Массивы БЮТ-транзисторов (1927 г.)

Имя	Производитель	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Ряд	Установить	Тип монтажа	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Напряжение — номинальный постоянный ток	Текущий рейтинг	Пакет/ключи	Длина	Высота	Ширина	Рабочее напряжение питания	Без свинца	Количество окончаний	Срок выполнения заказа на заводе	Масса	ДОСТИГНУТЬ СВХК	Количество контактов	Статус жизненного цикла	Код Pbfree	ECCN-код	Дополнительная функция	Радиационная закалка	Достичь соответствия кода	Код HTS	Код JESD-609	Терминальные отделки	Полярность	Поверхностный монтаж	Максимальная рассеиваемая мощность	Терминальная форма	Пиковая температура оплавления (Цел)	Базовый номер детали	Количество контактов	Количество вариантов	Конфигурация элемента	Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	Рассеяние активности	Количество элементов	Подкатегория	Статус квалификации	Код JESD-30	Максимальный выходной ток	Материал транзисторного элемента	Конфигурация	Применение транзистора	Полярность/Тип канала	Непрерывный ток коллектора	Мощность - Макс.	Максимальное напряжение проба	Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	Макс. ток коллектора	Частота перехода	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	VCEsat-Макс	hFE Мин.	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Тип транзистора	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)
ЭМФ24Т2Р	РОМ Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2004 г.	/files/rohmsemiconductor-emf24t2r-datasheets-5470.pdf			СОТ-563, СОТ-666						6	10 недель			6		да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1.	Нет			е2	Олово/Медь (Sn/Cu)	НПН		150 мВт	ПЛОСКИЙ	260		6		Двойной	10		2	Другие транзисторы						ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ					50В	50В	150 мА	250 МГц		100 мА 150 мА		180	500нА	1 NPN с предварительным смещением, 1 NPN	30 при 5 мА 5 В / 180 при 1 мА 6 В	250 МГц 180 МГц	300 мВ при 500 мкА, 10 мА / 400 мВ при 5 мА, 50 мА	10 кОм	10 кОм
DDA123JH-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-dda114th7-datasheets-0201.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм			6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99		Нет		8541.21.00.75	е3	Матовый олово (Sn)	ПНП		150 мВт	ПЛОСКИЙ	260	ДДА123	6		Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения								100 мА			50В	300мВ	100 мА	250 МГц				80		2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	2,2 кОм	47 кОм
ДДК122ЛХ-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-ddc142th7-datasheets-0004.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм			6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 45,45.	Нет		8541.21.00.75	е3	Матовый олово (Sn)	НПН		150 мВт	ПЛОСКИЙ	260	ДДК122	6		Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения				КРЕМНИЙ				100 мА			50В	300мВ	100 мА	200 МГц				56	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	56 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	220 Ом	10 кОм
ДДА122ЛХ-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-dda142jh7-datasheets-5424.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм			6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 45,45	Нет		8541.21.00.75	е3	Матовый олово (Sn)	ПНП		150 мВт	ПЛОСКИЙ	260	ДДА122	6		Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения								100 мА			50В	300мВ	100 мА	200 МГц				56	500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	56 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	220 Ом	10 кОм
ДДА122ТХ-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-dda142jh7-datasheets-5424.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм			6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ	Нет		8541.21.00.75	е3	Матовый олово (Sn)	ПНП		150 мВт	ПЛОСКИЙ	260	ДДА122	6		Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения								100 мА			50В	40В	100 мА	200 МГц				100		2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	100 @ 1 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	220 Ом
ДДА122ЛУ-7-Ф	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-dda142tu7f-datasheets-5073.pdf			6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	2,2 мм	1 мм	1,35 мм			6	15 недель	6,010099мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 45,45		не_совместимо	8541.21.00.75	е3	Матовый олово (Sn)	ПНП		200мВт	КРЫЛО ЧАЙКИ	260	ДДА122	6		Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения	Не квалифицирован							100 мА			50В	300мВ	100 мА	200 МГц				56	500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	56 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	220 Ом	10 кОм
DCX122TH-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-dcx142th7-datasheets-5391.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм			6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ	Нет			е3	Матовый олово (Sn)	НПН, ПНП		150 мВт	ПЛОСКИЙ	260	DCX122	6	2	Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения								100 мА			50В	40В	100 мА	200 МГц				100		1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	100 @ 1 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	220 Ом
EMA8T2R	РОМ Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-50°С	Соответствует ROHS3	2001 г.	/files/rohmsemiconductor-uma8ntr-datasheets-4803.pdf	-50В	-100 мА	6-SMD (5 выводов), плоский вывод					Без свинца	5				5		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 4,7	Нет			е2	Олово/Медь (Sn/Cu)	ПНП		300мВт		260	МА8	5			10	300мВт	2	БИП Малый сигнал общего назначения					ОБЩИЙ ЭМИТТЕР, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ		-100 мА		50В	50В	300мВ	100 мА	250 МГц				68	500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	68 @ 5 мА 5 В		300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	10 кОм	47 кОм
DCX143EH-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-dcx144eh7-datasheets-9402.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм			6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 1	Нет			е3	Матовый олово (Sn)	НПН, ПНП		150 мВт	ПЛОСКИЙ	260	DCX143	6	2	Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения								100 мА			50В	300мВ	100 мА	250 МГц				20	500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	20 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	4,7 кОм	4,7 кОм
UMG7NTR	РОМ Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/rohmsemiconductor-umg7ntr-datasheets-5444.pdf			5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353						5				5			EAR99	ЦИФРОВОЙ	Нет							150 мВт	КРЫЛО ЧАЙКИ			5		Двойной			2							ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ	НПН				50В	300мВ	100 мА	250 МГц			0,3 В		500нА ИКБО	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	100 @ 1 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 1 мА, 10 мА	10 кОм
DCX114TH-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-dcx144eh7-datasheets-9402.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм			6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ	Нет			е3	Матовый олово (Sn)	НПН, ПНП		150 мВт	ПЛОСКИЙ	260	DCX114	6	2	Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения								100 мА			50В	50В	100 мА	250 МГц				100	500нА ИКБО	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	100 @ 1 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 100 мкА, 1 мА	10 кОм
НСБК124EDXV6T5G	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2010 год	/files/onsemiconductor-nsvmun5212dw1t1g-datasheets-8452.pdf	50В	100 мА	СОТ-563, СОТ-666					Без свинца	6	17 недель			6	АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад)	да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1.				е3	Олово (Вс)	НПН	ДА	500мВт	ПЛОСКИЙ	260	НСБК1*	6		Двойной	40	357 МВт	2	БИП Малый сигнал общего назначения	Не квалифицирован					ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ		100 мА			50В	50В	100 мА					60	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	60 при 5 мА 10 В		250 мВ при 300 мкА, 10 мА	22 кОм	22 кОм
DCX142TH-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-dcx142th7-datasheets-5391.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм			6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ	Нет			е3	Матовый олово (Sn)	НПН, ПНП		200мВт	ПЛОСКИЙ	260	DCX142	6	2	Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения								100 мА			50В	40В	100 мА	200 МГц				100		1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	100 @ 1 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	470 Ом
EMB4T2R	РОМ Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2001 г.		-50В	-100 мА	СОТ-563, СОТ-666					Без свинца	6	13 недель			6		да	EAR99		Нет		8541.21.00.75	е2	ОЛОВО МЕДЬ	ПНП		150 мВт	ПЛОСКИЙ	260	МБ4	6		Двойной	10		2	БИП Малый сигнал общего назначения						ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ				50В	50В	50В	100 мА	250 МГц				100		2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	100 @ 1 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 1 мА, 10 мА	10 кОм
НСВМУН531335DW1T3G	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101		Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			Соответствует ROHS3	2016 год	/files/onsemiconductor-nsvmun531335dw1t3g-datasheets-5407.pdf			6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363							8 недель				АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад)	да																													385 МВт						50В	100 мА			500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 при 5 мА 10 В		250 мВ при 300 мкА, 10 мА	47 кОм, 2,2 кОм	47 кОм, 47 кОм
EMB9T2R	РОМ Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2004 г.	/files/rohmsemiconductor-umb9ntn-datasheets-8558.pdf	-50В	-70мА	СОТ-563, СОТ-666				50В	Без свинца	6				6		да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,7.	Нет		8541.21.00.75	е2	ОЛОВО МЕДЬ	ПНП		150 мВт	ПЛОСКИЙ	260	МБ9	6		Двойной	10	150 мВт	2	БИП Малый сигнал общего назначения			100 мА			ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ		-100 мА		50В	50В	300мВ	100 мА	250 МГц				68	500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	68 @ 5 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	47 кОм
НСБК144ВДП6Т5Г	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2010 год	/files/onsemiconductor-smun5237dw1t1g-datasheets-8981.pdf			СОТ-963					Без свинца	6	8 недель			6	АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад)	да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 0,47.				е3	Олово (Вс)	НПН	ДА	408мВт	ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН	НСБК1*	6		Двойной	НЕ УКАЗАН		2	БИП Малый сигнал общего назначения	Не квалифицирован					ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ					50В	50В	100 мА					80	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	80 при 5 мА 10 В		250 мВ при 5 мА, 10 мА	47 кОм	22 кОм
ФМГ6АТ148	РОМ Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	1997 год	/files/rohm-fmg6at148-datasheets-9917.pdf	50В	100 мА	СК-74А, СОТ-753				50В	Без свинца	5	13 недель			5		да	EAR99	ЦИФРОВОЙ	Нет			е1	ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ	НПН		300мВт	КРЫЛО ЧАЙКИ	260	*MG6	5			10		2	БИП Малый сигнал общего назначения			100 мА		ОБЩИЙ ЭМИТТЕР, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ					50В	50В	100 мА	250 МГц			0,3 В	100		2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	100 @ 1 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 1 мА, 10 мА	47 кОм
DDA142JH-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-dda142jh7-datasheets-5424.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм			6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 21,28	Нет		8541.21.00.75	е3	Матовый олово (Sn)	ПНП		150 мВт	ПЛОСКИЙ	260	ДДА142	6		Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения								100 мА			50В	300мВ	100 мА	200 МГц				56	500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	56 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	470 Ом	10 кОм
ДДА142ТХ-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-dda142jh7-datasheets-5424.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм			6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ	Нет		8541.21.00.75	е3	Матовый олово (Sn)	ПНП		150 мВт	ПЛОСКИЙ	260	ДДА142	6		Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения								100 мА			50В	40В	100 мА	200 МГц				100		2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	100 @ 1 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	470 Ом
НСБА123JDP6T5G	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2010 год	/files/onsemiconductor-mun5135dw1t1g-datasheets-7812.pdf			СОТ-963					Без свинца	6	8 недель			6	АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад)	да	EAR99		Нет			е3	Олово (Вс)	ПНП	ДА	408мВт	ПЛОСКИЙ		НСБА1*	6		Двойной			2	БИП Малый сигнал общего назначения						ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ					50В	50В	100 мА					80	500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 при 5 мА 10 В		250 мВ при 300 мкА, 10 мА	2,2 кОм	47 кОм
DCX122LH-7	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2007 год	/files/diodesincorporated-dcx142th7-datasheets-5391.pdf			СОТ-563, СОТ-666	1,6 мм	600 мкм	1,2 мм			6	19 недель	3,005049мг		6		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 45,45	Нет			е3	Матовый олово (Sn)	НПН, ПНП		150 мВт	ПЛОСКИЙ	260	DCX122	6	2	Двойной	40		2	БИП Малый сигнал общего назначения								100 мА			50В	300мВ	100 мА	200 МГц				56		1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	56 @ 10 мА 5 В	200 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	220 Ом	10 кОм
ЭМФ17Т2Р	РОМ Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2004 г.	/files/rohmsemiconductor-emf17t2r-datasheets-5439.pdf			СОТ-563, СОТ-666						6				6		да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1.	Нет			е2	ОЛОВО МЕДЬ	НПН, ПНП		150 мВт	ПЛОСКИЙ	260		6		Двойной	10		2	БИП Малый сигнал общего назначения						ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ					50В	300мВ	150 мА	250 МГц		100 мА 150 мА		20	500нА	1 NPN с предварительным смещением, 1 PNP	20 @ 20 мА 5 В / 180 @ 1 мА 6 В	250 МГц 140 МГц	300 мВ при 500 мкА, 10 мА / 500 мВ при 5 мА, 50 мА	2,2 кОм	2,2 кОм
НСБА144ВДП6Т5Г	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2010 год	/files/onsemiconductor-mun5137dw1t1g-datasheets-7815.pdf			СОТ-963					Без свинца	6	8 недель			6	АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад)	да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 0,47.	Нет			е3	Олово (Вс)	ПНП	ДА	408мВт	ПЛОСКИЙ		НСБА1*	6		Двойной			2	Малые сигналы назначения общего BIP						ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ					50В	50В	100 мА					80	500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 при 5 мА 10 В		250 мВ при 300 мкА, 10 мА	47 кОм	22 кОм
НСБА124EDP6T5G	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2010 год	/files/onsemiconductor-nsba124edxv6t1g-datasheets-7922.pdf			СОТ-963					Без свинца	6	8 недель			6	АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад)	да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1.	Нет			е3	Олово (Вс)	ПНП	ДА	408мВт	ПЛОСКИЙ		НСБА1*	6		Двойной			2	БИП Малый сигнал общего назначения						ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ					50В	50В	100 мА					60	500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	60 при 5 мА 10 В		250 мВ при 300 мкА, 10 мА	22 кОм	22 кОм
ЭМА11Т2Р	РОМ Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2001 г.	/files/rohmsemiconductor-uma11ntr-datasheets-4983.pdf			6-SMD (5 выводов), плоский вывод						5				6		да	EAR99	ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 10	Нет		8541.21.00.75	е2	Олово/Медь (Sn/Cu)	ПНП		150 мВт		260		5			10		2	БИП Малый сигнал общего назначения		Р-ПДСО-Ф5			ОБЩИЙ ЭМИТТЕР, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ					50В	300мВ	100 мА	250 МГц				80	500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	80 @ 10 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	4,7 кОм	47 кОм
УМХ14НТР	РОМ Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2004 г.	/files/rohm-umh14ntr-datasheets-9903.pdf	50В	100 мА	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363					Без свинца	6	10 недель			6		да	EAR99	ЦИФРОВОЙ	Нет		8541.21.00.75	е2	ОЛОВО МЕДЬ	НПН		150 мВт	КРЫЛО ЧАЙКИ	260	*MH14	6		Двойной	10		2	БИП Малый сигнал общего назначения						ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ				50В	50В	50В	100 мА	250 МГц				100		2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	100 @ 1 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 1 мА, 10 мА	47 кОм
ФМГ5АТ148	РОМ Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2000 г.	/files/rohmsemiconductor-fmg5at148-datasheets-5334.pdf	50В	100 мА	СК-74А, СОТ-753					Без свинца	5						да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,7.	Нет		8541.21.00.75	е1	Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu)	НПН		300мВт	КРЫЛО ЧАЙКИ	260	*MG5	5			10	300мВт	2	БИП Малый сигнал общего назначения		Р-ПДСО-Г5			ОБЩИЙ ЭМИТТЕР, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ		100 мА		50В	50В	300мВ	100 мА	250 МГц			0,3 В	68	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	68 @ 5 мА 5 В	250 МГц	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	10 кОм	47 кОм
НСБК124ЭДП6Т5Г	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2010 год	/files/onsemiconductor-nsvmun5212dw1t1g-datasheets-8452.pdf			СОТ-963					Без свинца	6	8 недель			6	АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад)	да	EAR99	Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1.	Нет			е3	Олово (Вс)	НПН	ДА	339 МВт	ПЛОСКИЙ		НСБК1*	6		Двойной			2	БИП Малый сигнал общего назначения						ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ					50В	50В	100 мА					60	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	60 при 5 мА 10 В		250 мВ при 300 мкА, 10 мА	22 кОм	22 кОм
ДДА144ЕК-7-Ф	Диодс Инкорпорейтед	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	150°С	-55°С	Соответствует ROHS3	2006 г.	/files/diodesincorporated-dda124ek7f-datasheets-5029.pdf			СОТ-23-6	3 мм	1,1 мм	1,6 мм			6	19 недель		Нет СВХК	6		да	EAR99	ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 1			8541.21.00.75	е3	Матовый олово (Sn)	ПНП		300мВт	КРЫЛО ЧАЙКИ	260	ДДА144	6		Двойной	40		2		Не квалифицирован							100 мА			50В	300мВ	100 мА	250 МГц				68		2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	68 @ 5 мА 5 В	250 МГц	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	47 кОм	47 кОм

Массивы БЮТ-транзисторов (1927 г.)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии