Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы БЮТ-транзисторов (1927 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Максимальный выходной ток | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НСБК115ТПДП6Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-nsbc115tpdp6t5g-datasheets-5353.pdf | СОТ-963 | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | ДА | 339 МВт | ПЛОСКИЙ | НСБК1* | 6 | Двойной | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 100 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБА143ЗДП6Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-nsba143zdp6t5g-datasheets-5356.pdf | СОТ-963 | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | ДА | 408мВт | ПЛОСКИЙ | НСБА1* | 6 | Двойной | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВМУН5214DW1T3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mun5214dw1t1g-datasheets-7250.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 4,7. | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | 250 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250 мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NSBC114YPDXV6T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-mun5314dw1t1g-datasheets-7319.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 17 недель | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,7. | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | ДА | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБК1* | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБА143EDP6T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-nsba143edxv6t1g-datasheets-7881.pdf | СОТ-963 | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | ДА | 408мВт | ПЛОСКИЙ | НСБА1* | 6 | Двойной | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 250 мВ | 100 мА | 15 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 15 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБК123ТДП6Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-nsbc123tdp6t5g-datasheets-5370.pdf | СОТ-963 | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | 339 МВт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НСБК1* | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 2,2 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБК124EPDXV6T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-mun5312dw1t1g-datasheets-7215.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 17 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | ДА | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБК1* | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 60 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 60 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБК123JDXV6T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mun5235dw1t1g-datasheets-7279.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 17 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | 500мВт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НСБК1* | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЦП124EUQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-adc124euq13-datasheets-4437.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 13 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | НПН | 270мВт | 250 МГц | 56 | 50В | 100 мА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 250 МГц | 22 кОм, 22 кОм | 22 кОм, 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВБА143ZDXV6T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-nsvba143zdxv6t1g-datasheets-5335.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 17 недель | да | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 10. | совместимый | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПНП | 500мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR523UE6433HTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-bcr523ue6433htma1-datasheets-5336.pdf | СК-74, СОТ-457 | 6 | 26 недель | 6 | EAR99 | СООТНОШЕНИЕ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 10. | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 330мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | Двойной | 2 | Не квалифицированный | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 300 мВ | 500 мА | 100 МГц | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 70 при 50 мА 5 В | 100 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 1 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБА114YDP6T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mun5114dw1t1g-datasheets-0657.pdf | СОТ-963 | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,7. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | ДА | 408мВт | ПЛОСКИЙ | НСБА1* | 6 | Двойной | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБА115ТДП6Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-nsba115tdp6t5g-datasheets-5344.pdf | СОТ-963 | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | ДА | 408мВт | ПЛОСКИЙ | НСБА1* | 6 | Двойной | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 100 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DCX143TH-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-dcx144eh7-datasheets-9402.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 600 мкм | 1,2 мм | 6 | 19 недель | 3,005049мг | 6 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН, ПНП | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | DCX143 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 100 | 500нА ИКБО | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 2,5 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMD5DXV6T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-emd5dxv6t1-datasheets-7767.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 17 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 2,13. | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | Без галогенов | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В / 20 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 4,7 кОм, 47 кОм | 10 кОм, 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВБК143ЗДСВ6Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-nsvbc143zdxv6t1g-datasheets-5266.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 17 недель | да | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 10 | совместимый | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 500мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УМГ2НТР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohm-umg2ntr-datasheets-9850.pdf | 50В | 30 мА | СОТ-353 | Без свинца | 5 | 7 недель | Нет СВХК | 5 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3/е2 | ОЛОВО / ОЛОВО МЕДЬ | НПН | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5 | Двойной | 10 | 150 мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 300 мВ | 100 мА | 250 МГц | 68 | 0,3 В | 68 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УМХ4НТН | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 50В | 100 мА | СОТ-363 | 50В | Без свинца | 6 | 10 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ЦИФРОВОЙ | Нет | 8541.21.00.75 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | НПН | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Двойной | 10 | 150 мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 100 | 50В | 5В | 0,3 В | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБК114ТДСВ6Т5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-mun5215dw1t1g-datasheets-7835.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 17 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБК1* | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБА114TDXV6T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mun5115dw1t1g-datasheets-9986.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 17 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 500мВт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НСБА1* | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | -100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 160 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВBC124XDXV6T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-nsvbc124xdxv6t1g-datasheets-5312.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 17 недель | да | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 2,14. | совместимый | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | НПН | 500мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВМУН5113DW1T3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-nsba144edp6t5g-datasheets-1183.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 250 мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 1 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УМБ8НТР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/rohm-umb8ntr-datasheets-9865.pdf | -50В | -100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 50В | Без свинца | 6 | 10 недель | 6 | да | EAR99 | ЦИФРОВОЙ | Нет | 8541.21.00.75 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | ПНП | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МБ8 | 6 | Двойной | 10 | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 0,3 В | 100 | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВМУН5312DW1T3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-mun5312dw1t1g-datasheets-7215.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | 250 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 150°С | -55°С | НЕ УКАЗАН | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН И ПНП | 250 мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 60 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВМУН5333DW1T3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nsvmun5333dw1t1g-datasheets-7783.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 250 мВт | 250 мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВМУН5314DW1T3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-mun5314dw1t1g-datasheets-7319.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 4,7 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | 250 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН И ПНП | 250 мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IMB1AT110 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/rohmsemiconductor-umb1ntn-datasheets-4763.pdf | -50В | -100 мА | СК-74, СОТ-457 | Без свинца | 6 | 7 недель | 6 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ПНП | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МБ1 | 6 | Двойной | 10 | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300 мВ | 100 мА | 250 МГц | 0,3 В | 56 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 56 @ 5 мА 5 В | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМС2ДСВ5Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-emc3dxv5t1g-datasheets-4902.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-553 | Без свинца | 5 | 17 недель | 5 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | Без галогенов | ДА | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 5 | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | СЛОЖНЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 60 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 60 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВМУН5111DW1T3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-smun5111dw1t1g-datasheets-2969.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 8 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | 250 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 250 мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 35 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBLS6005D,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-pbls6005d115-datasheets-5154.pdf | СК-74, СОТ-457 | 6 | 4 недели | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | PBLS6005 | 6 | 150°С | 40 | 2 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 600мВт | 185 МГц | 50В 60В | 100 мА 700 мА | 1 мкА 100 нА | 1 NPN с предварительным смещением, 1 PNP | 80 при 5 мА 5 В / 150 при 500 мА 5 В | 185 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 340 мВ при 100 мА, 1 А | 47 кОм | 47 кОм |
