Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Январь2N7334 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/597 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jantxv2n7334-datasheets-5954.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1,4 Вт | Полевой транзистор общего назначения | Квалифицированный | 1А | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт | 1А | 4 N-канала | 700 мОм при 600 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 60 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТЗД3152ПТ1Х | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntzd3152pt1g-datasheets-8241.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 15 недель | 8,193012мг | 6 | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР, НИЗКИЙ ПОРОГ | е3 | Олово (Вс) | ДА | 250 мВт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 280мВт | 2 | Другие транзисторы | 10 нс | 12нс | 19 нс | 35 нс | 430 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,43 А | 0,9 Ом | 2 P-канала (двойной) | 175пФ при 16В | 900 мОм при 430 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,5 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМДПБ95XNE,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nxpusainc-pmdpb95xne115-datasheets-6111.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 30В | 475 МВт | 2 N-канала (двойной) | 143пФ при 15В | 120 мОм при 2 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,4А | 2,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТМС1420-ЛА | Тринамик Моушн Контрол ГмбХ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 8-PowerTDFN | 8 | 3,57 Вт | 7,3А | 40В | N и P-канал | 1050пФ при 15В | 26,5 мОм при 7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8,8 А 7,3 А | 11,2 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC90AM60T1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptc90am60t1g-datasheets-6401.pdf | СП1 | 12 | 22 недели | 1 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 462 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 70 нс | 20нс | 25 нс | 400 нс | 59А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,06 Ом | 2 Н-канала (полумост) | 13600пФ при 100В | 60 мОм при 52 А, 10 В | 3,5 В при 6 мА | 540 НК при 10 В | Супер Джанкшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HUFA76413DK8T-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, UltraFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-hufa76413dk8tf085-datasheets-6406.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 2 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 Вт | 260 мДж | 2 N-канала (двойной) | 620пФ при 25В | 49 мОм при 5,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5,1А | 23 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMH2407-S-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | 8-СМД, плоский вывод | 4 недели | 8 | 1,3 Вт | 6А | 25мОм | 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QJD1210SA1 | Powerex Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/powerexinc-qjd1210sa1-datasheets-6415.pdf | Модуль | неизвестный | 520 Вт | 100А | 1200В 1,2кВ | 520 Вт | 2 N-канала (двойной) | 8200пФ при 10 В | 17 мОм при 100 А, 15 В | 1,6 В @ 34 мА | 330 НК при 15 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5485NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5485nlt1g-datasheets-9824.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 13 недель | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 2,9 Вт | 8 | Двойной | 2,9 Вт | 2 | 9,5 нс | 26,6 нс | 23,7 нс | 27,8 нс | 5,3А | 20 В | 60В | 2 N-канала (двойной) | 560пФ при 25В | 44 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5853NWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5853nt1g-datasheets-0546.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 13 недель | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 3,1 Вт | 8 | 3,1 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 9 нс | 20нс | 3 нс | 21 нс | 12А | 20 В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 53А | 2 N-канала (двойной) | 1225пФ при 25В | 10 мОм при 15 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH4257DTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-irfh4257dtrpbf-datasheets-6423.pdf | 8-PowerVDFN | Без свинца | 8 | EAR99 | 28 Вт | НЕ УКАЗАН | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 12 нс | 51 нс | 25 нс | 20 нс | 25А | 20 В | 25В | 25 Вт 28 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1321пФ при 13В | 3,4 мОм при 25 А, 10 В | 2,1 В @ 35 мкА | 15 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC1029UFDB-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmc1029ufdb13-datasheets-2811.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 6 | EAR99 | Золото | е4 | 1,4 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 30 | 2 | 3,8А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 12 В | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,029 Ом | N и P-канал | 914пФ при 6В | 29 мОм при 5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5,6 А 3,8 А | 19,6 НК при 8 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW276-TL-2H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fw276tl2h-datasheets-6438.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,375 мм | 3,9 мм | Без свинца | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 1,6 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 Вт | 2 | 7 нс | 15 нс | 700 мА | 30В | 450В | 4,5 В | 2 N-канала (двойной) | 55пФ при 20В | 12,1 Ом при 350 мА, 10 В | 4,5 В при 1 мА | 3,7 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9389PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf9389trpbf-datasheets-4013.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 11 недель | EAR99 | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IRF9389 | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-G8 | 4,6А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | МС-012АА | 6,8А | 34А | 0,027Ом | N и P-канал | 398пФ при 15 В | 27 мОм при 6,8 А, 10 В | 2,3 В @ 10 мкА | 6,8 А 4,6 А | 14 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LP1030DK1-G | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -25°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-lp1030dk1g-datasheets-6462.pdf | СК-74А, СОТ-753 | СОТ-23-5 | 10,8пФ | 300В | 2 P-канала (двойной) | 10,8 пФ при 25 В | 180 Ом при 20 мА, 7 В | 2,4 В при 1 мА | Стандартный | 180 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VEC2616-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-vec2616tlw-datasheets-6453.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 750 мкм | 2,3 мм | Без свинца | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 Вт | 8 | Двойной | 1 Вт | 2 | 65 нс | 2,5 А | 20 В | 60В | N и P-канал | 505пФ при 20В | 80 мОм при 1,5 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 3А 2,5А | 10 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8601M-C-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | 8-СМД, плоский вывод | 8 | Нет | 1,5 Вт | 1,6 Вт | 300 нс | 1 мкс | 1,8 мкс | 3 мкс | 8А | 12 В | 24В | 24В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 23 мОм при 4 А, 4,5 В | 7,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8601M-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ech8601mtlh-datasheets-6460.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 900 мкм | 2,3 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 1,5 Вт | 8 | Двойной | 2 | 300 нс | 1 мкс | 1,8 мкс | 3 мкс | 8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 24В | 24В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | 60А | 0,03 Ом | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 23 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,3 В @ 1 мА | 8А Та | 7,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFHE4250DTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФАСТИРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irfhe4250dtrpbf-datasheets-6360.pdf | 32-PowerWFQFN | 6 мм | 900 мкм | 5 мм | Без свинца | 18 недель | Нет СВХК | 30 | EAR99 | 156 Вт | IRFHE4250 | Двойной | 156 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 17 нс | 54нс | 16 нс | 24 нс | 303А | 16 В | 25В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,6 В | 2 N-канала (двойной) | 1735пФ при 13В | 2,75 мОм при 27 А, 10 В | 2,1 В при 35 мкА | 86А 303А | 20 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛН100ЛА-Г | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-ln100lag-datasheets-6488.pdf | 6-ВФЛГА | 6 | 6 | EAR99 | 350 мВт | НИЖНИЙ | ПОПКА | 260 | 2 | Двойной | 40 | 2 | 3мА | 1,6 В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600В | 2 Н-канала (каскодированные) | 50пФ при 25В | 3000 Ом при 2 мА, 2,8 В | 1,6 В @ 10 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6603-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-mch6603tlh-datasheets-6379.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 6 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 22 часа назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 800мВт | 6 | Двойной | 800мВт | 1 | 20 нс | 35 нс | 150 нс | 160 нс | 140 мА | 10 В | 50В | -50В | 2 P-канала (двойной) | 7,4 пФ при 10 В | 23 Ом при 40 мА, 4 В | 1,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня, привод 1,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9395MTR1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2013 год | /files/infineontechnologies-irf9395mtrpbf-datasheets-9852.pdf | DirectFET™ Изометрический MC | 30В | 2,1 Вт | 2 P-канала (двойной) | 3241пФ при 15 В | 7 мОм при 14 А, 10 В | 2,4 В при 50 мкА | 14А | 64 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8660-S-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-СМД, плоский вывод | 11 недель | 8 | 2 | 4,5 А | 30В | 59мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5489NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5489nlt1g-datasheets-1954.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 13 недель | 37,393021мг | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 3 Вт | 8 | 2 | Двойной | Полевой транзистор общего назначения | 7 нс | 11нс | 21 нс | 31 нс | 12А | 20 В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 330пФ при 25В | 65 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 4,5 А | 12,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QJD1210SA2 | Powerex Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/powerexinc-qjd1210sa2-datasheets-6346.pdf | Модуль | неизвестный | 415 Вт | 100А | 1200В 1,2кВ | 415 Вт | 2 N-канала (двойной) | 8200пФ при 10 В | 17 мОм при 100 А, 15 В | 1,6 В @ 34 мА | 330 НК при 15 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5485НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5485nlt1g-datasheets-9824.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 6 недель | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 2,9 Вт | 8 | Двойной | 2,9 Вт | 2 | 9,5 нс | 26,6 нс | 23,7 нс | 27,8 нс | 5,3А | 20 В | 60В | 2 N-канала (двойной) | 560пФ при 25В | 44 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMH2407-S-TL-HX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2016 год | 8-СМД, плоский вывод | 8 | Нет | 310 нс | 1,02 мкс | 2,25 мкс | 3 мкс | 6А | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA936EDJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sia936edjt1ge3-datasheets-6242.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 28,009329мг | Неизвестный | 27мОм | 6 | EAR99 | 7,8 Вт | НЕ УКАЗАН | SIA936ED | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 20 нс | 20нс | 20 нс | 45 нс | 4,5 А | 1,3 В | 20 В | 1,3 В | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 34 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,3 В @ 250 мкА | 17 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QJD1210SB1 | Powerex Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8651R-R-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | 8-СМД, плоский вывод | 8 | Нет | 1,4 Вт | 300 нс | 1 мкс | 2,5 мкс | 4 мкс | 10А | 12 В | 14мОм | 24В |
