf			6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	2,2 мм	1 мм	1,35 мм	Без свинца	6	14 недель	6,010099мг	Нет СВХК			да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1.		Нет			е3	Матовый олово (Sn)	НПН			200мВт		КРЫЛО ЧАЙКИ	260	ДДК144	6		Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения		Р-ПДСО-Г6					100 мА		50В	50В		300мВ	100 мА	250 МГц						100	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	100 при 5 мА 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	47 кОм	47 кОм
НСБА143TDXV6T1G	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2012 год	/files/onsemiconductor-nsba143tdxv6t5g-datasheets-5162.pdf	-50В	-100 мА	СОТ-563, СОТ-666				Без свинца	6	17 недель			6	АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад)	да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ		Нет			е3	Олово (Вс)	ПНП		ДА	500мВт		ПЛОСКИЙ		НСБА1*	6		Двойной		357 МВт	2	БИП Малый сигнал общего назначения							-100 мА		50В	50В		50В	100 мА							160	500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	160 @ 5 мА 10 В		250 мВ при 1 мА, 10 мА	4,7 кОм
НСБА115EDXV6T1G	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2010 год	/files/onsemiconductor-mun5136dw1t1g-datasheets-4286.pdf	-50В	-100 мА	СОТ-563, СОТ-666				Без свинца	6	17 недель			6	АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад)	да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1.		Нет			е3	Олово (Вс)	ПНП		ДА	500мВт		ПЛОСКИЙ	260	НСБА1*	6		Двойной	40	357 МВт	2	БИП Малый сигнал общего назначения							-100 мА		50В	50В		50В	100 мА							80	500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 при 5 мА 10 В		250 мВ при 300 мкА, 10 мА	100 кОм	100 кОм
НСБК144EDXV6T5G	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2006 г.	/files/onsemiconductor-mun5213dw1t1g-datasheets-7191.pdf	50В	100 мА	СОТ-563, СОТ-666				Без свинца	6	2 недели			6	АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад)	да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1.		Нет			е3	Олово (Вс)	НПН		ДА	500мВт		ПЛОСКИЙ	260	НСБК1*	6		Двойной	40	357 МВт	2	БИП Малый сигнал общего назначения					ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ		100 мА		50В	50В		50В	100 мА							80	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	80 при 5 мА 10 В		250 мВ при 300 мкА, 10 мА	47 кОм	47 кОм
НСБА144WDXV6T1G	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует ROHS3	2012 год	/files/onsemiconductor-mun5137dw1t1g-datasheets-7815.pdf			СОТ-563, СОТ-666				Без свинца	6	17 недель			6	АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад)	да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 2,1.					е3	Олово (Вс)	ПНП		ДА	500мВт		ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН		6			НЕ УКАЗАН		2	Малые сигналы назначения общего BIP	Не квалифицированный		КРЕМНИЙ	РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ				500мВт		50В		250 мВ	100 мА							80	500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 при 5 мА 10 В		250 мВ при 300 мкА, 10 мА	47 кОм	22 кОм
ДДК143ЕН-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-ddc144eh7-datasheets-0215.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм		6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 1		Нет		8541.21.00.75	е3	Матовый олово (Sn)	НПН			150 мВт		ПЛОСКИЙ	260	ДДК143	6		Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения							100 мА			50В		300мВ	100 мА	250 МГц						20	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	20 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	4,7 кОм	4,7 кОм
НСБК144ЭДП6Т5Г	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2008 год	/files/onsemiconductor-mun5213dw1t1g-datasheets-7191.pdf			СОТ-963				Без свинца	6	2 недели			6	АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад)	да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1.					е3	Олово (Вс)	НПН		ДА	339 МВт		ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН	НСБК1*	6		Двойной	НЕ УКАЗАН		2	БИП Малый сигнал общего назначения	Не квалифицированный				ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ					50В		50В	100 мА							80	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	80 при 5 мА 10 В		250 мВ при 300 мкА, 10 мА	47 кОм	47 кОм
IMB4AT110	РОМ Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2001 г.		-50В	-100 мА	СК-74, СОТ-457				Без свинца	6				6		да	EAR99	ЦИФРОВОЙ		Нет		8541.21.00.75	е1	Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu)	ПНП			300мВт		КРЫЛО ЧАЙКИ	260	МБ4	6		Двойной	10		2	БИП Малый сигнал общего назначения					ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ				50В	50В		50В	100 мА	250 МГц					0,3 В	100		2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	100 @ 1 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 1 мА, 10 мА	10 кОм
ДДА143ЕН-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-dda114th7-datasheets-0201.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм		6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 1		Нет		8541.21.00.75	е3	Матовый олово (Sn)	ПНП			150 мВт		ПЛОСКИЙ	260	ДДА143	6		Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения							100 мА			50В		300мВ	100 мА	250 МГц						20		2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	20 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	4,7 кОм	4,7 кОм
DDA114YH-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-dda114th7-datasheets-0201.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм	Без свинца	6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 4,7		Нет		8541.21.00.75	е3	Матовый олово (Sn)	ПНП			150 мВт		ПЛОСКИЙ	260	ДДА114	6		Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения							100 мА		50В	50В		300мВ	100 мА	250 МГц						68		2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	68 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	47 кОм
ДДК124ЕН-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-ddc144eh7-datasheets-0215.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм		6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 1		Нет		8541.21.00.75	е3	Матовый олово (Sn)	НПН			150 мВт		ПЛОСКИЙ	260	ДДК124	6		Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения							100 мА			50В		300мВ	100 мА	250 МГц						56	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	56 @ 5 мА 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	22 кОм	22 кОм
НСВМУН5336DW1T1G	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)				Соответствует ROHS3		/files/onsemiconductor-mun5336dw1t1g-datasheets-9994.pdf			6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363						8 недель				АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад)	да																															187мВт							50В	100 мА					500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 при 5 мА 10 В		250 мВ при 300 мкА, 10 мА	100 кОм	100 кОм
ДДК143ТХ-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-ddc144eh7-datasheets-0215.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм		6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ		Нет		8541.21.00.75	е3	Матовый олово (Sn)	НПН			150 мВт		ПЛОСКИЙ	260	ДДК143	6		Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения							100 мА			50В		50В	100 мА	250 МГц						100		2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	100 @ 1 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 2,5 мА	4,7 кОм
НСБК143EDP6T5G	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2010 год	/files/onsemiconductor-mun5232dw1t1g-datasheets-7224.pdf			СОТ-963				Без свинца	6	2 недели			6	АКТИВНО (последнее обновление: 2 недели назад)	да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1.		Нет			е3	Олово (Вс)	НПН		ДА	339 МВт		ПЛОСКИЙ		НСБК1*	6		Двойной			2	БИП Малый сигнал общего назначения					ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ					50В		50В	100 мА							15	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	15 @ 5 мА 10 В		250 мВ при 1 мА, 10 мА	4,7 кОм	4,7 кОм
МИМД10А-7-Ф	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-mimd10a7f-datasheets-5541.pdf			6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	2,2 мм	1 мм	1,35 мм		6	15 недель	6,010099мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 100		Нет			е3	Матовый олово (Sn)	НПН, ПНП			200мВт		КРЫЛО ЧАЙКИ	260	МД10А	6	2	Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения					ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ		500 мА			50В		300мВ	500 мА	250 МГц		100 мА 500 мА					500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	100 @ 1 мА 5 В	250 МГц 200 МГц	300 мВ при 1 мА, 10 мА / 300 мВ при 5 мА, 100 мА	100 Ом, 10 кОм	10 кОм
DCX114YH-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-dcx144eh7-datasheets-9402.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм		6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 4,7			не_совместимо		е3	Матовый олово (Sn)	НПН, ПНП			150 мВт		ПЛОСКИЙ	260	DCX114	6	2	Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения	Не квалифицированный						100 мА		50В	50В		300мВ	100 мА	250 МГц						68	500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	68 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	47 кОм
ДДК114ТХ-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-ddc144eh7-datasheets-0215.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм		6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ		Нет		8541.21.00.75	е3	Матовый олово (Sn)	НПН			150 мВт		ПЛОСКИЙ	260	ДДК114	6		Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения							100 мА			50В		50В	100 мА	250 МГц						100		2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	100 @ 1 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 100 мкА, 1 мА	10 кОм
DCX115EU-7-F	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует ROHS3	2015 год	/files/diodesincorporated-dcx114yu7f-datasheets-7356.pdf			6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363						19 недель						EAR99						е3	Матовый олово (Sn)				200мВт			НЕ УКАЗАН					НЕ УКАЗАН											200мВт	50В	50В		300мВ	100 мА								500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	82 @ 5 мА 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	100 кОм	100 кОм
НСБК143ТДСВ6Т5Г	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2006 г.	/files/onsemiconductor-mun5216dw1t1g-datasheets-7202.pdf	50В	100 мА	СОТ-563, СОТ-666				Без свинца	6	2 недели			6	АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад)	да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ					е3	Олово (Вс)	НПН		ДА	500мВт		ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН	НСБК1*	6		Двойной	НЕ УКАЗАН	357 МВт	2	БИП Малый сигнал общего назначения	Не квалифицированный				ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ		100 мА			50В		250 мВ	100 мА							160	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	160 @ 5 мА 10 В		250 мВ при 1 мА, 10 мА	4,7 кОм
DCX144EU-7-F	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2006 г.	/files/diodesincorporated-dcx114yu7f-datasheets-7356.pdf	50В	100 мА	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	2,2 мм	1 мм	1,35 мм	Без свинца	6	19 недель	6,010099мг		6		да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора равен 1.					е3	Матовый олово (Sn)	НПН, ПНП			200мВт		КРЫЛО ЧАЙКИ	260		6	2	Двойной	40		2	Малые сигналы назначения общего BIP	Не квалифицированный						100 мА		50В	50В		50В	100 мА	250 МГц						68	500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	68 @ 5 мА 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	47 кОм	47 кОм
ДДК122ТХ-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-ddc142th7-datasheets-0004.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм		6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ		Нет		8541.21.00.75	е3	Матовый олово (Sn)	НПН			150 мВт		ПЛОСКИЙ	260	ДДК122	6		Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения			КРЕМНИЙ				100 мА			50В		40В	100 мА	200 МГц						100		2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	100 @ 1 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	220 Ом
DCX124EH-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-dcx144eh7-datasheets-9402.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм		6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 1		Нет			е3	Матовый олово (Sn)	НПН, ПНП			150 мВт		ПЛОСКИЙ	260	DCX124	6	2	Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения							100 мА			50В		300мВ	100 мА	250 МГц						56	500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	56 @ 5 мА 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	22 кОм	22 кОм
ДДА122ТУ-7-Ф	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-dda142tu7f-datasheets-5073.pdf			6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	2,2 мм	1 мм	1,35 мм		6	15 недель	6,010099мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ			не_совместимо	8541.21.00.75	е3	Матовый олово (Sn)	ПНП			200мВт		КРЫЛО ЧАЙКИ	260	ДДА122	6		Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения	Не квалифицированный						100 мА			50В		40В	100 мА	200 МГц								2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	100 @ 1 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	220 Ом
DDC142JH-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-ddc142th7-datasheets-0004.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм		6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 21,27.		Нет		8541.21.00.75	е3	Матовый олово (Sn)	НПН			150 мВт		ПЛОСКИЙ	260	ДДК142	6		Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения			КРЕМНИЙ				100 мА			50В		300мВ	100 мА	200 МГц						56	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	56 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	470 Ом	10 кОм

Массивы БЮТ-транзисторов (1927 г.)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии