Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PMDPB28UN,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nxpusainc-pmdpb28un115-datasheets-6051.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 20 В | 510мВт | 2 N-канала (двойной) | 265пФ при 10 В | 37 мОм при 4,6 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,6А | 4,7 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМДПБ42УН,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nxpusainc-pmdpb42un115-datasheets-6052.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 20 В | 510мВт | 2 N-канала (двойной) | 185пФ при 10В | 50 мОм при 3,9 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3,9 А | 3,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF6802SDTR1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2013 год | /files/infineontechnologies-irf6802sdtrpbf-datasheets-3169.pdf | DirectFET™ Изометрический SA | 25В | 1,7 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1350пФ при 13В | 4,2 мОм при 16 А, 10 В | 2,1 В @ 35 мкА | 16А | 13 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC8200S_F106 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdmc8200s-datasheets-8536.pdf | 8-PowerWDFN | 30В | 700мВт 1Вт | 2 N-канала (двойной) | 660пФ при 15 В | 20 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6А 8,5А | 10 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJM0306JSP-01#J0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 2,2 Вт | 3,5 А | 30В | 2,2 Вт | 2 N и 2 P-канала (H-мост) | 290пФ при 10В | 65 мОм при 2 А, 10 В | 5 нк @ 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМГД175СН,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nxpusainc-pmgd175xn115-datasheets-6104.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,905 Вт | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 390мВт | 0,9 А | 0,225 Ом | 2 N-канала (двойной) | 75пФ при 15В | 225 мОм при 1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 900 мА | 1,1 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VQ1006P-2 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-vq1006p2-datasheets-6115.pdf | ПДИП | 14 | 14 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | 1,3 Вт | 4 | 14-ДИП | 400 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | 90В | 90В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2А | 3,5 Ом | 10 пФ | 4 N-канала | 60пФ при 25В | 10 нс | 10 нс | 4,5 Ом при 1 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VQ1001P-2 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-vq1001p2-datasheets-6118.pdf | ПДИП | 14 | 18 недель | 14 | EAR99 | 8541.29.00.75 | НЕТ | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | 4 | Не квалифицирован | 14-ДИП | 830 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 4-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 0,83 А | 3А | 1 Ом | 35 пФ | 4 N-канала | 110пФ при 15В | 30 нс | 30 нс | 1,75 Ом при 200 мА, 5 В | 2,5 В при 1 мА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VQ1006P-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-vq1006p2-datasheets-6115.pdf | ПДИП | 15 недель | 14 | Нет | 2 Вт | 1,3 Вт | 4 | 14-ДИП | 60пФ | 400 мА | 20 В | 90В | 2 Вт | 4,5 Ом | 90В | 4 N-канала | 60пФ при 25В | 4,5 Ом при 1 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 400 мА | Ворота логического уровня | 4,5 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМГД130УН,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nxpusainc-pmgd130un115-datasheets-6097.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 20 В | 390мВт | 2 N-канала (двойной) | 83пФ при 10 В | 145 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 1,2А | 1,3 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМДПБ70РУ,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/nexperiausainc-pmdpb70en115-datasheets-6095.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | Нет | 510мВт | 6 | Двойной | 1165 Вт | 2 | 3 нс | 16 нс | 5 нс | 15 нс | 3,5 А | 20 В | 30В | 510мВт | 30В | 2 N-канала (двойной) | 130пФ при 15В | 57 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 4,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4952 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 8 | 2 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 11А | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 605пФ при 15В | 10,5 мОм при 11 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VQ1001P-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-vq1001p2-datasheets-6118.pdf | Без свинца | 14 | Нет | 2 Вт | 2 Вт | 4 | 14-ДИП | 110пФ | 830 мА | 20 В | 30В | 2 Вт | 1,75 Ом | 4 N-канала | 110пФ при 15В | 1,75 Ом при 200 мА, 5 В | 2,5 В при 1 мА | 830 мА | Ворота логического уровня | 1,75 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTML102UM09R004T3AG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | SP3 | 10 | 22 недели | 3 | EAR99 | Нет | 480 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 480 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XUFM-X10 | 154А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,01 Ом | 2 N-канала (двойной) | 9875пФ при 25 В | 10 мОм при 69,5 А, 10 В | 4 В @ 2,5 мА | 154А Ц | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4618DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si4618dyt1e3-datasheets-9868.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 15 недель | 506,605978мг | Нет СВХК | 8 | Нет | 2,35 Вт | 2 | Двойной | 2 | 8-СО | 1,535 нФ | 11,4А | 16 В | 30В | 1В | 1,98 Вт 4,16 Вт | 10мОм | 30В | 2 Н-канала (полумост) | 1535пФ при 15В | 17 мОм при 8 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 8А 15,2А | 44 НК при 10 В | Стандартный | 17 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7334 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jantxv2n7334-datasheets-5954.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 14 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.29.00.75 | МИЛ-19500/597 | 1,4 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 14 | НЕ УКАЗАН | 4 | Квалифицированный | Р-CDIP-T14 | 1А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 4-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт | МО-036АБ | 1А | 4А | 0,8 Ом | 75 мДж | 4 N-канала | 700 мОм при 600 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 60 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N7335 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/599 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jan2n7335-datasheets-5965.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 14 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.29.00.75 | МИЛ-19500/599 | 1,4 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 14 | НЕ УКАЗАН | 4 | Квалифицированный | Р-CDIP-T14 | 750 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 4-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт | МО-036АБ | 0,75 А | 3А | 1,73 Ом | 75 мДж | 4 P-канала | 1,4 Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМЛ502UM90R020T3AG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | SP3 | 14 | 22 недели | 3 | EAR99 | Нет | 568 Вт | НЕУКАЗАНО | 32 | 568 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDFM-X14 | 52А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,095Ом | 2 N-канала (двойной) | 7600пФ при 25 В | 108 мОм при 26 А, 10 В | 4 В @ 2,5 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N7335 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/599 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/microsemicorporation-jan2n7335-datasheets-5965.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 14 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.29.00.75 | МИЛ-19500/599 | 1,4 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 14 | НЕ УКАЗАН | 4 | Квалифицированный | Р-CDIP-T14 | 750 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 4-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт | МО-036АБ | 0,75 А | 3А | 1,73 Ом | 75 мДж | 4 P-канала | 1,4 Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60DSKM70T1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | СП1 | 22 недели | 1 | EAR99 | Нет | 250 Вт | 250 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 84 нс | 283 нс | 39А | 20 В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | Канал 2 N (двойной понижающий преобразователь) | 700пФ при 25В | 70 мОм при 39 А, 10 В | 3,9 В @ 2,7 мА | 259 НК при 10 В | Супер Джанкшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA914ADJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sia914adjt1ge3-datasheets-5983.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | Без свинца | 6 | 15 недель | 28,009329мг | Неизвестный | 6 | EAR99 | Нет | 7,8 Вт | Двойной | 1,9 Вт | 2 | 7 нс | 20нс | 5 нс | 25 нс | 4,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,043Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 470пФ при 10В | 43 мОм при 3,7 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 12,5 НК при 8 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ100ВДА35Т3Г | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | SP3 | 20 | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 390 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 18 нс | 12нс | 40 нс | 155 нс | 22А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | 1000В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 88А | 2 N-канала (двойной) | 5200пФ при 25В | 420 мОм при 11 А, 10 В | 5 В @ 2,5 мА | 186 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н7335 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-jan2n7335-datasheets-5965.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | неизвестный | 1,4 Вт | 750 мА | 100В | 1,4 Вт | 4 P-канала | 1,4 Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМЛ1002U60R020T3AG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | SP3 | 14 | 22 недели | 3 | EAR99 | Нет | 520 Вт | НЕУКАЗАНО | 32 | 520 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDFM-X14 | 20А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | 1000В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 74А | 2 N-канала (двойной) | 6000пФ при 25В | 720 мОм при 10 А, 10 В | 4 В @ 2,5 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60DSKM70CT1G | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | СП1 | 10 | 1 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 250 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 84 нс | 283 нс | 39А | 20 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,07 Ом | 2 N-канала (двойной) | 7000пФ при 25В | 70 мОм при 39 А, 10 В | 3,9 В @ 2,7 мА | 259 НК при 10 В | Супер Джанкшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N7334 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/597 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantxv2n7334-datasheets-5954.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 14 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.29.00.75 | МИЛ-19500/597 | 1,4 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 14 | НЕ УКАЗАН | 4 | Квалифицированный | Р-CDIP-T14 | 1А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 4-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт | МО-036АБ | 1А | 4А | 0,8 Ом | 75 мДж | 4 N-канала | 700 мОм при 600 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 60 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6978 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerVDFN | 16 недель | 8 | 4,3 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 28А | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,6 Вт 4,3 Вт | 36А | 2 Н-канала (полумост) | 1010пФ при 15В | 5,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 20А 28А | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6971 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductorinc-aon6971-datasheets-6012.pdf | 8-PowerWDFN | 8 | 4,1 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 40А | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5 Вт 4,1 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 1010пФ при 15В | 5,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 23А 40А | 23 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМЛ202UM18R010T3AG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | SP3 | 10 | 22 недели | 3 | EAR99 | Нет | 480 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 480 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XUFM-X10 | 109А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400А | 0,019 Ом | 2 N-канала (двойной) | 9880пФ при 25 В | 19 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 2,5 мА | 109А Тк | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM10DHM09T3G | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛОВАЯ МОП V® | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | SP3 | 3 | EAR99 | Нет | 390 Вт | 390 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 35 нс | 70нс | 125 нс | 95 нс | 139А | 30В | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 9875пФ при 25 В | 10 мОм при 69,5 А, 10 В | 4 В @ 2,5 мА | 350 НК при 10 В | Стандартный |
