Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АО6808_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | СК-74, СОТ-457 | 800мВт | 6-ЦОП | 780пФ | 4,6А | 20 В | 800мВт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 780пФ при 10 В | 23 мОм при 6 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,6А | 21 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 23 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4821Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-ao4821l-datasheets-6693.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 9А | 12 В | 2 Вт | 2 P-канала (двойной) | 2100пФ при 6В | 19 мОм при 9 А, 4,5 В | 850 мВ при 250 мкА | 23 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4801АС | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4803АЛ | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 8-СО | 520пФ | 5А | 30В | 2 Вт | 2 P-канала (двойной) | 520пФ при 15В | 46 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 5А | 11 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 46 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4801АЛ | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4801al001-datasheets-6644.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | совместимый | 30В | 2 Вт | 2 P-канала (двойной) | 780пФ при 15В | 48 мОм при 5 А, 10 В | 1,3 В @ 250 мкА | 5А | 9 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4803Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 5А | 30В | 2 Вт | 2 P-канала (двойной) | 520пФ при 15В | 52 мОм при 5 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 11 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4822АЛ | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 8А | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 8,5 А | 2 N-канала (двойной) | 888пФ при 15 В | 19 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 18 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4616L_102 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 8-СО | 888пФ | 7А | 30В | 2 Вт | N и P-канал | 888пФ при 15 В | 20 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 8А 7А | 18 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 20 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4800Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 6,9А | 30В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 630пФ при 15 В | 27 мОм при 6,9 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC6617R-A-TF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 4 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4812Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 6А | 30В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 310пФ при 15В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 6,3 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4801Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 5А | 30В | 2 P-канала (двойной) | 780пФ при 15В | 48 мОм при 5 А, 10 В | 1,3 В @ 250 мкА | 5А Та | 9 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4807_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 8-СО | 760пФ | 6А | 30В | 2 Вт | 2 P-канала (двойной) | 760пФ при 15В | 35 мОм при 6 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 6А | 16 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 35 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4801AL_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-ao4801al001-datasheets-6644.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 8-СО | 780пФ | 5А | 30В | 2 Вт | 2 P-канала (двойной) | 780пФ при 15В | 48 мОм при 5 А, 10 В | 1,3 В @ 250 мкА | 5А | 9 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 48 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4812_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 8-СО | 310пФ | 6А | 30В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 310пФ при 15В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 6А | 6,3 НК при 10 В | Стандартный | 30 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN63D1LDW-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn63d1ldw13-datasheets-6634.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 6 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 310мВт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 250 мА | 60В | 310мВт | 2 N-канала (двойной) | 30пФ при 25В | 2 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 0,3 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4822AL_102 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 8-СО | 888пФ | 8А | 30В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 888пФ при 15 В | 19 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 8А | 18 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 19 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QJD1210011 | Powerex Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/powerexinc-qjd1210011-datasheets-6649.pdf | Модуль | 20 | EAR99 | неизвестный | 900 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 2 | Р-ПУФМ-Х20 | 100А | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | 1200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 250А | 0,025 Ом | 2 N-канала (двойной) | 10200пФ при 800В | 25 мОм при 100 А, 20 В | 5 В при 10 мА | 100А Ц | 500 НК при 20 В | Карбид кремния (SiC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4822L_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 8-СО | 888пФ | 8А | 30В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 888пФ при 15 В | 19 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 8А | 18 НК при 10 В | Стандартный | 19 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VEC2616-TL-WZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-vec2616tlhz-datasheets-6620.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 14 недель | 1 Вт | 2,5 А | 60В | N и P-канал | 505пФ при 20В | 80 мОм при 1,5 А, 10 В | 2,6 В @ 1 мА | 3А 2,5А | 10 нк @ 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3415Б | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | СОИК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4614B_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 8-СО | 650пФ | 5А | 40В | 2 Вт | N и P-канал | 650пФ при 20В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6А 5А | 10,8 нк при 10 В | Ворота логического уровня | 30 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2385Т1П-Е1-А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 16 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4801HL | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5875NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5875nlt1g-datasheets-0265.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 13 недель | 8 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 3,2 Вт | 7А | 60В | 3,2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 540пФ при 25В | 33 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА1764G-E2-AZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/renesaselectronicsamerica-upa1764ge2az-datasheets-6574.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 недель | EAR99 | 2 Вт | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 7А | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 7А | 2 N-канала (двойной) | 1300пФ при 10В | 35 мОм при 3,5 А, 10 В | 29 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN3033LSDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn3033lsdq13-datasheets-6632.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 7 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-G8 | 6,9А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 30А | 0,02 Ом | 2 N-канала (двойной) | 725пФ при 15В | 20 мОм при 6,9 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 13 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW216A-TL-2W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-fw216atl2w-datasheets-6577.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 4 недели | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2,2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | Двойной | 2 | 6 нс | 21нс | 10 нс | 20 нс | 4,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | 35В | 35В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,064Ом | 2 N-канала (двойной) | 280пФ при 10В | 64 мОм при 4,5 А, 10 В | 5,6 НК при 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН63Д1ЛДВ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn63d1ldw13-datasheets-6634.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 6 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 310мВт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 250 мА | 60В | 310мВт | 2 N-канала (двойной) | 30пФ при 25В | 2 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 0,3 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6613-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-mch6613tle-datasheets-6580.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | 6 недель | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 11 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 800мВт | 6 | Двойной | 800мВт | 2 | 65нс | 120 нс | 155 нс | 200 мА | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,35 А | -30В | N и P-канал | 7пФ @ 10В | 3,7 Ом при 80 мА, 4 В | 350 мА 200 мА | 1,58 НК при 10 В | Ворота логического уровня |
